為何基本碳化硅MOSFET在充電樁電源單級(jí)拓?fù)鋵?shí)測(cè)效率高于進(jìn)口器件


單級(jí)變換模塊效率對(duì)比實(shí)測(cè) --B2M040120Z, 實(shí)測(cè)成績(jī)截圖 (客戶提供)

某充電樁電源模塊客戶采用單級(jí)變換的拓?fù)?矩陣變換器)，實(shí)測(cè)B2M040120Z與某進(jìn)口品牌40mR同封裝產(chǎn)品，對(duì)比效率

B2M040120Z的效率表現(xiàn)比該進(jìn)口品牌出色

原因是B2M040120Z的Eoff優(yōu)于對(duì)手，在軟開關(guān)拓?fù)渲校珽on被軟掉了，Eoff優(yōu)勢(shì)就表現(xiàn)出來(lái)了。


單級(jí)變換模塊效率對(duì)比實(shí)測(cè)--某40mR進(jìn)口品牌 實(shí)測(cè)成績(jī)截圖 (客戶提供)

測(cè)試結(jié)果由客戶提供，當(dāng)事人為了確認(rèn)結(jié)果可信，反復(fù)確認(rèn)各種設(shè)置，于兩個(gè)時(shí)間點(diǎn)重復(fù)同一測(cè)試，確認(rèn)測(cè)試結(jié)果一致。


充電樁電源模塊單級(jí)電源拓?fù)湓O(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了超高的轉(zhuǎn)換效率和穩(wěn)定的功率輸出。采用了單級(jí)功率因數(shù)校正技術(shù)和單級(jí)AC-DC整流技術(shù)，進(jìn)一步提升了充電樁電源模塊
的性能。

國(guó)產(chǎn)基半碳化硅MOSFET及模塊還適用于傳統(tǒng)兩級(jí)變換的充電樁電源模塊，請(qǐng)看相關(guān)解決方案：


某知名客戶的40kW充電樁電源模塊進(jìn)行測(cè)試， 原機(jī)使用的器件為C3M0040120K。國(guó)產(chǎn)B2M040120Z裝入該機(jī)型上， 測(cè)試該器件的實(shí)際效率表現(xiàn)。


統(tǒng)硅方案充電樁模塊電源中，DC/DC拓?fù)洳捎?50V硅基超結(jié)MOSFET組成兩個(gè)全橋串聯(lián)的LLC，使用1200V碳化硅MOSFET以后，系統(tǒng)可以簡(jiǎn)化為一個(gè)LLC諧振回路，器件數(shù)量大幅度減少，有利于提升系統(tǒng)可靠性。尤其是關(guān)斷損耗更小的碳化硅MOSFET，更適合充電樁電源模塊DC/DC部分的LLC/移相全橋等電路拓?fù)洹?br />
同時(shí)，1200V/40mΩ碳化硅MOSFET分立器件在風(fēng)光儲(chǔ)充、車載充電、汽車空調(diào)等領(lǐng)域的電源模塊上被廣泛應(yīng)用，規(guī)模優(yōu)勢(shì)使碳化硅MOSFET成本進(jìn)一步降低，使得用1200V碳化硅MOSFET的系統(tǒng)成本比使用650V硅基超結(jié)MOSFET的更低，產(chǎn)品更具有競(jìng)爭(zhēng)力。

此外，大功率（50kW~60kW）的充電模塊功率密度高，體積有限，如果采用分立器件，并聯(lián)數(shù)量會(huì)很多，給均流、安裝和散熱帶來(lái)了非常高的挑戰(zhàn)，而采用碳化硅 MOSFET模塊方案，則可以很好地解決上述問題。

基本半導(dǎo)體PcoreTM2 E2B 全碳化硅半橋MOSFET模塊BMF240R120E2G3基于高性能晶圓平臺(tái)設(shè)計(jì)，在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗、抗誤導(dǎo)通、可靠性等方面表現(xiàn)出色。高溫(Tvj=150℃)下的RDS(on)參數(shù)僅比常溫(Tvj=25℃)時(shí)增加1.4倍左右。產(chǎn)品內(nèi)置碳化硅肖特基二極管，使得續(xù)流二極管基本沒有反向恢復(fù)行為，大幅降低模塊的開通損耗。產(chǎn)品還引入氮化硅(Si3N4)AMB陶瓷基板及高溫焊料，可改善長(zhǎng)期高溫度沖擊循環(huán)的CTE失配，陶瓷板的可靠性大幅提升。

審核編輯 黃宇