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一文解析大尺寸金剛石晶圓復制技術(shù)現(xiàn)狀與未來

DT半導體 ? 來源:DT半導體 ? 2025-02-07 09:16 ? 次閱讀
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半導體技術(shù)飛速發(fā)展的今天,大尺寸晶圓的高效制備成為推動行業(yè)進步的關(guān)鍵因素。而在眾多半導體材料中,金剛石憑借其超寬禁帶、高擊穿電場、高熱導率等優(yōu)異電學性質(zhì),被視為 “終極半導體”,在電真空器件、高頻高功率固態(tài)電子器件領(lǐng)域極具應用潛力。

然而,金剛石的高硬度和生長速率低、尺寸小等問題,限制了其在大尺寸晶圓制備中的應用。今天,我們就一同深入探究大尺寸金剛石晶圓復制技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀與未來趨勢。

常規(guī)半導體復制技術(shù)大盤點

在半導體領(lǐng)域,晶圓復制通常借助同質(zhì)外延生長后切割,或基于異質(zhì)襯底進行異質(zhì)外延這兩種方式實現(xiàn)批量生產(chǎn)。而半導體切割技術(shù)作為晶圓復制的關(guān)鍵環(huán)節(jié),對晶圓及襯底表面質(zhì)量影響重大。目前,常見的半導體切割技術(shù)各有千秋:

線切割技術(shù):分為游離磨料多線切割和固結(jié)金剛石多線切割。前者利用多根高速運動的切割線帶動切割液中的磨料切削材料,雖可多片同時生產(chǎn),但材料損耗高達 40%,且切割液回收困難、污染環(huán)境;后者則是通過固結(jié)在切割線上的金剛石磨粒進行切割,切片效率高、污染小,卻容易損傷晶圓。

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切割原理示意圖

Smart-Cut 技術(shù):該技術(shù)通過向材料注入大劑量氫離子形成受損層,再經(jīng)晶圓鍵合、退火、拋光等步驟獲取晶圓。它能生產(chǎn)多種異質(zhì)晶圓,對晶圓損傷小、生產(chǎn)的晶圓質(zhì)量高,但對材料和實驗環(huán)境要求苛刻,生產(chǎn)穩(wěn)定性欠佳。

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智能切削流程示意圖

激光隱形切割技術(shù):利用可透射波長激光在材料內(nèi)部聚焦形成改質(zhì)層,隨后使材料分離并加工表面。其加工速度快、精度高、穩(wěn)定性好,幾乎無材料損耗,能有效解決普通激光切割的諸多問題,在大尺寸金剛石切割領(lǐng)域頗具發(fā)展?jié)摿Α?/p>

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激光隱形切割示意圖

金剛石晶圓復制技術(shù)的探索之路

目前,金剛石晶圓制備主要有基于異質(zhì)襯底的異質(zhì)外延生長和基于拼接等方法的同質(zhì)外延生長這兩種途徑。而基于同質(zhì)外延的金剛石晶圓復制技術(shù)多借助離子注入技術(shù),此外,激光隱形切割技術(shù)在金剛石復制方面也有了初步成果。這兩種復制技術(shù)有效規(guī)避了傳統(tǒng)激光切割高損耗的問題7。

離子注入剝離金剛石:1992 年,Parikh 等人首次提出金剛石剝離技術(shù),通過離子注入、退火和刻蝕等處理,成功完成了小尺寸金剛石的剝離。此后,該技術(shù)不斷改進,如調(diào)整外延生長厚度、采用電化學刻蝕等實現(xiàn)定向剝離。 離子注入時,離子在金剛石晶體中形成受損層的過程遵循射程理論。研究發(fā)現(xiàn),存在臨界劑量和缺陷密度閾值,達到這些條件,受損層才能形成可刻蝕的石墨層實現(xiàn)剝離。目前,離子注入剝離技術(shù)在大尺寸、超薄金剛石制備方面取得了一定進展,還能降低襯底表面粗糙度,實現(xiàn)襯底重復利用。但該技術(shù)需要高能離子注入,設備成本高、注入面積受限,產(chǎn)業(yè)化推廣面臨挑戰(zhàn)。

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離子注入剝離金剛石流程圖

激光剝離金剛石:原理與激光隱形切割半導體類似,利用飛秒激光在金剛石內(nèi)部形成石墨改質(zhì)層,再通過退火、電化學刻蝕等步驟實現(xiàn)剝離。近年來,飛秒激光誘導金剛石石墨化的研究逐漸興起,已有研究成功在金剛石內(nèi)部制造出石墨微結(jié)構(gòu),并實現(xiàn)了單晶金剛石的剝離。國內(nèi)北京科技大學團隊利用飛秒激光在金剛石較深位置形成受損層,有望實現(xiàn)大尺寸金剛石晶圓的剝離,該方法能避免其他工藝的復雜問題,為大尺寸金剛石復制提供了新方向。

未來展望:激光剝離技術(shù)有望成主流

綜合現(xiàn)階段半導體晶圓復制技術(shù)與金剛石復制技術(shù)的發(fā)展情況,我們可以對大尺寸金剛石晶圓復制技術(shù)的未來發(fā)展方向進行展望。

由于金剛石的超高硬度,多數(shù)常規(guī)復制技術(shù)難以適用于它,而離子注入剝離和激光剝離技術(shù)成為處理超硬材料的有效手段。但離子注入對環(huán)境要求嚴格、加工時間長,現(xiàn)階段無法實現(xiàn)高效率穩(wěn)定生產(chǎn);

激光剝離技術(shù)不僅能切割超硬的金剛石半導體材料,還具備高精度、高質(zhì)量、低損耗等優(yōu)勢。雖然目前激光剝離在金剛石領(lǐng)域尚處于起步階段,作用機制和剝離工藝有待完善,但隨著技術(shù)的不斷創(chuàng)新,它有望成為大尺寸金剛石晶圓復制的主流技術(shù),為金剛石在各個領(lǐng)域的廣泛應用提供有力支撐。

大尺寸金剛石晶圓復制技術(shù)的發(fā)展雖面臨挑戰(zhàn),但前景廣闊。隨著研究的深入和技術(shù)的突破,我們有理由相信,未來金剛石在半導體領(lǐng)域?qū)l(fā)揮更大的價值,為科技發(fā)展注入新的活力。

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原文標題:大尺寸金剛石晶圓復制技術(shù):現(xiàn)狀與未來

文章出處:【微信號:DT-Semiconductor,微信公眾號:DT半導體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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