法國(guó)格勒諾布爾的一家半導(dǎo)體知識(shí)產(chǎn)權(quán)創(chuàng)業(yè)公司發(fā)布了為以電池供電的物聯(lián)網(wǎng)（IoT）和可穿戴設(shè)備為目標(biāo)市場(chǎng)的基于磁阻RAM（MRAM）的微控制器。

這家名為eVaderis的新創(chuàng)公司提供與CMOS兼容的基于非易失性存儲(chǔ)器的IP產(chǎn)品，例如存儲(chǔ)器模塊，邏輯單元以及存儲(chǔ)器和處理器子系統(tǒng)。該公司表示，該公司已成功展示了Beyond Semiconductor BA2x產(chǎn)品線中一款超低功耗MCU的全功能設(shè)計(jì)平臺(tái)，包括軟件，系統(tǒng)和存儲(chǔ)器IP。

eVaderis公司副總裁兼技術(shù)與市場(chǎng)部門負(fù)責(zé)人Virgile Javerliac在接受EETimes采訪時(shí)表示，這次流片式演示將展示eVaderis公司“在低功耗數(shù)字設(shè)備上的非易失性嵌入式IP設(shè)計(jì)和工藝流程的效益”。

“我們不是在開發(fā)MRAM技術(shù)本身，而是在開發(fā)基于MRAM技術(shù)的架構(gòu)，”他說。

而MRAM生態(tài)系統(tǒng)中的其他人則提供“基于MRAM的自定義或模擬宏”，而JaVaLiIs則表示，eVaderis采取了“提供IP和MRAM編譯器的數(shù)字方法”。該公司與GlobalFoundries建立了知識(shí)產(chǎn)權(quán)合作關(guān)系，計(jì)劃將半導(dǎo)體制造商的基礎(chǔ)知識(shí)產(chǎn)權(quán)授權(quán)給40納米以下的芯片。

Beyond半導(dǎo)體公司首席執(zhí)行官M(fèi)atjaz Breskvar指出，該演示的目標(biāo)是功耗，這對(duì)任何電池供電設(shè)備來說仍是一個(gè)關(guān)鍵的挑戰(zhàn)。“自該公司成立以來，我們一直與eVaderis合作，共同實(shí)現(xiàn)電池供電，永遠(yuǎn)在線的設(shè)備，實(shí)現(xiàn)前所未有的節(jié)能效果?！?/p>

該公司表示，MCU采用了研發(fā)機(jī)構(gòu)IMEC的垂直自旋轉(zhuǎn)矩MRAM技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了高速讀/寫和低電壓的非易失性操作。該器件采用GlobalFoundries的40納米低功耗CMOS工藝進(jìn)行設(shè)計(jì)。

該架構(gòu)提供3 Mbits的片上存儲(chǔ)器，完全分布在系統(tǒng)中，用于工作存儲(chǔ)器、配置、狀態(tài)保持、代碼執(zhí)行和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)等功能。根據(jù)eVaderis，初創(chuàng)公司的內(nèi)存IP架構(gòu)對(duì)編譯器友好，可幫助芯片制造商縮短上市時(shí)間。

由于MRAM使用磁性電荷來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，所以當(dāng)電源關(guān)閉時(shí)，它將保留數(shù)據(jù)，并且只需要少量的電力即可存儲(chǔ)數(shù)據(jù)位。相比之下，SRAM和DRAM使用電荷來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。由于MRAM使用磁場(chǎng)而不是電路來寫入和存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，因此MRAM還需要比其他存儲(chǔ)器存儲(chǔ)系統(tǒng)更少的功率。

eVaderis嵌入式MRAM技術(shù)因此允許MCU在系統(tǒng)和軟件級(jí)別實(shí)現(xiàn)功耗，性能和功能增益，包括節(jié)能，非易失性檢查點(diǎn)設(shè)置或常開/瞬時(shí)開啟操作，具有接近零延遲的啟動(dòng)，根據(jù)公司。

意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）的工程師和法國(guó)的替代能源和原子能委員會(huì)CEA于2014年成立了eVaderis。去年加入GlobalFoundries FDXcelerator合作伙伴計(jì)劃，提供與GlobalFoundries的22FDX技術(shù)兼容的可擴(kuò)展的先進(jìn)存儲(chǔ)器IP。