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      為量子計(jì)算錦上添花的成像技術(shù)來(lái)了！

      nPYH_Keysight20 ? 來(lái)源：未知 ? 作者：佚名 ? 2017-08-31 18:19 ? 次閱讀
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      最近，《Science》子刊《Science Advances》上發(fā)表的一篇論文稱，研究團(tuán)隊(duì)開發(fā)了一種能夠窺探硅晶體內(nèi)部結(jié)構(gòu)的非侵入性成像技術(shù)。這很有可能成為測(cè)試常規(guī)硅基芯片的有效方法，且可能為下一代的量子計(jì)算技術(shù)奠定基礎(chǔ)。

      這支來(lái)自?shī)W地利林茨大學(xué)、倫敦大學(xué)學(xué)院、蘇黎世聯(lián)邦理工學(xué)院和瑞士洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院的國(guó)際團(tuán)隊(duì)將現(xiàn)有成熟的顯微技術(shù)——掃描微波顯微鏡（Scanning Microwave Microscopy, SMM）運(yùn)用到對(duì)硅芯片中人工摻入雜質(zhì)的檢測(cè)當(dāng)中，整個(gè)成像過(guò)程不會(huì)對(duì)芯片產(chǎn)生任何損害（半導(dǎo)體中會(huì)被摻入雜質(zhì)來(lái)增強(qiáng)其導(dǎo)電和光學(xué)性質(zhì)）。

      磷-硅材料成像

      研究者使用掃描微波顯微鏡掃描樣本，具體探測(cè)了硅晶表層下成一定規(guī)律排列的磷原子的電學(xué)性質(zhì)。在這一方法下，研究者成功檢測(cè)了在表面4-15納米之下的1900-4200個(gè)緊密排列的原子。

      當(dāng)然，諸如二次離子質(zhì)譜分析法（Secondary Ion Mass Spectrometry, SIMS）之類的技術(shù)也可以用于檢測(cè)半導(dǎo)體中人工參入的雜質(zhì)，但是掃描微波顯微鏡的主要優(yōu)勢(shì)是，它不會(huì)對(duì)樣本有任何損壞。

      在 IEEE Spectrum 的一個(gè)郵件采訪中，本實(shí)驗(yàn)的領(lǐng)導(dǎo)者、奧地利林茨大學(xué)的 Georg Gramse 表示：

      “

      從對(duì)硅芯片掃描的新技術(shù)中，我們能預(yù)見到對(duì)全球行業(yè)的潛在沖擊。因?yàn)樵谛酒?a href="http://www.socialnewsupdate.com/v/tag/123/" target="_blank">集成電路越來(lái)越小的情況下，測(cè)量過(guò)程已經(jīng)變得無(wú)比困難且耗費(fèi)時(shí)間，而且可能會(huì)損壞芯片本身。

      ”

      SMM和VNA對(duì)材料的測(cè)量結(jié)果

      新的成像技術(shù)對(duì)磷-硅量子計(jì)算機(jī)的實(shí)現(xiàn)奠定了基礎(chǔ)，因?yàn)槿藗兡馨褣呙栉⒉@微鏡集成到現(xiàn)有的探測(cè)儀器中。這將大大加快三維結(jié)構(gòu)的制造速度，因?yàn)樵摷夹g(shù)也能被應(yīng)用于光刻工藝中原子摻雜的迭代控制。

      Gramse最后說(shuō)：

      “
      目前，我們正在研究磷原子層的物理性質(zhì)，這將是通往磷-硅量子計(jì)算機(jī)的下一步。
      ”
      聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴

      原文標(biāo)題：量子計(jì)算技術(shù)再獲神器，科學(xué)家開發(fā)出新的成像技術(shù)

      文章出處：【微信號(hào)：Keysight2014，微信公眾號(hào)：是德科技KeysightTechnologies】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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