CMOS 工藝技術(shù)平臺(tái)的方塊電阻的測試結(jié)構(gòu)是NW方塊電阻、PW方塊電阻、Poly 方塊電阻、AA 方塊電阻和金屬方塊電阻，它們的版圖尺寸是依據(jù)工藝技術(shù)平臺(tái)的設(shè)計(jì)規(guī)則設(shè)計(jì)的。

目前半導(dǎo)體業(yè)界通用的方塊電阻的測試方法有三種：一種是電阻條圖形；一種是范德堡圖形；一種是開爾文圖形。本書僅僅以電阻條圖形測量方法為例去介紹方塊電阻的測試原理和方法。

方塊電阻是電路設(shè)計(jì)的重要組成部分，方塊電阻的準(zhǔn)確性嚴(yán)重影響電路的性能，所以方塊電阻在整個(gè)工藝流程里也是非常關(guān)鍵，芯片代工廠通過 WAT參數(shù)方塊電阻 Rs監(jiān)測它們。

圖5-30所示為NW方塊電阻的版圖，圖5-31所示為它的剖面圖，圖5-32所示為它的電路連接圖。NW方塊電阻是三端器件，它的三個(gè)端口分別是電阻的兩端和襯底（P-sub），它們分別連到 PAD_N1、PAD_N2 和 PAD_B,WAT測試機(jī)器通過這三個(gè)端口把電壓激勵(lì)信號(hào)加載在電阻的兩端和襯底，從而測得所需的電性特性參數(shù)數(shù)據(jù)。

NW方塊電阻的 WAT參數(shù)是Rs_NW。

圖5-33所示為測量Rs_NW的示意圖。測量NW方塊電阻Rs_NW的基本原理是在電阻的一端加載DC電壓1V，另一端和襯底接地，從而測得電流In ，Rs_NW=（1/In）/（L/W），W和L分別是 NW方塊電阻的寬度和長度。

影響方塊電阻 Rs_NW的因素包括以下兩方面：

1） NW離子注入異常；

2）離子注入損傷在退火過程中沒有激活。