GaN功率器件的應(yīng)用在消費(fèi)類產(chǎn)品電源近年相當(dāng)普及，大大提升了電源的效率和功率密度，其優(yōu)點(diǎn)和用量遞增，也逐漸延伸到服務(wù)器和工業(yè)電源領(lǐng)域。

安森美（onsemi）新推出的iGaN NCP5892x系列，集成eGaN與驅(qū)動(dòng)電路一體化，讓電源工程師在GaN的應(yīng)用更簡(jiǎn)單容易，

現(xiàn)成的集成GaN驅(qū)動(dòng)器

GaN器件是最高性能的開(kāi)關(guān)，提供極低的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)損耗。當(dāng)與驅(qū)動(dòng)器共同封裝時(shí)，它們?cè)诟咝阅茈娫崔D(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中簡(jiǎn)單應(yīng)用，可滿足嚴(yán)格的能效規(guī)范，如80 Plus Titanium。

驅(qū)動(dòng)GaN器件的最佳和最簡(jiǎn)單的方法是使用預(yù)先優(yōu)化的集成驅(qū)動(dòng)器方案，如安森美的NCP58920或NCP58921。這些器件是650 V增強(qiáng)型GaN器件，具有150 mΩ和50 mΩ的導(dǎo)通電阻，適用于所有常見(jiàn)的轉(zhuǎn)換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，包括TPPFC，它們?cè)凇坝查_(kāi)關(guān)”應(yīng)用中表現(xiàn)特別好，其中GaN具有顯著優(yōu)勢(shì)。

在一個(gè)典型的低成本、TPPFC+LLC轉(zhuǎn)換器中，一對(duì)NCP58921器件能提供超過(guò)250 W的直流輸出，能效近95%。但在服務(wù)器電源中，以優(yōu)化的導(dǎo)通模式和磁學(xué)，可達(dá)到80+ Titanium的目標(biāo)。

圖1：使用安森美的NCP58291集成GaN+驅(qū)動(dòng)器的PSU，能效峰值約95%

NCP5892x器件采用熱能效高的PQFN 8x8封裝，焊盤裸露，結(jié)點(diǎn)到板的熱阻為0.4 °C/W。驅(qū)動(dòng)器部分的電源電壓是非觸發(fā)、非門限的，最低8.5 V，最高20 V，因?yàn)樵撈骷?nèi)部含一個(gè)6 V鉗位的低壓降穩(wěn)壓器(LDO)用于GaN HEMT驅(qū)動(dòng)器，如果需要還可集成一個(gè)用于外部數(shù)字隔離器電源的5 V LDO。