微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）作為現(xiàn)代科技的核心領(lǐng)域之一，近年來因其廣泛的應(yīng)用而備受關(guān)注。從智能手機(jī)的傳感器到汽車的安全系統(tǒng)，MEMS器件的精度和尺寸不斷成為突破的關(guān)鍵。在這一背景下，博世開發(fā)的深反應(yīng)離子刻蝕工藝（DRIE工藝），也被稱為“博世工藝”，成為MEMS制造領(lǐng)域的里程碑。這一工藝進(jìn)一步夯實了博世作為MEMS市場領(lǐng)導(dǎo)者的地位。

01博世工藝的誕生

20世紀(jì)90年代，為進(jìn)一步縮小MEMS器件的尺寸，表面微加工技術(shù)應(yīng)運而生。在這一技術(shù)中，機(jī)械活動層被沉積在覆蓋有犧牲層的硅晶圓上。隨后，通過高精度機(jī)械加工對材料進(jìn)行結(jié)構(gòu)化，這一技術(shù)大大提高了MEMS器件的制造精度。然而，實現(xiàn)這一突破的核心在于博世開發(fā)的DRIE工藝。

DRIE工藝是一種深反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)，能夠以高刻蝕速率在硅晶圓上加工出具有高度垂直壁面的溝槽?？涛g完成后，犧牲層被移除，釋放出具有機(jī)械功能的結(jié)構(gòu)。為了確保這些結(jié)構(gòu)的可靠性，它們通常通過粘合第二片硅晶圓作為保護(hù)蓋或通過沉積薄膜封裝層來隔絕顆粒和環(huán)境的影響。

這一技術(shù)不僅在功能上實現(xiàn)了突破，還通過許可協(xié)議對全球MEMS制造商開放，甚至包括博世的競爭對手。正是由于這一開放性及其對行業(yè)的巨大貢獻(xiàn)，博世科學(xué)家在2007年榮獲了歐洲發(fā)明獎。如今，全球范圍內(nèi)的科學(xué)家和工程師都將這一革命性技術(shù)稱為“博世工藝”。

Andrea Urban及Franz L?rmer，“博世工藝”的發(fā)明者，并榮獲2007年歐洲年度發(fā)明家獎。

02博世工藝的技術(shù)特點

博世工藝以其高效的刻蝕能力和出色的機(jī)械精度聞名。它的主要特點包括：

高刻蝕速率

能夠快速加工深度較大的硅溝槽。

高度垂直的側(cè)壁

確保MEMS結(jié)構(gòu)的機(jī)械穩(wěn)定性和精度。

高可靠性

通過封裝技術(shù)保護(hù)機(jī)械結(jié)構(gòu)，延長使用壽命。

這一工藝的普及使MEMS器件在小型化、高精度和低成本制造方面取得了重大進(jìn)展，為各種應(yīng)用場景提供了技術(shù)支持。

03持續(xù)創(chuàng)新：從“博世工藝”到“APSM工藝”

作為MEMS制造領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，博世并未止步于博世工藝的成功，而是持續(xù)進(jìn)行技術(shù)創(chuàng)新。近年來，博世開發(fā)了先進(jìn)多孔硅膜工藝（APSM），進(jìn)一步推動了MEMS制造的前沿發(fā)展。

APSM工藝旨在制造單晶硅膜片，用于壓力傳感器的高精度應(yīng)用。此前，大多數(shù)單晶硅膜片通過各向異性刻蝕結(jié)合電化學(xué)刻蝕停止技術(shù)生產(chǎn)，而APSM工藝則通過以下步驟實現(xiàn)：

01在濃氫氟酸（HF）中對多孔硅進(jìn)行陽極刻蝕。

02在超過400攝氏度的非氧化環(huán)境中對多孔硅進(jìn)行燒結(jié)。

03利用燒結(jié)后的多孔硅作為單晶種層進(jìn)行外延生長。

這一創(chuàng)新工藝實現(xiàn)了與CMOS完全兼容的高質(zhì)量單晶硅膜片生產(chǎn)，進(jìn)一步提高了MEMS器件的性能和制造效率。

從博世工藝到APSM工藝，博世以其卓越的研發(fā)能力和持續(xù)的技術(shù)創(chuàng)新，推動了MEMS制造技術(shù)的發(fā)展。博世工藝的成功不僅為MEMS器件的小型化和高精度奠定了基礎(chǔ)，也展示了博世在開放合作和技術(shù)共享方面的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)力。在未來，博世仍將致力于在MEMS制造領(lǐng)域開拓更多可能性，為現(xiàn)代科技的發(fā)展貢獻(xiàn)更多智慧。