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      Vishay漏極至源極耐壓MOSFET SiRA60DDP-T1-UE3 / SiR626ADP-T1-RE3

      力源信息 ? 2024-10-25 16:08 ? 次閱讀
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      Vishay TrenchFET第四代MOSFET是新一代TrenchFET系列功率MOSFET，具有業(yè)內超低導通電阻RDS(on)的特性，進一步降低了導通損耗以及功耗。并擁有低柵極總電荷的特性。采用PowerPAK SO-8封裝，能以三分之一的尺寸實現(xiàn)相近的效率。應用于大功率DC/DC轉換器、同步整流器、太陽能微型逆變器以及電機驅動開關。

      596a2f18-92a8-11ef-8084-92fbcf53809c.png

      應用框圖

      5979dec2-92a8-11ef-8084-92fbcf53809c.jpg

      596a2f18-92a8-11ef-8084-92fbcf53809c.png

      特性

      源漏極導通電阻RDS(on): 0.00090Ω/ 0.00175Ω

      柵極電荷典型值Qg (Typ.): 39.1nC/ 42.5nC

      持續(xù)源漏極導通電流(TC=25°C): 241A/ 165A

      100%通過Rg和UIS測試

      材料兼容Pb-free RoHS標準

      596a2f18-92a8-11ef-8084-92fbcf53809c.png

      應用領域

      同步整流

      初級側開關

      DC/DC轉換器

      太陽能微型逆變器

      電機驅動開關

      電池和負載開關

      聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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