近日，第十八屆全國MOCVD學術(shù)會議于湖北恩施成功落下帷幕。中微公司MOCVD技術(shù)團隊受邀出席了此次盛會并在《材料生長、表征與裝備》技術(shù)論壇發(fā)表主題演講，和MOCVD領(lǐng)域的學界泰斗與產(chǎn)業(yè)先鋒們共話產(chǎn)業(yè)發(fā)展的未來趨勢。

自1989年首屆召開以來，全國MOCVD學術(shù)會議每兩年一屆，見證了中國MOCVD技術(shù)與化合物半導(dǎo)體材料研究從萌芽到繁盛的輝煌歷程。本次會議在湖北恩施舉辦，議題廣泛，涵蓋了MOCVD生長機理與外延技術(shù)、MOCVD設(shè)備（整機/部件/配件/原材料）、材料結(jié)構(gòu)與物性、光電子器件、電力電子器件、微波射頻器件、LED智能照明與物聯(lián)網(wǎng)、半導(dǎo)體激光器、光伏/光探測器、可見光通信技術(shù)等領(lǐng)域，有力促進了產(chǎn)業(yè)鏈上下游的深度融合與協(xié)同發(fā)展。

中微公司MOCVD工藝技術(shù)高級總監(jiān)胡建正博士受邀在《材料生長、表征與裝備》技術(shù)論壇作了題為《采用PRISMO HiT3 MOCVD進行紫外LED的外延生長優(yōu)化》的技術(shù)分享。演講直擊UV LED技術(shù)的核心挑戰(zhàn)，揭示了與藍綠光LED相比，紫外領(lǐng)域尚待跨越的效率與壽命鴻溝，并展示了中微公司的創(chuàng)新解決方案，引起在場嘉賓的廣泛關(guān)注。

胡建正博士深入剖析了中微公司PRISMO HiT3 MOCVD系統(tǒng)在外延工藝上的精妙運用，通過精密調(diào)控襯底圖案、優(yōu)化緩沖層策略與載氣流速，實現(xiàn)了位錯密度低至7x108cm-2的高質(zhì)量AlN晶體，為高性能紫外LED奠定了堅實基礎(chǔ)。此外，PRISMO HiT3采用漸變鋁組分超晶格策略與先進鎂摻雜技術(shù)，有效調(diào)控應(yīng)力與提升摻雜效率，加之精心設(shè)計的多量子阱結(jié)構(gòu)，減少了極化效應(yīng)，使電子與空穴注入效率顯著增強，275nm深紫外LED的光輸出功率躍升20%。

面向未來，中微公司將堅持貫徹“三維發(fā)展戰(zhàn)略”，持續(xù)踐行和倡導(dǎo)“四個十大”的企業(yè)文化，矢志不渝追求技術(shù)創(chuàng)新，與業(yè)界伙伴緊密合作，共謀MOCVD產(chǎn)業(yè)的璀璨明天。

關(guān)于中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司

中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（證券簡稱：中微公司，證券代碼：688012）致力于為全球集成電路和LED芯片制造商提供領(lǐng)先的加工設(shè)備和工藝技術(shù)解決方案。中微公司開發(fā)的等離子體刻蝕設(shè)備和化學薄膜設(shè)備是制造各種微觀器件的關(guān)鍵設(shè)備，可加工微米級和納米級的各種器件。這些微觀器件是現(xiàn)代數(shù)碼產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)，它們正在改變?nèi)祟惖纳a(chǎn)方式和生活方式。中微公司的等離子體刻蝕設(shè)備已被廣泛應(yīng)用于國際一線客戶先進工藝的眾多刻蝕應(yīng)用，中微公司開發(fā)的用于LED和功率器件外延片生產(chǎn)的MOCVD設(shè)備已在客戶生產(chǎn)線上投入量產(chǎn)，目前已在全球氮化鎵基LED MOCVD設(shè)備市場占據(jù)領(lǐng)先地位。