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電機(jī)控制單電阻采樣PWM變形信號(hào)的產(chǎn)生

STM32單片機(jī) ? 來(lái)源:未知 ? 作者:佚名 ? 2017-08-29 17:36 ? 次閱讀
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前言

電機(jī)控制單電阻采樣機(jī)制是在一個(gè)PWM波形內(nèi)采集兩相電流ADC數(shù)據(jù),但某些扇區(qū)邊界條件下只能獲得一路電流ADC數(shù)據(jù), 需要對(duì)PWM波形進(jìn)行變形用于構(gòu)造電流采樣區(qū)域。

背景介紹

根據(jù)電機(jī)控制拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),單電阻采樣在一個(gè)PWM控制周期內(nèi)可以取得兩相電流數(shù)據(jù):

在扇區(qū)邊沿?zé)o法獲得兩相電流信號(hào)。

波形產(chǎn)生

ST專(zhuān)利的方法是在波形的中間部分產(chǎn)生變形波形,在變形后的波形上就可以得到兩相電流ADC數(shù)據(jù);

當(dāng)然還有目前比較流行的波形移位方法也可以做到相同效果。波形如下:

STM32系列單片機(jī)Timer有足夠的功能,可以產(chǎn)生上面兩種波形,機(jī)制如下:

PWM波中間變形

1. 設(shè)定CCR4的DMA通道,并且設(shè)定此時(shí)Timer1的preload為禁止?fàn)顟B(tài);

TIM_OC1PreloadConfig(TIM1,TIM_OCPreload_Disable);

2. 在CCR4比較值部分產(chǎn)生DMA事件;

DMA_InitStructure.DMA_PeripheralBaseAddr= (uint32_t)(&(TIM1->CCR1));

DMA_InitStructure.DMA_MemoryBaseAddr= (uint32_t)(uint32_t)(hDmaBuff2);

DMA_InitStructure.DMA_DIR =DMA_DIR_PeripheralDST;

DMA_InitStructure.DMA_BufferSize= 2u;

….

TIM_DMACmd(TIM1,TIM_DMA_CC4,ENABLE);

3. 在1點(diǎn)上將CCR1數(shù)據(jù)直接修改為周期數(shù)據(jù)+1;

4. 在2點(diǎn)上將CCR1數(shù)據(jù)修改為CCR1’的數(shù)據(jù);

5. 時(shí)間計(jì)算上按照上面的圖示設(shè)定,中間凹陷時(shí)間為兩邊補(bǔ)充波形時(shí)間之和。

波形移位變形

1. 設(shè)定Timer1的update事件的DMA通道

DMA_InitStructure.DMA_PeripheralBaseAddr =(uint32_t)(&(TIM1->CCR1));

DMA_InitStructure.DMA_MemoryBaseAddr =(uint32_t)(uint32_t)(hDmaBuff2);

DMA_InitStructure.DMA_DIR =DMA_DIR_PeripheralDST;

DMA_InitStructure.DMA_BufferSize = 2u;

……

TIM_DMACmd(TIM1,TIM_DMA_Update,ENABLE);

2. 在1點(diǎn)上更新CCR1數(shù)據(jù)為CCR1數(shù)據(jù);

3. 在2點(diǎn)上更新CCR1數(shù)據(jù)為CCR1’數(shù)據(jù);

4. 保證前后的移位時(shí)間相同。


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原文標(biāo)題:電機(jī)控制單電阻采樣PWM變形信號(hào)的產(chǎn)生

文章出處:【微信號(hào):STM32_STM8_MCU,微信公眾號(hào):STM32單片機(jī)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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