電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）據(jù)韓媒報(bào)道，三星和海力士正在開發(fā)低功耗DRAM堆疊技術(shù)，以用于移動(dòng)設(shè)備上，這類DRAM被稱之為移動(dòng)HBM存儲(chǔ)器，并計(jì)劃2026年左右實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。

移動(dòng)HBM是堆疊和連接LPDDR DRAM來增加內(nèi)存帶寬，它與HBM類似，通過將常規(guī)DRAM堆疊8層或12層來提高數(shù)據(jù)吞吐量，并具有低功耗的優(yōu)勢(shì)。

以LPDDR為代表的移動(dòng)DRAM芯片由于其較小的尺寸，并不適用于與HBM相同的TSV連接方案。同時(shí)，HBM制造工藝的高成本及低良率特性也無法滿足高產(chǎn)能移動(dòng)DRAM的需求。

報(bào)道稱，移動(dòng)HBM技術(shù)是堆疊在樓梯中，然后用垂直電線將其連接到基板的方法。三星電子正在開發(fā)名為“VCS”的技術(shù)，SK海力士正在開發(fā)名為“VFO”的技術(shù)。以提供更多的IO數(shù)據(jù)引腳，為性能提升提供有力支持。



三星計(jì)劃在2025年推出基于 VCS（Vertical Cu Post Stack）垂直互聯(lián)技術(shù)的名為 LP Wide I/O 的新型移動(dòng)內(nèi)存，應(yīng)該就是所謂的移動(dòng)HBM。根據(jù)規(guī)劃，LP Wide I/O 內(nèi)存單封裝位寬將達(dá)到512bit。LPDDR5內(nèi)存位寬為64bit，是后者的8倍。

三星電子表示，VCS 先進(jìn)封裝技術(shù)相較傳統(tǒng)引線鍵合擁有 8 倍和 2.6 倍的 I/O 密度和帶寬；相較 VWB 垂直引線鍵合，VCS 技術(shù)的生產(chǎn)效率是前者 9 倍。根據(jù)規(guī)劃，三星的移動(dòng)HBM將在2025年下半年至2026年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

SK海力士的VFO技術(shù)結(jié)合FOWLP（晶圓級(jí)封裝）和DRAM堆疊兩項(xiàng)技術(shù)，通過垂直連接大幅縮短電信號(hào)在多層DRAM間的傳輸路徑，并同時(shí)實(shí)現(xiàn)能效的提升。 VFO 技術(shù)驗(yàn)證樣品將導(dǎo)線長(zhǎng)度縮短至傳統(tǒng)內(nèi)存的不到 1/4，能效也提升 4.9%。雖然該方案帶來了額外 1.4% 的散熱量，但封裝厚度減少27%。



隨著AI應(yīng)用的普及化，HBM也逐漸從數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器市場(chǎng)走向更多領(lǐng)域。此前已有消息指出，HBM應(yīng)用于智能汽車。SK海力士HBM2E正用于Waymo自動(dòng)駕駛汽車，汽車對(duì)內(nèi)存的需求正在迅速擴(kuò)大，當(dāng)前主要產(chǎn)品是LPDDR4 和LPDDR5。

HBM擁有更緊湊的結(jié)構(gòu)、更高帶寬、更快的數(shù)據(jù)傳輸速度以及更低的功耗，Waymo自動(dòng)駕駛汽車使用HBM2E尚屬行業(yè)首次。目前還未知，特斯拉汽車是否會(huì)跟進(jìn)采用HBM。HBM的應(yīng)用導(dǎo)入剛開始，未來有望在自動(dòng)駕駛普及之后成為主流。

HBM應(yīng)用于智能手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦或許將是大勢(shì)所趨。這些設(shè)備的端側(cè)AI的運(yùn)用同樣需要大帶寬、高速的存儲(chǔ)做為支撐。一旦SK海力士、三星電子在LPDDR的堆疊和芯片封裝上取得突破，移動(dòng)HBM無疑是不錯(cuò)的選擇。

另外，報(bào)道還稱，移動(dòng)HBM很可能是以定制化的形式生產(chǎn)并提供給智能手機(jī)廠商，這會(huì)改變以往供應(yīng)商為中心的模式，轉(zhuǎn)而以需求方為中心。就像此前SK海力士為蘋果頭戴設(shè)備“Vision Pro”供應(yīng)定制化低功耗DRAM。但具體不清楚各家的定制化有何不同，畢竟移動(dòng)HBM還處于研發(fā)階段。實(shí)際上，HBM用于汽車上面時(shí)，SK海力士就是單獨(dú)生產(chǎn)專門用于汽車用途的HBM2E，這是對(duì)特定領(lǐng)域需求的定制化。