概述
DS28E80是一款用戶可編程的非易失性存儲器芯片。與浮柵存儲單元相比，DS28E80采用了抗伽馬輻射的存儲單元技術(shù)。DS28E80有248字節(jié)的用戶內(nèi)存，這些內(nèi)存以8字節(jié)為單位進(jìn)行組織。單個塊可以寫保護(hù)。每個內(nèi)存塊可以寫入8次。ds28e 80通過單觸點單線總線以標(biāo)準(zhǔn)速度或超速速度進(jìn)行通信。每個器件都有自己保證唯一的64位注冊號，該注冊號是由工廠編程到芯片中的。通信遵循1線協(xié)議，在多設(shè)備1線網(wǎng)絡(luò)的情況下，64位注冊號作為節(jié)點地址。
數(shù)據(jù)表：*附件：DS28E80 1-Wire存儲器技術(shù)手冊.pdf
特性

• 高耐γ輻射能力，允許用戶在醫(yī)療滅菌之前進(jìn)行編程制造或校準(zhǔn)數(shù)據(jù)
  • 承受高達(dá)75kGy (千戈瑞) γ輻射
  • 可重編程248字節(jié)用戶存儲器
• 較小的存儲塊大小，用戶存儲器編程較靈活
  • 存儲器分為8字節(jié)存儲塊
  • 每個存儲塊可寫8次
  • 每個存儲塊均提供用戶可編程寫保護(hù)
• 高級1-Wire協(xié)議，將接口減小為單觸點
• 緊湊的封裝和單IO接口，減小電路板空間，增強可靠性
  • 唯一的工廠編程64位識別碼
  • 1-Wire標(biāo)準(zhǔn)速率(最大15.3kbps)和高速(最大76kbps)通信
  • 工作范圍：3.3V ±10%，-40°C至+ 85°C，讀操作；0°C至+50°C，寫操作
  • IO引腳具有±8kV HBM ESD保護(hù)(典型值)
  • 6引腳TDFN封裝

典型應(yīng)用電路

電氣特性

引腳配置

圖1中的框圖顯示了DS28E80的主要控制和存儲部分之間的關(guān)系。該設(shè)備有五個主要數(shù)據(jù)組件：用戶存儲器（31個8字節(jié)的塊）、管理存儲器、保護(hù)存儲器、64位ROMID和64位數(shù)據(jù)緩沖區(qū)。圖2顯示了1-Wire協(xié)議的層次結(jié)構(gòu)。總線主控必須首先提供七個ROM功能命令之一：讀取ROM、匹配ROM、搜索ROM、跳過ROM、恢復(fù)通信、超速檔跳過ROM和超速檔匹配ROM。這些ROM功能命令所需的協(xié)議如圖8所示。在成功執(zhí)行ROM功能命令后，存儲器功能變得可訪問，并且主設(shè)備可以提供5個可用存儲器功能命令中的任何一個。功能協(xié)議如圖6所示。所有數(shù)據(jù)首先讀取和寫入最低有效位。

讀取內(nèi)存命令用于讀取用戶內(nèi)存。該協(xié)議允許在單個讀取內(nèi)存命令流中讀取多個塊，直到內(nèi)存末尾。在讀取塊的最后一個字節(jié)后，DS28E80向主機發(fā)送塊數(shù)據(jù)的CRC.以驗證數(shù)據(jù)完整性。如果主設(shè)備繼續(xù)讀取，DS28B80將傳輸下一個塊的數(shù)據(jù)。以此類推。在讀取最后一個存儲塊并且主設(shè)備繼續(xù)進(jìn)行CRC之外的讀取后，得到的數(shù)據(jù)是FFh。主機可以通過發(fā)出復(fù)位脈沖隨時結(jié)束讀取內(nèi)存命令。