晶體管是由兩個PN結構成的。具體來說，晶體管內(nèi)部包含三個區(qū)域：發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)，這三個區(qū)域通過不同的摻雜方式在同一個硅片上制造而成，并形成了兩個PN結。這兩個PN結分別稱為發(fā)射結（位于發(fā)射區(qū)與基區(qū)之間）和集電結（位于基區(qū)與集電區(qū)之間）。晶體管的三個電極分別是集電極（C或c）、基極（B或b）和發(fā)射極（E或e），它們分別對應于晶體管的三個區(qū)域。

晶體管的工作原理主要涉及電流和電壓的控制。在正常工作狀態(tài)下，發(fā)射結處于正向偏置狀態(tài)，使得發(fā)射區(qū)的電子能夠越過PN結進入基區(qū)。由于基區(qū)很薄且雜質濃度很低，這些電子在基區(qū)內(nèi)擴散時會受到集電結電場的作用，大部分電子會被集電區(qū)收集，形成集電極電流。這個過程中，基極電流對集電極電流的控制作用非常顯著，這也是晶體管具有放大作用的基礎。

根據(jù)結構的不同，晶體管可以分為PNP型和NPN型兩類。這兩種類型的晶體管在電路中的應用有所不同，但基本原理是相似的。在實際應用中，晶體管被廣泛用于各種電子設備中，如放大器、開關、振蕩器等。

以下是對晶體管結構的詳細解析：

1. 發(fā)射區(qū) ：發(fā)射區(qū)是晶體管中摻雜濃度最高的區(qū)域，通常由N型半導體材料制成（在PNP型晶體管中則為P型）。發(fā)射區(qū)的主要作用是向基區(qū)提供大量的電子。
2. 基區(qū) ：基區(qū)位于發(fā)射區(qū)和集電區(qū)之間，是晶體管中摻雜濃度最低且最薄的區(qū)域。基區(qū)的主要作用是控制從發(fā)射區(qū)進入集電區(qū)的電子數(shù)量。當基極電流變化時，基區(qū)內(nèi)的電場也會發(fā)生變化，從而影響電子的擴散和漂移過程。
3. 集電區(qū) ：集電區(qū)是晶體管中面積最大的區(qū)域，通常由N型半導體材料制成（在PNP型晶體管中則為P型）。集電區(qū)的主要作用是收集從發(fā)射區(qū)經(jīng)過基區(qū)擴散和漂移過來的電子，并形成集電極電流。集電區(qū)的摻雜濃度低于發(fā)射區(qū)但高于基區(qū)，這使得集電區(qū)能夠有效地收集電子而不至于發(fā)生飽和現(xiàn)象。
4. PN結 ：發(fā)射結和集電結是晶體管中的兩個重要PN結。發(fā)射結處于正向偏置狀態(tài)時能夠允許電子從發(fā)射區(qū)流向基區(qū)；而集電結則處于反向偏置狀態(tài)以收集從基區(qū)擴散過來的電子。這兩個PN結的共同作用使得晶體管具有放大和開關等功能。

綜上所述，晶體管是由兩個PN結構成的三端器件。其獨特的結構和工作原理使得晶體管在現(xiàn)代電子技術中扮演著至關重要的角色。