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數(shù)據(jù)手冊#TPS7H1111 耐輻射、1.5A、超低噪聲、超高 PSRR RF LDO 穩(wěn)壓器

科技綠洲 ? 2025-02-27 10:06 ? 次閱讀
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TPS7H1111 是一款超低噪聲、高 PSRR、低壓差線性穩(wěn)壓器LDO),專為在太空環(huán)境中為射頻RF) 設(shè)備供電而優(yōu)化。它能夠在 0.85V 至 7V 輸入范圍內(nèi)提供高達 1.5A 的電流,并采用 2.2V 至 14V 偏置電源

該器件的高性能限制了電源產(chǎn)生的相位噪聲和時鐘抖動,使該器件非常適合為衛(wèi)星中的高性能 ADC、DAC、VCO、PLL、SerDes 和其他 RF 元件供電。對于需要低電壓作的數(shù)字負載(如 FPGADSP),出色的精度和出色的瞬態(tài)性能可確保最佳系統(tǒng)性能。

*附件:TPS7H1111-SP 和 TPS7H1111-SEP 1.5A、超低噪聲、高 PSRR 抗輻射低壓差 (LDO) 線性穩(wěn)壓器 數(shù)據(jù)表.pdf

QML 型號 5962R21203 提供標準微電路圖 (SMD)。供應商物料圖 (VID) 可用于 -SEP 變體 V62/23602。

特性

  • 總電離劑量 (TID) 表征
    • 100 krad(Si) 或 50 krad(Si) 的抗輻射保證 (RHA) 可用性
  • 單粒子效應 (SEE) 特征
    • 單粒子閂鎖 (SEL)、單粒子倦怠 (SEB) 和單粒子柵極破裂 (SEGR) 免疫線性能量轉(zhuǎn)移 (LET) = 75 MeV-cm2/mg
    • 單粒子功能中斷 (SEFI) 和單粒子瞬態(tài) (SET) 特性高達 LET = 75 MeV-cm2/mg
  • 超低噪聲(10 Hz 至 100 kHz):
    • 1.71 μVRMS(典型值)
  • 高電源抑制比 PSRR (典型值):
    • 109 kHz 時為 1 dB
    • 100 kHz 時為 71 dB
    • 1 MHz 時為 66 dB
  • 輸入電壓范圍為 0.85 V 至 7 V
  • 2.2 V 至 14 V 的偏置電源,以最大限度地降低功率耗散
  • 輸出電壓低至 0.4 V
  • 高達 1.5A 的輸出電流
  • 在線路和負載范圍內(nèi)具有出色的輸出精度:
    • 在整個溫度范圍內(nèi)為 -1.3% 至 +1.2%
    • 25°C 時 -0.7% 至 +0.9%
  • 低壓差:1.5 A 時為 215 mV(典型值)
  • 編程軟啟動控制 (SS_SET)
  • 漏極開路電源良好 (PG) 指示燈
  • 可配置的電源良好閾值 (FB_PG)
  • 帶有外部補償 STAB 引腳的裸露控制回路
  • 具有可配置行為的內(nèi)部電流限制
  • 均流,允許高達 2.9 A 的電流運行
  • 軍用溫度范圍(–55°C 至 125°C)

參數(shù)

image.png

方框圖

image.png

1. 產(chǎn)品概述

  • ?產(chǎn)品名稱?:TPS7H1111-SP 和 TPS7H1111-SEP
  • ?類型?:1.5A超低噪聲、高PSRR抗輻射低壓差(LDO)線性穩(wěn)壓器
  • ?特點?:專為射頻(RF)設(shè)備供電設(shè)計,具有超低噪聲、高電源抑制比(PSRR)和抗輻射能力。

2. 主要特性

  • ?超低噪聲?:10 Hz至100 kHz帶寬內(nèi),輸出噪聲低至1.71 μV RMS(典型值)。
  • ?高PSRR?:PSRR在1 kHz時達到109 dB(典型值),在1 MHz時達到66 dB(典型值)。
  • ?寬輸入電壓范圍?:0.85 V至7 V。
  • ?高輸出電流?:可達1.5 A。
  • ?抗輻射性能?:經(jīng)過總劑量電離輻射(TID)和單粒子效應(SEE)測試。
  • ?可編程軟啟動控制?:通過SS_SET引腳實現(xiàn)。
  • ?電源正常(PG)指示器?:具有開漏PG輸出。
  • ?配置靈活的電源正常閾值?:通過FB_PG引腳設(shè)置。

3. 應用領(lǐng)域

  • 適用于空間環(huán)境中的射頻設(shè)備供電。

4. 引腳配置與功能

  • 引腳包括輸入(IN)、使能(EN)、軟啟動設(shè)置(SS_SET)、輸出(OUT)、電源正常(PG)、穩(wěn)定性補償(STAB)等。

5. 規(guī)格參數(shù)

  • ?絕對最大額定值?:規(guī)定了輸入電壓、輸出電壓、使能電壓等參數(shù)的最大允許值。
  • ?推薦工作條件?:詳細列出了輸入電壓范圍、輸出電壓范圍、輸出電流、溫度范圍等推薦工作條件。
  • ?電氣特性?:包括靜態(tài)電流、壓差電壓、輸出電流限制、PSRR、輸出噪聲電壓等關(guān)鍵參數(shù)。

6. 典型特性

  • 通過圖表形式展示了PSRR、輸出噪聲、負載瞬態(tài)響應、線路瞬態(tài)響應等參數(shù)隨不同條件變化的典型特性。

7. 詳細描述

  • ?功能框圖?:展示了TPS7H1111的內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)。
  • ?特性描述?:對超低噪聲、高PSRR、抗輻射性能、軟啟動控制、電源正常指示器、電流限制、熱關(guān)斷保護等關(guān)鍵特性進行了詳細描述。

8. 應用與實施

  • ?應用信息?:提供了關(guān)于如何使用TPS7H1111的詳細指導,包括輸出電壓設(shè)置、軟啟動控制、電源正常閾值配置等。
  • ?典型應用?:給出了兩個典型應用示例,包括設(shè)置啟動閾值的應用和并行操作的應用。
  • ?電容測試?:TI測試了各種空間級電容器,并測量了TPS7H1111系統(tǒng)的控制環(huán)路響應。
  • ?TID效應?:討論了TID對PSRR、噪聲和穩(wěn)定性的影響。
  • ?電源供應建議?:指導用戶如何選擇合適的輸入電壓和電容,以及如何添加RC濾波器來確保BIAS引腳看到干凈的輸入。
  • ?布局建議?:提供了布局方面的指導,以優(yōu)化TPS7H1111的性能。

9. 文檔與支持

  • 提供了相關(guān)文檔的支持信息,包括TPS7H1111-SP的總劑量電離輻射報告、TPS7H1111EVM-CVAL評估模塊用戶指南等。

*附件:TPS7H1111-SEP中子位移損傷(NDD)特征.pdf

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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