250B 測(cè)試儀采用的是∏網(wǎng)絡(luò)測(cè)試系統(tǒng)，測(cè)試精度高，所測(cè)頻率范圍寬，已成為石英晶體行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)試系統(tǒng)，其能測(cè)試的參數(shù)也比較多，每一個(gè)參數(shù)代表著不同的含義，下面對(duì)每個(gè)參數(shù)作出解釋，供相關(guān)人員參考。

1 、 Bin ：測(cè)試時(shí)給晶體選定槽位。

2 、 BT ：石英頻率片厚度。單位用 mm 表示。

3 、 C0 ：靜態(tài)電容。對(duì)同一頻率點(diǎn)來(lái)說(shuō)其值大小與電極尺寸設(shè)計(jì)有關(guān)，成正比關(guān)系，單位用 PF 表示。

4 、 C0/C1 ：動(dòng)態(tài)電容與靜態(tài)電容之比。

5 、 C1 ：動(dòng)態(tài)電容。影響因素與靜態(tài)電容相似。單位用 fF 表示。

6 、 CL ：相對(duì)于指定頻率的負(fù)載電容，單位用 PF 表示。同一支晶體設(shè)置的負(fù)載電容不同測(cè)試的頻率也不一樣，在制作或使用時(shí)必須指定負(fù)載電容。

7 、 DATE ：測(cè)試時(shí)的日期。

8 、 DFL ：頻率拉牽，即在兩個(gè)指定負(fù)載電容范圍內(nèi)頻率差值。單位一般用 PPM 表示。

9 、DLD1：MaxR/RR 在指定激勵(lì)功率范圍內(nèi)，測(cè)得的最大電阻與正常諧振電阻之比（有特殊定義）。

10、DLD2： MaxR-MinR 在指定激勵(lì)功率范圍內(nèi)，測(cè)得的最大電阻與最小電阻之間的差值。單位用Ω表示。

11、DLD3： FirstR-LastR在指定激勵(lì)功率范圍內(nèi)，第一個(gè)設(shè)定功率與最后一個(gè)設(shè)定功率測(cè)試的電阻差值，單位用Ω表示。

12、DLD4： MaxR/RR在指定激勵(lì)功率范圍內(nèi)，測(cè)得的最大阻抗與正常諧振電阻之比。

13、DLD5： FirstR/LastR在指定激勵(lì)功率范圍內(nèi)，第一個(gè)設(shè)定功率與最后一個(gè)設(shè)定功率測(cè)試的電阻之比(有特殊定義)。

14、DLD6： MaxR/MinR在指定激勵(lì)功率范圍內(nèi)，測(cè)得的最大阻抗與最小阻抗之比(有特殊定義)。

15、DLD7： ((MaxR-MinR)/MaxR)*100在指定激勵(lì)功率范圍內(nèi)，最大阻抗與最小阻抗的差值與最大阻抗相比的百分比。

16、DLDH： DLD Hysteresis MaxR/MinR在指定激勵(lì)功率范圍內(nèi)，磁滯現(xiàn)象最大阻抗與最小阻抗之比。

17、DLDHP：在指定激勵(lì)功率范圍內(nèi)，磁滯現(xiàn)象最大阻抗功率與最小阻抗功率之比。

18、DLDH2：在指定激勵(lì)功率范圍內(nèi)，磁滯現(xiàn)象最大阻抗與最小阻抗之差值。單位用Ω表示。

19、DLDH2P：在指定激勵(lì)功率范圍內(nèi)，磁滯現(xiàn)象最大阻抗功率與最小阻抗功率之差值。單位用μW表示。

20、DLDF：在指定激勵(lì)功率范圍內(nèi)，在指定某一激勵(lì)功率時(shí)的頻率。單位用PPM表示。

21、DLDP：在指定激勵(lì)功率范圍內(nèi)，在指定某一激勵(lì)功率的功率輸出，單位用μW表示。

22、DLDR：在指定激勵(lì)功率范圍內(nèi)，在指定某一激勵(lì)功率時(shí)的阻抗，單位用Ω表示。

23、FC： 串聯(lián)諧振頻率FR除以一指定數(shù)。

24、FDIF： FR-RAWFR or FL-RAWFR (based on first test)，串聯(lián)諧振頻率FR或負(fù)載頻率FL與顯示的校準(zhǔn)頻率之間的差值，單位用PPM表示。

25、FDLD： MaxFR-MinFR在指定激勵(lì)功率范圍內(nèi)，最大與最小FR之差值。單位用PPM表示。

26、FDLDH： DLD Hysteresis MaxFR-MinFR在指定激勵(lì)功率范圍內(nèi)，磁滯現(xiàn)象最大與最小串聯(lián)諧振頻率FR之差值。單位用PPM表示。

27、FFM： Frequency near specified frequency 參考頻率與實(shí)際頻率之差值

28、FL： FL@CL(Load frequency) 在某一指定負(fù)載電容下的諧振頻率，單位用PPM表示。

29、FLR： FL @CL-FR 指定負(fù)載電容條件下的頻率與串聯(lián)諧振頻率之差值，單位用PPM表示。

30、FR：串聯(lián)諧振頻率(晶體本身的諧振頻率)。單位用PPM表示。

31、FRM：指特定諧振頻率下的阻抗值。單位用Ω表示。

32、FRR： FRM/RR指特定諧振頻率下的阻抗值與一般功率下諧振電阻之比。

33、I：石英晶體在諧振時(shí),流過(guò)晶體的電流值。單位用μA表示。

34、L：動(dòng)態(tài)電感，單位用mH表示。

35、LFR：Last FR在指定激勵(lì)功率范圍內(nèi)，最后一個(gè)功率量測(cè)時(shí)的FR值。單位用PPM表示。

36、LRR： Last R 在指定激勵(lì)功率范圍內(nèi)，最后一個(gè)功率量測(cè)時(shí)的RR值。單位用Ω表示。

37、OT：泛音。

38、PWR：石英晶體在諧振時(shí)，流過(guò)晶體的功率，單位用mW表示。

39、Q：品質(zhì)因子，單位用K表示。

40、RAWF：未經(jīng)修正的諧振頻率。

41、REFCL：在參考頻率下的負(fù)載電容值。單位用PF表示。

42、REFFR：參考串聯(lián)諧振頻率。

43、RFOUT：RF的輸出準(zhǔn)位

44、RL：在負(fù)載諧振頻率點(diǎn)晶體的阻抗。

45、RLD：DLD MaxR-RR在指定激勵(lì)功率范圍內(nèi)，最大的電阻值與一般功率量測(cè)時(shí)電阻值的差值。單位用Ω表示。

46、RLD2： DLD MaxR在指定激勵(lì)功率范圍內(nèi)，最大電阻值。

47、RLD3： DLD MinR在指定激勵(lì)功率范圍內(nèi)，最小電阻值。

48、RPP：兩引線間的電阻值。

49、RR：諧振電阻。單位用Ω表示。

50、SP50：在指定頻率范圍內(nèi)，用50Ω測(cè)試座量測(cè)時(shí)，寄生振蕩相較于主振點(diǎn)之間振幅差值，單位用dB表示。

51、SPDB：在指定頻率范圍內(nèi)，用12.5Ω測(cè)試座量測(cè)時(shí),寄生振蕩相較于主振點(diǎn)之間振幅差值，單位用dB表示。

52、SPFL：在指定頻率范圍內(nèi)，負(fù)載寄生振蕩頻率。單位用PPM表示。

53、SPFR：在指定頻率范圍內(nèi)，寄生振蕩頻率。單位用PPM表示。

54、SPRL：在指定頻率范圍內(nèi)，最大負(fù)載諧振頻率寄生電阻。單位用Ω表示。

55、SPRR: SpurR/RR在指定頻率范圍內(nèi)，掃瞄出的寄生振蕩與主振蕩之間的電阻比。

56、SPUR： 在指定頻率范圍內(nèi)，量測(cè)出的最小寄生振蕩電阻。單位用Ω表示。

57、SSDB： 在指定頻率范圍內(nèi)，寄生振蕩瞬間最大峰與主振點(diǎn)峰值之差。

58、SSDLF：Spur Sweep raw frequency of the local max for SSDLT

59、SSDLT：Spur Sweep maximum of ( local max – local min )

60、SSF：在指定頻率范圍內(nèi)，寄生振蕩最大瞬間之未經(jīng)修正的諧振頻率。

61、Status：石英晶體測(cè)試判定結(jié)果。

62、TC：晶體之時(shí)間常數(shù)

63、TIME：晶體測(cè)量當(dāng)時(shí)之時(shí)間。

64、TS：負(fù)載電容每變化1PF時(shí)，負(fù)載頻率的變化量。單位用PPM/PF表示。