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重慶IGBT項目即將試產(chǎn),年產(chǎn)能120萬片

半導(dǎo)體芯科技SiSC ? 來源:行家說-葉知秋 ? 作者:行家說-葉知秋 ? 2025-01-21 13:07 ? 次閱讀
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來源:行家說-葉知秋

1月17日,據(jù)“涪陵高新區(qū)綜保區(qū)”報道,重慶新陵微電子有限公司正在緊鑼密鼓地安裝設(shè)備,預(yù)計2025年二季度將實現(xiàn)整線通線,進(jìn)行試生產(chǎn)。

據(jù)介紹,新陵微電子是由寧波達(dá)新半導(dǎo)體有限公司與涪陵區(qū)新城區(qū)開發(fā)(集團(tuán))有限公司共同投資,于2022年7月成立的一家從事功率半導(dǎo)體芯片制造的高科技企業(yè),注冊資本2億元。

重慶新陵微電子在涪陵高新區(qū)投資計劃建設(shè)一條具備70微米的超薄背面工藝和正面Trench技術(shù)的6英寸車規(guī)級晶圓生產(chǎn)線。主要產(chǎn)品包括IGBTMOSFET等功率半導(dǎo)體芯片,產(chǎn)品應(yīng)用將覆蓋新能源汽車、智能電網(wǎng)、光伏儲能、風(fēng)力發(fā)電、工業(yè)應(yīng)用、白色家電等領(lǐng)域。

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據(jù)了解,目前,新陵微電子的潔凈車間裝修已基本完成;配套設(shè)施裝修已部分完工,預(yù)計一季度完成;首批7臺設(shè)備已經(jīng)成功搬入廠區(qū),設(shè)備搬入陸續(xù)進(jìn)行中。預(yù)計一季度實現(xiàn)背面工藝通線,二季度實現(xiàn)整線通線,并進(jìn)行試生產(chǎn)。預(yù)計2027年完全達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)約120萬片6寸晶圓,有助于滿足國內(nèi)對高端功率半導(dǎo)體芯片的迫切需求。

除了重慶項目外,據(jù)達(dá)新半導(dǎo)體副總經(jīng)理張海濤的最新演講,寧波達(dá)新半導(dǎo)體成立于2013年,歷經(jīng)十多年的發(fā)展,已經(jīng)從一家設(shè)計公司發(fā)展到現(xiàn)在成為一家IDM企業(yè),目前在重慶擁有一座晶圓廠,在義烏擁有一座模塊封裝廠,正在濟(jì)南建第二座晶圓廠和第二座模塊封裝廠。

張海濤表示,“我們目前的貨架產(chǎn)品都是硅基器件,而且95%以上都是硅的IGBT,目前的在途產(chǎn)品有碳化硅MOSFET產(chǎn)品。”

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審核編輯 黃宇

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