紫光集團董事長趙偉國近來心情極好，逢人就笑開懷，更在央視《對話》節(jié)目和烏鎮(zhèn)互聯(lián)網(wǎng)大會的全球數(shù)字經(jīng)濟論壇上暢談打造中國“芯”的夢想。

圖丨烏鎮(zhèn)互聯(lián)網(wǎng)大會的全球數(shù)字經(jīng)濟論壇上的趙偉國

能讓趙偉國這么開心，正是因為近期紫光旗下的長江存儲成功研發(fā) 32 層 64G 的 3D NAND 芯片，搶下中國存儲自制芯片的第一名，對于實現(xiàn)打破國際大廠壟斷局面的目標，跨出關鍵性一大步！

圖丨長江存儲 32層64G的3DNAND芯片

不可否認的是，當前中國半導體的艱難局面來自于：中國身為全球最大的半導體市場，但卻必須高度依賴進口，以需求量最大的 DRAM 和 NAND Flash 芯片為例，9 成以上都依靠國際大廠。而要打破這樣的局面，DT 君認為，關鍵就在 2019 年！

2019 年，中國三大存儲陣營的技術開發(fā)成果將見真章，包括長江存儲的下一代的 64 層 3D NAND 芯片、聯(lián)電扶植的福建晉華集成的 2x 納米技術，以及合肥睿力的 19 納米 DRAM 技術。

這關鍵的 DRAM 和 3D NAND 技術研發(fā)成果，究竟會石破天驚打破國際大廠的壟斷？抑或只是丑媳婦終究是要見公婆？這問題的答案，將決定未來十年中國存儲產(chǎn)業(yè)的命運。

自主 DRAM 和 3D NAND 技術這條道路，中國才處于萌芽階段，但已可以感受到前方是荊棘密布，伴隨刀光劍影的跨國法律大戰(zhàn)。也就是因為如此，有人開始質(zhì)疑，為什么不走捷徑，干脆與國際大廠技術授權(quán)合作，既可以合法合規(guī)的生產(chǎn)芯片，又可免除接連不斷的司法威脅？反正破財消災，付該付的錢，就能生產(chǎn)自有芯片，照樣能夠支持國內(nèi)需求。

但醍醐灌頂與飲鴆止渴之間的差別有多大，其實就在于一念之間。多位具有豐富存儲器產(chǎn)業(yè)經(jīng)驗的高層人士告訴 DT 君，大陸萬萬不可再像***一樣，走上拿技術授權(quán)、幫大廠代工的老路。

回顧*** DRAM 過去 20 年的產(chǎn)業(yè)發(fā)展腳步，講白了，等于是為美、日、歐等國大廠打了 20 年工，到最后仍是無法擁有自己的技術，只換來“生產(chǎn)成本最低的 DRAM 廠”的稱號。當外國人基于自身營運窘迫，或是另有考量而要收回技術授權(quán)時，*** DRAM 廠頓時面臨技術斷炊的窘境，股價重挫是必然的結(jié)果。

但更讓人痛心的，是二十年心血一朝付諸東流的現(xiàn)實，因為每當存儲器產(chǎn)業(yè)發(fā)展陷入衰退期，DRAM 廠面臨的不是低毛利率，而更可能是負毛利率的處境，每天燒掉幾千萬都不是新鮮事。不用多久，就會面臨營運資金短缺的狀況，到那時，就只有將手上的晶圓廠便宜賣給外國人。20 年的苦心經(jīng)營，最后落到技術也拿不到、晶圓廠也保不住，仔細想想，有哪一家企業(yè)承受得起這樣的重擊。

前車之鑒不遠，在存儲半導體這條路上，中國大陸廠商應該很清楚，不能再踏上這條不歸路，再怎么苦，也要堅持技術自主！

圖丨紫光集團執(zhí)行副總裁高啟全

紫光集團執(zhí)行副總裁高啟全就認為，中國發(fā)展存儲芯片不能再走授權(quán)代工的路，一定要技術自主開發(fā)，用到別人的專利就付錢，同時也累積自己手上的專利實力，如果最后真的無法成功，那也必須接受事實。

福建晉華總經(jīng)理陳正坤曾被問及為什么要加入聯(lián)電和中國大陸 DRAM 技術合作研發(fā)計劃，陳正坤感性但一針見血的說，當年瑞晶被美光兼并這件事對他的沖擊非常大，且自主開發(fā) DRAM 技術一直是他心中的夢想，希望這個夢想從他這里播種開花！

圖丨福建晉華總經(jīng)理陳正坤

高啟全、陳正坤都曾經(jīng)是在過去 20 年存儲產(chǎn)業(yè)身經(jīng)百戰(zhàn)的沙場老將，他們的感嘆，是 20 年的血淚，但現(xiàn)在，這群人帶著前錯不再犯的決心，要將中國存儲半導體產(chǎn)業(yè)扭轉(zhuǎn)乾坤。

以目前全球三大 DRAM 陣營的勢力分布來看，三星、SK 海力士、美光的市占率分別為 46%、27%、21%，意即全球 DRAM 芯片有超過 90% 都掌握在韓美兩國手上，尤其是韓國，手握超過 70% 的 DRAM 芯片，而中國必須成為全球 DRAM 產(chǎn)業(yè)除了韓、美以外的第三大勢力，才能平衡產(chǎn)業(yè)生態(tài)，也才能在全球半導體產(chǎn)業(yè)中取得上桌談判的資格。

圖丨全球三大DRAM 廠商

其實，DRAM 技術的研發(fā)，真正的困難點不在技術本身，而是 DRAM 專利都已經(jīng)被國際大廠牢牢握住，要避開所有現(xiàn)有的專利來進行開發(fā)，才是真正的障礙。即使中國廠商千辛萬苦創(chuàng)新突破完成 DRAM 技術研發(fā)，很可能還不到量產(chǎn)階段，就先收到三星、SK 海力士控告專利侵權(quán)的律師函。

事實上，美國與韓國大廠以法律當武器恫嚇對手的做法，早已是屢見不鮮的事，這幾天，美光就針對聯(lián)電和福建晉華目前仍在研發(fā)階段的 DRAM 技術，在美國提出涉嫌妨礙運營機密的控告。而這并不是美光第一次出手阻止中國廠商的 DRAM 研發(fā)計劃。

時間拉回 2017 年初的新年前，美光為了防止員工跳槽，趁著這批人回家過年時，在***提出妨礙營業(yè)機密訴訟，進行大規(guī)模約談，并對其中部份人員限制出境。這個消息當時震驚了存儲半導體產(chǎn)業(yè)，讓人見識到美國大廠強悍作風，但在其中，卻也嗅得出美光對于中國存儲芯片產(chǎn)業(yè)超高度防備警戒。

也因為如此，福建晉華、合肥睿力兩大 DRAM 技術陣營從一開始，就維持極為低調(diào)的行事風格，關起門來專心研發(fā)。

但現(xiàn)在這兩大陣營的難處在于，研發(fā)初期的設定主要是參考和模擬美光 DRAM 的技術和流程，由于美光設下天羅地網(wǎng)的法律手段嚇阻任何可能的技術抄襲，讓福建晉華與合肥睿力都必須規(guī)避美光的設計，改走韓系大廠路線，但這樣的轉(zhuǎn)變，挑戰(zhàn)相當大，會不會導致研發(fā)和量產(chǎn)時程延后，恐要進一步觀察。

但是，美光等大廠的擔心不是沒有道理的，2017 年底，中國存儲產(chǎn)業(yè)傳出的長江存儲成功研發(fā) 32 層 3D NAND 芯片的好消息，不但讓趙偉國眉開眼笑，也讓國際大廠感受到實實在在的壓力。

2017 年 11 月初，紫光旗下的長江存儲投入研發(fā)將近兩年的 3D NAND 芯片，在搭配 NAND Flash 控制芯片置入 SSD，且連接上終端系統(tǒng)后，該系統(tǒng)成功“動”起來。

這驚天一“動”，背后代表的意義，是首顆中國制的 3D NAND 芯片成功通過終端產(chǎn)品的測試，宣告研發(fā)成功，中國存儲產(chǎn)業(yè)向前邁進了一大步。這樣的消息，或許可以解讀為長江存儲投入研發(fā) 3D NAND 芯片的初步成功，但也不要太快陷入驕傲的迷思里，因為距離實際的成功，仍有一段很長的路。

首先，長江存儲研發(fā)的這顆 3D NAND 芯片是 32 層技術，對比三星電子、美光、東芝、SK 海力士主流的 64 層和 72 層技術，還有一段距離，而這些國際大廠在 2018 年即將大步跨入 96 層 3D NAND 技術，驅(qū)動芯片的密度提升、成本再下降。

圖丨長江存儲競爭對手技術推進時間表

再者，研發(fā)成功和商業(yè)化量產(chǎn)，是兩個截然不同的層次。研發(fā)成功雖然是關鍵的第一步，但并非是芯片量產(chǎn)的保證。

芯片要進入量產(chǎn)階段，良率要先達到一定的水準，否則是不符合生產(chǎn)成本效益的。而長江存儲用來測試的這一顆 3D NAND 芯片，絕對是精挑萬選出來的“精英部隊”，然而不代表生產(chǎn)出來的每一顆芯片都可以通過測試，因此，必須要讓良率夠高，晶圓產(chǎn)出中的“精英部隊”數(shù)量才會更多。

但根據(jù) DT 君的觀察，長江存儲并不是真的那么天真樂觀的以為自己就此一帆風順，盡管研發(fā)速度超前目標，但長江存儲的策略并不冒進，而是有目標地按部就班前進。

長江存儲把這次研發(fā)成功的 32 層 3D NAND 視為打底的技術，要用該技術來證明研發(fā)的可行性，但并不打算現(xiàn)在就大量產(chǎn)出。因為，公司很清楚知道，大量生產(chǎn)后的 3D NAND 要具備成本競爭力，至少要有 64 層技術底蘊才行。

圖丨NAND單位存儲空間成本下降

2018 年長江存儲的 32 層 3D NAND 技術會小量試產(chǎn)，但更重要的戰(zhàn)場，是要再次挑戰(zhàn) 64 層 3D NAND 技術的成功。

趙偉國出席世界互聯(lián)網(wǎng)大會的全球數(shù)字經(jīng)濟論壇上也表示，長江存儲明年將進入 64 層 128G 的 3D NAND 芯片，估計還要再花上 20 億美元的研發(fā)費用。

再者，紫光早早規(guī)劃好投資規(guī)模高達 240 億美元、單月產(chǎn)能 30 萬片的武漢 12 寸存儲器生產(chǎn)基地就可以正式開始啟動，該時間點預計是 2019~2020 年。

另一個被美光的專利大刀追著跑，從***追殺一路到美國的福建晉華和聯(lián)電，其 DRAM 合作方式與其他陣營有著不同的模式。

聯(lián)電在 2016 年接受福建晉華的委托，開發(fā) DRAM 相關的制程技術，根據(jù)技術開發(fā)的進度，由福建晉華支付聯(lián)電技術報酬金，當做是開發(fā)費用，而最后研發(fā)的 DRAM 技術，將是由雙方共同擁有。

在上述的合作協(xié)議下，聯(lián)電將上百人的 DRAM 研發(fā)團隊和試產(chǎn)線設立在***南科，同時進行 2x 納米和 3x 納米兩個制程的研發(fā)。

另一個 DRAM 陣營是合肥睿力，從成立至今的形式作風非常低調(diào)。該陣營的主導者有前半導體設備大廠應用材料 (AppliedMaterials) 全球執(zhí)行副總、前中芯國際總裁兼 CEO 王寧國，以及前華亞科高層劉大維等。

合肥睿力的布局從今年下半年開始，陸續(xù)浮上臺面。其中包括與 NOR Flash 大廠北京兆易創(chuàng)新 (GigaDevice) 的合作，兆易創(chuàng)新宣布和合肥市政府達成協(xié)議，計劃共同出資人民幣 180 億元 (兆易創(chuàng)新出資 20%、合肥市產(chǎn)業(yè)投資控股集團出資 80%)，同時研發(fā) 19 納米 DRAM 技術，兆易創(chuàng)新也從此協(xié)議中，可獲得保障產(chǎn)能。

北京兆易創(chuàng)新雖然是從小池塘的 NOR Flash 產(chǎn)業(yè)起家，但一直有想要跨足大江大海的 DRAM 產(chǎn)業(yè)的雄心壯志，早在一年前多就傳遍存儲器產(chǎn)業(yè)，只是公司一直沒有正面承認。

直到今年 9 月，集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金(大基金)宣布入股兆易創(chuàng)新約 11% 股權(quán)，成為第二大股東，該公司在 DRAM 產(chǎn)業(yè)的布局、攜手合肥睿力的消息，才在近幾個月密集對外揭露。

這兩大 DRAM 陣營目標，都是在 2018 年底完成研發(fā)和試產(chǎn)，推估要真正進入量產(chǎn)，最快也是 2019 年，因此，2019 年會是中國存儲產(chǎn)業(yè)的關鍵年，屆時有福建晉華、合肥睿力的 DRAM 技術見真章，更有長江存儲轉(zhuǎn)進 64 層 3D NAND 的研發(fā)和生產(chǎn)，未來 2 年，這幾家廠商一波跟著一波的研發(fā)與量產(chǎn)進展，將左右未來十年中國存儲產(chǎn)業(yè)的命運。2019 年，將會是中國半導體產(chǎn)業(yè)非常精彩的一年。