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展示10納米制程,英特爾推動FPGA技術(shù)進(jìn)展

電子工程師 ? 來源:互聯(lián)網(wǎng) ? 作者:佚名 ? 2017-09-20 09:08 ? 次閱讀
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英特爾精尖制造日”

展示10納米制程、FPGA技術(shù)進(jìn)展

及業(yè)內(nèi)首款面向數(shù)據(jù)中心的64層 3D NAND產(chǎn)

“英特爾精尖制造日”活動今天舉行,展示了英特爾制程工藝的多項(xiàng)重要進(jìn)展,包括:英特爾10納米制程功耗和性能的最新細(xì)節(jié),英特爾首款10納米FPGA的計(jì)劃,并宣布了業(yè)內(nèi)首款面向數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的64層3D NAND產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)商用并出貨。

英特爾遵循摩爾定律,持續(xù)向前推進(jìn)制程工藝,每一代都會帶來更強(qiáng)的功能和性能、更高的能效、更低的晶體管成本”英特爾公司執(zhí)行副總裁兼制造、運(yùn)營與銷售集團(tuán)總裁Stacy Smith表示,“很高興首次在中國與大家分享英特爾制程工藝路線圖中的多項(xiàng)重要進(jìn)展,展現(xiàn)了我們持續(xù)推動摩爾定律向前發(fā)展所獲得的豐碩成果?!?/span>

英特爾公司全球副總裁兼中國區(qū)總裁楊旭歡迎來自合作伙伴、客戶、政府部門和學(xué)術(shù)界的嘉賓以及新聞媒體出席2017年9月19日在北京舉行的“英特爾精尖制造日”活動。此次活動著眼于快速發(fā)展的中國技術(shù)生態(tài)系統(tǒng),重申英特爾與中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)共成長的承諾。英特爾在中國深耕32年,打造了世界級的晶圓制造封裝測試工廠,自2004年以來在華協(xié)議總投入達(dá)130億美元。

Stacy Smith進(jìn)一步表示,英特爾推動摩爾定律向前發(fā)展的能力——每一年都持續(xù)降低產(chǎn)品價格并提升其性能——是英特爾的核心競爭優(yōu)勢。英特爾一直以來都是并將繼續(xù)成為推動摩爾定律向前發(fā)展的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者,目前英特爾在制程工藝上保持著大約三年的領(lǐng)先性。

披露10納米制程的功耗和性能最新進(jìn)展

英特爾高級院士馬博(Mark Bohr)介紹了英特爾10納米制程工藝的最新細(xì)節(jié),展現(xiàn)了英特爾的技術(shù)領(lǐng)先性。在晶體管密度和晶體管性能方面,英特爾10納米均領(lǐng)先其他競爭友商“10納米”整整一代。通過采用超微縮技術(shù)(hyper scaling),英特爾10納米制程工藝擁有世界上最密集的晶體管和最小的金屬間距,從而實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)最高的晶體管密度。超微縮指的是英特爾在14納米和10納米制程節(jié)點(diǎn)上提升2.7倍晶體管密度的技術(shù)。在此次“英特爾精尖制造日”活動上,英特爾“Cannon Lake”10納米晶圓全球首次公開亮相。

英特爾公司執(zhí)行副總裁兼制造、運(yùn)營與銷售集團(tuán)總裁Stacy Smith全球首次展示“Cannon Lake”10納米晶圓,采用超微縮技術(shù),擁有世界上最密集的晶體管和最小的金屬間距,從而實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)最高的晶體管密度。

馬博還演示了他提出的晶體管密度計(jì)算公式,用以規(guī)范晶體管密度的通用衡量標(biāo)準(zhǔn),以此厘清當(dāng)前業(yè)內(nèi)制程節(jié)點(diǎn)命名亂象這也是英特爾不懈的堅(jiān)持和努力,將有助于更加容易地比較不同廠商之間的技術(shù)。

介紹22FFL的功耗和性能最新進(jìn)展

馬博同時介紹了英特爾22FFL功耗和性能的最新細(xì)節(jié)。22FFL是在2017年3月美國“英特爾精尖制造日”活動上首次宣布的一種面向移動應(yīng)用的超低功耗FinFET技術(shù)。英特爾22FFL可帶來一流的CPU性能,實(shí)現(xiàn)超過2GHz的主頻以及漏電降低100倍以上的超低功耗。此外,22FFL晶圓在本次活動上全球首次公開亮相。

揭曉10納米FPGA產(chǎn)品計(jì)劃

在本次活動上,英特爾公布了采用英特爾10納米制程工藝和晶圓代工平臺的下一代FPGA計(jì)劃。研發(fā)代號為“Falcon Mesa”的FPGA產(chǎn)品將帶來全新水平的性能,以支持?jǐn)?shù)據(jù)中心、企業(yè)級和網(wǎng)絡(luò)環(huán)境中日益增長的帶寬需求。

英特爾和Arm在10納米制程合作方面

取得重大進(jìn)展

在2016年8月于舊金山舉行的英特爾信息技術(shù)峰會(IDF)上,英特爾晶圓代工宣布與Arm達(dá)成協(xié)議,雙方將加速基于英特爾10納米制程的Arm系統(tǒng)芯片開發(fā)和應(yīng)用。作為這一合作的結(jié)晶,今天的“英特爾精尖制造日”全球首次展示了Arm Cortex-A75 CPU內(nèi)核的10納米測試芯片晶圓。這款芯片采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)流程,可實(shí)現(xiàn)超過3GHz的性能。

發(fā)布業(yè)內(nèi)首款面向數(shù)據(jù)中心的

64層TLC 3D NAND固態(tài)盤

英特爾還宣布了業(yè)內(nèi)首款面向數(shù)據(jù)中心的64層、三級單元(TLC)3D NAND固態(tài)盤產(chǎn)品已正式出貨。該產(chǎn)品自2017年8月初便開始向部分頂級云服務(wù)提供商發(fā)貨,旨在幫助客戶大幅提升存儲效率。在存儲領(lǐng)域30年的專業(yè)積淀,使得英特爾可以推出優(yōu)化的3D NAND浮柵架構(gòu)和制造工藝。英特爾的制程領(lǐng)先性,使其能夠快速把2017年6月推出的64層TLC固態(tài)盤產(chǎn)品組合,迅速從客戶端產(chǎn)品擴(kuò)展到今天的數(shù)據(jù)中心固態(tài)盤產(chǎn)品。到2017年年底,該產(chǎn)品將在更大范圍內(nèi)上市。


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原文標(biāo)題:“英特爾精尖制造日”解讀全球晶體管密度最高的制程工藝

文章出處:【微信號:Intelzhiin,微信公眾號:知IN】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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