大型廠商的產(chǎn)品導(dǎo)入、存儲級內(nèi)存（SCM）的新興應(yīng)用以及五大邏輯代工廠的涉足將推動非易失性存儲市場的增長。

新興非易失性存儲（NON-VOLATILE MEMORY， NVM）有利的市場環(huán)境

相變存儲（phase-change memory， PCM）、磁阻式隨機(jī)存儲（magnetoresistive random access memory， MRAM以及阻變式存儲（resistive random access memory， RRAM）等主要非易失性存儲技術(shù)已經(jīng)有了較長的開發(fā)歷史。但是，由于種種因素，它們在利基市場的應(yīng)用仍然有限。現(xiàn)有產(chǎn)品的存儲密度有限，新興NVM開拓廠商在高存儲密度產(chǎn)品導(dǎo)入上又有所延誤。新材料和新工藝步驟的引入，也帶來了制造挑戰(zhàn)。同時，主流存儲技術(shù)也在不斷的提高存儲密度、降低成本。最后，NVM市場也缺少一款殺手級應(yīng)用來挑戰(zhàn)現(xiàn)有的動態(tài)隨機(jī)存儲（DRAM）和NAND閃存。

獨立存儲器市場供應(yīng)鏈主要廠商

不過，市場上出現(xiàn)了一些有利因素將推動新興NVM市場進(jìn)入快速增長軌道，這些因素包括：

- 新的存儲級內(nèi)存細(xì)分市場的出現(xiàn)。這是工作存儲器和數(shù)據(jù)保存間系統(tǒng)架構(gòu)中的另一種分級存儲器體系。旨在通過提升系統(tǒng)速度來降低延時。它將支持DRAM和NAND，并與之共存。

- 產(chǎn)業(yè)巨頭Intel在2017年為SCM應(yīng)用，推出了PCM 3D XPoint存儲。Micron（鎂光）也將在2017年末推出3D XPoint存儲。

- 從2016年高于100萬美元的融資狀況來看，投資者對新興NVM市場仍非常樂觀。

TSMC（臺積電）、Samsung（三星）、GlobalFoundries（格羅方德）、UMC（聯(lián)華電子）以及SMIC（中芯國際）等大型代工廠商正在進(jìn)入新興的NVM存儲市場。它們將在2018/2019年間為嵌入式MCU推出MRAM和RRAM技術(shù)。NVM由于能夠與CMOS技術(shù)兼容，因此是這些代工廠顯著提高存儲業(yè)務(wù)的極好機(jī)遇。

新興非易失性存儲的上市時間經(jīng)常因為獨立存儲而延后

未來五年，SCM和嵌入式微控制器將引領(lǐng)新興NVM市場增長

2016~2022年，新興NVM市場的復(fù)合年增長率（CAGR）預(yù)計可達(dá)106%，市場規(guī)模到2022年將增長至39億美元。新的SCM分級和嵌入式MCU將驅(qū)動新興NVM市場增長。塑造一類新的存儲變化巨大，需要存儲生態(tài)系統(tǒng)中的所有廠商參與，開發(fā)各種配套的硬件和軟件。SCM將會被應(yīng)用于企業(yè)級存儲和客戶端應(yīng)用，隨后將進(jìn)入移動應(yīng)用領(lǐng)域。2017年初期，Intel針對SCM應(yīng)用推出的XPoint存儲便是改變市場的重磅產(chǎn)品。

商業(yè)產(chǎn)品的性能比較

嵌入式MCU通常使用eflash NVM技術(shù)，但是該技術(shù)需要消耗大量的能耗，并且其擴(kuò)展性在28nm節(jié)點開始變得成本太過高昂。隨著新興NVM近期的擴(kuò)展進(jìn)展，它將越來越多的應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴產(chǎn)品、智能卡及其它市場應(yīng)用的低功耗MCU。得益于新興NVM技術(shù)的低功耗表現(xiàn)，它們將率先應(yīng)用于40nm工藝節(jié)點，而后得益于其成本競爭力優(yōu)勢，將應(yīng)用于28nm節(jié)點，再然后將應(yīng)用于22nm節(jié)點。TSMC、GlobalFoundries、UMC、SMIC以及Samsung等頂級代工廠商由于制造了全球大部分的MCU，必將驅(qū)動新興NVM的應(yīng)用增長。

存儲芯片的擴(kuò)展性和存儲密度影響了存儲的性能和成本，因此成為存儲選擇的主要評判標(biāo)準(zhǔn)。在這方面，本報告提供了清晰的存儲技術(shù)發(fā)展路徑圖，包括技術(shù)節(jié)點、芯片密度和成本。

新興NVM市場的發(fā)展趨勢

本報告介紹了新興NVM技術(shù)為什么以及如何在各個市場獲得越來越多的應(yīng)用。本報告詳細(xì)剖析了兩個重要的細(xì)分市場。首先是獨立應(yīng)用市場，包括企業(yè)級存儲SCM、客戶端SCM、大容量存儲、工業(yè)、運輸和消費電子等。其次是嵌入式應(yīng)用，包括MCU、移動設(shè)備靜態(tài)RAM、高性能計算應(yīng)用的SRAM快速緩沖存儲以及嵌入式NVM系統(tǒng)級芯片等。

新興NVM存儲的潛在應(yīng)用、存儲密度和價格定位

新興NVM存儲獨立應(yīng)用市場主要由PCM和RRAM驅(qū)動，嵌入式存儲市場則由MRAM和RRAM驅(qū)動

新興NVM市場主要由三種技術(shù)引領(lǐng)：PCM、RRAM和MRAM。在獨立應(yīng)用市場，未來五年將主要集中在SCM，大型廠商的技術(shù)選擇現(xiàn)在已經(jīng)非常清晰。Micron/Intel選擇了PCM。SK Hynix（SK海力士）和Sandisk（閃迪）/Western Digital（西部數(shù)據(jù)）則選擇了PCM和SCM應(yīng)用的競爭者RRAM。Samsung得益于其針對3D NAND的垂直3D方案的兼容性，似乎也將傾向于RRAM。SCM市場最初將由PCM引領(lǐng)，但是，之后將由RRAM驅(qū)動。

新興NVM技術(shù)應(yīng)用

對于嵌入式應(yīng)用，不同新興NVM技術(shù)之間的競爭將更加激烈。不過，本報告預(yù)計根據(jù)應(yīng)用要求的不同，多種技術(shù)解決方案將同時并存。TSMC、GloalFoundries、Samsung以及Sony等頂級代工廠商采用了STTMRAM。STTMRAM初期主要針對的是MCU eFlash市場的發(fā)展，隨后將在移動和高性能計算中替代SRAM。對于RRAM嵌入式應(yīng)用，主要采用廠商為TSMC、UMC和SMIC。RRAM初期將主要面向低成本應(yīng)用，如智能卡、物聯(lián)網(wǎng)和通用應(yīng)用的嵌入式MCU。RRAM的最終目標(biāo)將是在高性能MPU中替代3D NAND，實現(xiàn)在單片系統(tǒng)級芯片中的集成。PCM仍在參與競爭，STMicroelectronics（意法半導(dǎo)體）是該技術(shù)的主要推動者，它選擇了PCM作為汽車市場28nm節(jié)點的最佳新興NVM解決方案。

新興NVM市場供應(yīng)鏈（樣刊模糊化）

本報告按應(yīng)用、出貨量、Gbit、營收及晶圓數(shù)量細(xì)分，針對每種技術(shù)進(jìn)行了市場預(yù)測。還綜述了主要的技術(shù)趨勢，以及主要廠商的重要技術(shù)發(fā)展動向。

新興NVM市場承載了廣泛的不同技術(shù)、業(yè)務(wù)模式及細(xì)分市場，尤其是在比較獨立應(yīng)用和嵌入式應(yīng)用時。由此，本報告詳細(xì)分析了不同供應(yīng)鏈上的各級廠商，例如獨立應(yīng)用市場和嵌入式應(yīng)用市場中的集成器件制造商（IDM）、代工廠商以及新興NVM初創(chuàng)企業(yè)等，以及它們應(yīng)用新興NVM技術(shù)的市場策略。

新興NVM產(chǎn)品上市時間

當(dāng)前的一個重大技術(shù)改變是半導(dǎo)體NAND固態(tài)驅(qū)動替代硬盤驅(qū)動。未來的變革將是新興NVM的到來。本報告分析了供應(yīng)鏈的動態(tài)變化，以深入了解當(dāng)前每種應(yīng)用及技術(shù)相關(guān)的主要市場廠商，以及隨著新興NVM的到來，市場競爭態(tài)勢將如何發(fā)展。本報告還特別分析了中國存儲市場的供應(yīng)鏈，得益于中國政府的巨量資金支持計劃和巨大存儲需求，中國存儲市場正在快速發(fā)展。

存儲市場廠商的互相蠶食趨勢