此參考設(shè)計(jì)展示了采用三個(gè)具有集成式 GaN FET、驅(qū)動(dòng)器和自舉二極管的 100V、35A GaN 半橋 LMG2100R044 的高功率密度 12V 至 60V 三相功率級(jí)，專門用于電機(jī)集成式伺服驅(qū)動(dòng)器和機(jī)器人應(yīng)用。
通過使用 IN241A 電流檢測放大器，實(shí)現(xiàn)了精確的相電流檢測；同時(shí)測量了直流鏈路電壓和相電壓，從而能夠驗(yàn)證諸如 InstaSPIN-FOC? 等先進(jìn)的無傳感器設(shè)計(jì)。該設(shè)計(jì)提供與 TI BoosterPack 兼容的 3.3V I/O 接口，用于連接 C2000? MCU LaunchPad? 開發(fā)套件或 Sitara? 微控制器，以便快速輕松地評(píng)估我們的 GaN 技術(shù)。
*附件：適用于電機(jī)集成式驅(qū)動(dòng)器的 48V、850W 小型三相 GaN 逆變器.pdf

特性

• 在 40kHz PWM 下可實(shí)現(xiàn)高效率（峰值為 99.3%），支持在環(huán)境溫度為 25°C、連續(xù)電流高達(dá) 16Arms 且無需安裝散熱器的情況下穩(wěn)定運(yùn)行
• 小型 GaN 半橋功率級(jí)可實(shí)現(xiàn)高功率密度并簡化 PCB 布局
• GaN 半橋支持在更高的 PWM 頻率下運(yùn)行，有助于降低直流總線電容器高度，同時(shí)使用陶瓷電容器替代電解電容器
• 零反向恢復(fù)損耗可減少開關(guān)節(jié)點(diǎn)振蕩
• 16.6ns 的低死區(qū)時(shí)間更大限度地減少相電壓失真 使用 1mΩ 分流器和具有高 PWM 抑制功能的電流檢測放大器，對(duì) ±33A 范圍內(nèi)的相電流進(jìn)行精密檢測
  

應(yīng)用
? 機(jī)器人伺服驅(qū)動(dòng)器
? 伺服驅(qū)動(dòng)器功率級(jí)模塊
? 線性電機(jī)功率級(jí)
? 移動(dòng)機(jī)器人電機(jī)控制
? 無人機(jī)配件