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英飛凌發(fā)布全球最薄硅功率晶圓,引領(lǐng)功率半導(dǎo)體市場新變革

要長高 ? 2024-11-05 13:44 ? 次閱讀
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近日,半導(dǎo)體巨頭英飛凌宣布成功推出全球最薄的硅功率晶圓,標(biāo)志著其成為首家掌握20微米超薄功率半導(dǎo)體晶圓處理和加工技術(shù)的企業(yè)。

英飛凌科技電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部總裁Adam White指出,隨著AI數(shù)據(jù)中心能源需求的急劇增長,能效已成為行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵。這一趨勢為英飛凌帶來了前所未有的發(fā)展機(jī)遇,并預(yù)計(jì)其AI業(yè)務(wù)收入將在未來兩年內(nèi)突破10億歐元大關(guān)。

這款超薄晶圓的直徑為30毫米,厚度僅為20微米,相當(dāng)于頭發(fā)絲的四分之一,比當(dāng)前最先進(jìn)的40-60微米晶圓厚度減少了一半。這一突破性的技術(shù)不僅展現(xiàn)了英飛凌在半導(dǎo)體領(lǐng)域的創(chuàng)新能力,同時(shí)也為行業(yè)帶來了新的挑戰(zhàn),如傳統(tǒng)工藝的兼容性、晶圓翹曲等問題。

然而,超薄晶圓的優(yōu)勢顯而易見。與傳統(tǒng)硅晶圓相比,該技術(shù)不僅將晶圓厚度減半,還使得基板電阻降低了50%,功率系統(tǒng)中的功率損耗減少了15%以上。對于高端AI服務(wù)器應(yīng)用而言,這一技術(shù)尤為重要,因?yàn)樗軌蝻@著降低電壓,從而滿足功率轉(zhuǎn)換的更高需求。

目前,英飛凌已將這款超薄晶圓技術(shù)應(yīng)用于其集成智能功率級(直流-直流轉(zhuǎn)換器)中,并成功交付給首批客戶。英飛凌表示,這項(xiàng)創(chuàng)新將大幅提升功率轉(zhuǎn)換解決方案的能效、功率密度和可靠性,適用于AI數(shù)據(jù)中心、消費(fèi)電子電機(jī)控制和計(jì)算應(yīng)用等多個(gè)領(lǐng)域。

此外,英飛凌在半導(dǎo)體材料方面也積極布局,擁有全面的產(chǎn)品和技術(shù)組合,包括基于硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)的器件。英飛凌不僅致力于推動(dòng)硅材料的發(fā)展,還在積極推進(jìn)SiC和GaN等新型半導(dǎo)體材料的技術(shù)進(jìn)步。

在全球功率半導(dǎo)體市場格局中,英飛凌憑借其領(lǐng)先的技術(shù)和市場份額占據(jù)了一席之地。此次超薄晶圓技術(shù)的推出,有望進(jìn)一步鞏固英飛凌在全球市場的領(lǐng)先地位,并推動(dòng)同行加快技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品升級的步伐。

隨著科技行業(yè)的快速發(fā)展,市場對低能耗、小尺寸、超薄化芯片的需求不斷增長,超薄晶圓技術(shù)正逐漸成為行業(yè)發(fā)展的新趨勢。英飛凌預(yù)測,在未來三至四年內(nèi),傳統(tǒng)晶圓技術(shù)將逐步被超薄晶圓技術(shù)所取代,特別是在低壓功率轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域。

對于全球半導(dǎo)體行業(yè)而言,超薄晶圓技術(shù)的發(fā)展不僅推動(dòng)了技術(shù)進(jìn)步和市場格局的變化,還對供應(yīng)鏈、制造工藝以及市場需求產(chǎn)生了深遠(yuǎn)影響。這一技術(shù)的廣泛應(yīng)用將進(jìn)一步促進(jìn)低碳化和數(shù)字化的進(jìn)程,為半導(dǎo)體行業(yè)的未來發(fā)展注入新的活力。

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