電子發(fā)燒友網報道（文/黃晶晶）武漢新芯集成電路股份有限公司（簡稱：“新芯股份”）日前遞交招股書，準備在科創(chuàng)板上市。新芯股份成立于2006年，是國內領先的半導體特色工藝晶圓代工企業(yè)，聚焦于特色存儲、數(shù)模混合和三維集成等業(yè)務領域，可提供基于多種技術節(jié)點、不同工藝平臺的各類半導體產品晶圓代工。

根據(jù)新芯股份招股書，截至本招股說明書簽署日，長控集團直接持有發(fā)行人 68.19%的股份，系發(fā)行人的控股股東。長控集團的股權結構較為分散，結合長控集團的歷史沿革、公司章程、董事高管提名及任命情況、股東會和董事會對重大事項的表決結果、內部治理結構及日常經營管理決策，長控集團不存在實際控制人，因此發(fā)行人不存在實際控制人。

長控集團指長江存儲科技控股有限責任公司，以下是其股東構成情況。

武漢新芯董事長為YANG SIMON SHI-NING（楊士寧）先生，1959 年出生，美國國籍，擁有中國永久居留權，美國倫斯勒理工學院物理學碩士、材料工程學博士。 YANG SIMON SHI-NING 先生 1987年至2010年先后任職于英特爾公司、中芯國際、CiWest 公司、特許（格芯）半導體公司；2010年2月至2011年9月任中芯國際首席營運長官；2013年1月至2016年10 月任新芯有限首席執(zhí)行官；2016年7月至2022年9月任長江存儲首席執(zhí)行官；2022年12月至今任長控集團副董事長、發(fā)行人董事長。

NOR Flash市場規(guī)模

NOR Flash 是一種非易失性存儲芯片，具有讀取速度快、可靠性強、可芯片內執(zhí)行（XIP）等特點，在中低容量應用以及需要用低功耗完成內部指令執(zhí)行、系統(tǒng)數(shù)據(jù)交換等功能的產品上具備性能和成本上的優(yōu)勢，因此廣泛應用于計算機、 消費電子（智能家居、TWS 耳機、穿戴式設備、路由器、機頂盒等）、汽車電子 （高級駕駛輔助系統(tǒng)、車窗控制、儀表盤）、工業(yè)控制（智能電表、機械控制）、 物聯(lián)網設備等領域。

根據(jù) TechInsights 預測，NOR Flash總體市場規(guī)模將在未來5年持續(xù)增長， 2024 年全球 NOR Flash 市場規(guī)模將達到 26.99 億美元，同比增長19.74%， 2023-2028 年的年均復合增長率為 9.17%。

NOR Flash 被廣泛應用于計算機、消費電子、汽車電子、工業(yè)控制、物聯(lián)網設備等領域。

消費電子領域，近幾年來，可穿戴式設備大幅提升了市場對NOR Flash的需求量，特別是在無線藍牙耳機產品上出現(xiàn)了爆發(fā)式增長。未來，各類智能化解決方案也將推動大容量（>1GB）NOR Flash 需求進一步提升。

汽車電子市場，隨著汽車領域智能化發(fā)展的大趨勢，高級駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）對 NOR Flash的需求量將進一步提升。

工業(yè)控制上，“工業(yè) 4.0”概念提出的自動化概念將進一步推動 NOR Flash 在工業(yè)領域的應用。

新芯股份是中國大陸規(guī)模最大的NOR Flash制造廠商，近十余年來持續(xù)深耕NOR Flash領域。截至2024 年3月底，公司12英寸NOR Flash 晶圓累計出貨量已經超過130萬片。

NOR Flash制造工藝

目前，NOR Flash主要包括基于浮柵技術的 ETOX 型和基于電荷俘獲技術的 SONOS 型兩類主流基礎工藝結構。

ETOX型NOR Flash工藝結構方面，新芯股份技術節(jié)點涵蓋65nm到50nm，其中自主研發(fā)的50nm 技術平臺具有業(yè)內領先的存儲密度。公司“代碼型閃存芯片成套核心技術研發(fā)及其產業(yè)化”項目曾獲得湖北省科技進步一等獎。報告期內，公司與客戶二、客戶三等行業(yè)頭部客戶保持穩(wěn)定合作關系，為客戶提供各技術節(jié)點下各類ETOX 型 NOR Flash 晶圓代工。

公司自有品牌 NOR Flash產品采用ETOX 型工藝結構，擦寫速度與耐受性、數(shù)據(jù)保持等可靠性與特性指標業(yè)內領先。報告期內，公司主要以經銷模式銷售NOR Flash產品，與行業(yè)頭部電子元器件分銷商形成了穩(wěn)定合作關系，主要應用于消費電子、計算機、工業(yè)控制等領域。

SONOS型NOR Flash工藝結構方面，公司系客戶一代碼型閃存（產品 A）全球唯一晶圓代工供應商。產品A主要應用于汽車電子、工業(yè)控制領域。

公司在特色存儲領域亦提供MCU產品的晶圓代工。MCU又稱單片微型計算機，系將CPU的頻率與規(guī)格做適當縮減，并將 Flash、ADC、計數(shù)器等模塊集成到同一顆芯片，從而為不同的應用場合提供組合控制。

公司擁有業(yè)內領先的55nm ESF3 架構1MCU工藝，其中超低功耗MCU平臺已穩(wěn)定量產、高性能 MCU平臺已完成研發(fā)。報告期內，公司 MCU 領域客戶主要包括恒爍股份等，所代工 MCU 產品應用場景由消費電子逐步推進至工業(yè)控制及汽車電子領域。

新芯股份主營業(yè)務情況

新芯股份主營業(yè)務按照工藝平臺可劃分為特色存儲、數(shù)?；旌?、三維集成及其他領域。報告期內，公司特色存儲工藝平臺實現(xiàn)的收入分別為 217,755.45 萬元、244,965.03 萬元、257,026.62 萬元和 59,148.63 萬元，占比分別為 74.32%、73.47%、 67.71%和 64.84%。公司在特色存儲領域主要提供 NOR Flash、MCU 等產品的晶圓代工，此外，還經營自有品牌 NOR Flash 產品。

報告期內，公司數(shù)模混合工藝平臺實現(xiàn)的收入分別為 57,271.20萬元、 67,142.22萬元、76,898.96萬元和26,328.63萬元，占比分別為19.55%、20.14%、20.26%和28.86%。數(shù)?；旌鲜枪局攸c發(fā)展方向，主要提供 CIS、RF-SOI 等產品晶圓代工。公司結合客戶需求逐漸將產品與技術向高端CIS領域延拓，同時RF-SOI的需求量及供應量也逐步增加。

報告期內，公司三維集成工藝平臺實現(xiàn)的收入分別為15,828.22 萬元、21,116.78萬元、17,225.98 萬元和 5,749.17 萬元，占比分別為 5.40%、6.33%、4.54%和6.30%。三維集成亦是公司未來重點發(fā)展的方向。根據(jù)Yole統(tǒng)計，預計2023-2028 年，全球三維集成技術制造市場規(guī)模年均復合增長率約34.45%，公司將持續(xù)深耕該平臺技術創(chuàng)新及市場開拓，助力公司營業(yè)收入穩(wěn)步增長。

在特色存儲領域，公司在NOR Flash產品代工領域持續(xù)深耕超過16年，是中國大陸規(guī)模最大的NOR Flash 制造廠商，技術實力位居全球前列。在數(shù)?；旌项I域，公司的RF-SOI工藝擁有自主可控的完整知識產權，已完成55nm技術節(jié)點的量產與研發(fā)，并涵蓋多種類產品。在三維集成領域，公司成功建成了國際領先的晶圓級三維集成技術平臺，取得了核心技術和關鍵產品的突破。

截至 2024年3月31 日，公司共有員工 1,916 人，其中研發(fā)人員330人，占比達到17.22%。團隊將國際先進半導體制造理念與公司特色相結合，持續(xù)推動公司進一步提升技術實力。

募資48億元，發(fā)力三維集成等

新芯股份計劃募資48億元，其中43億元用于12英寸集成電路制造生產線三期項目，5億元用于特色技術迭代及研發(fā)配套項目。
公司 12 英寸集成電路制造生產線三期項目計劃建設一條規(guī)劃產能5.0萬片/ 月的12英寸特色工藝晶圓生產線，其中三維集成業(yè)務（雙晶圓堆疊、多晶圓堆疊、芯片-晶圓異構集成、2.5D 以及配套邏輯）相關產能合計 4.0 萬片/月，RF-SOI 產能 1.0萬片/月，實施主體為發(fā)行人。

隨著摩爾定律不斷進步，集成電路產品最小線寬已接近極限，通過進一步縮小工藝節(jié)點以更好滿足算力、速度、功耗、面積方面的需求越發(fā)困難，晶圓級三維集成技術已成為實現(xiàn)“超越摩爾”的重要途徑。

晶圓級三維集成技術系指在垂直方向上將載片或功能晶圓堆疊，或將芯片與晶圓進行堆疊，并在各層之間通過硅通孔、混合鍵合等工藝技術實現(xiàn)直接的電氣互連。通過晶圓級三維集成，可繞開單片晶圓單一制程節(jié)點限制，將使用最優(yōu)制程節(jié)點的各功能晶圓進行集成，并有效提高單位面積功能密度。與引線鍵合（Wire Bonding）、倒裝鍵合（Flip Chip）等封裝方式相比，晶圓級三維集成技術提供更 高的芯片間互聯(lián)密度、更短芯片間互連長度，可以更好降低延時、增加傳輸帶寬，滿足低功耗、小尺寸等要求。

公司具有國際領先的晶圓級三維集成技術。報告期內，公司三維集成業(yè)務主要系按照工藝架構進行劃分，已成功構建雙晶圓堆疊、多晶圓堆疊、芯片-晶圓異構集成和 2.5D（硅轉接板 Interposer）四大工藝平臺，應用于三維集成領域各類產品的晶圓代工。

雙晶圓堆疊平臺：該平臺將兩片晶圓的介質層與金屬層通過低溫直接鍵合的方式形成金屬互連，在有效減小芯片面積的同時大量增加 I/O 數(shù)量，達到增加傳輸帶寬、降低延時及系統(tǒng)功耗的優(yōu)點，目前支持業(yè)界最小的混合鍵合連接孔距（HB pitch）。

多晶圓堆疊平臺：該平臺通過無凸點（Bumpless）工藝實現(xiàn)多片晶圓的銅-銅直接、超高密度互連，其互連尺寸遠小于微凸塊封裝等方式，可顯著提升傳輸帶寬，且對散熱更加友好、有利于降低功耗。

芯片-晶圓異構集成平臺：該平臺可實現(xiàn)不同尺寸、不同材料、不同功能的芯片-晶圓間直接鍵合，極大提升系統(tǒng)集成的靈活自由度，公司建成了中國大陸首條完全自主可控的三維異構集成工藝產線，正與產業(yè)鏈上下游企業(yè)深度合作進行產品驗證。

2.5D（硅轉接板 Interposer）平臺：該平臺提供具有靈活的多光罩超大尺寸拼接、超高密度深溝槽電容、多層金屬重布線層等技術優(yōu)勢的硅轉接板，可與 2.5D 封裝工藝相結合，為集成系統(tǒng)提供亞微米級精度銅互連，顯著減小系統(tǒng)延遲、插損及功耗等，目前已經規(guī)模量產。

新芯股份表示，三維集成領域是公司未來發(fā)展的重點方向，也是公司 12 英寸集成電路制造生產線三期項目的主要組成部分。公司致力于成為三維時代半導體先進制造引領者，預計未來三維集成業(yè)務占比將逐步提升。