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湖南靜芯推出針對HDBaseT接口的靜電和浪涌防護(hù)器件SENC26F3V4UC,可替代RClamp2504N

靜芯微 ? 來源:jf_65561982 ? 作者:jf_65561982 ? 2024-07-18 16:58 ? 次閱讀
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HDBaseT技術(shù)簡介

HDBaseT技術(shù),由全球知名的家電巨頭如LG、Samsung、Sony(均來自亞洲),攜手以色列的半導(dǎo)體技術(shù)先鋒Valens Semiconductor,共同創(chuàng)立了HDBaseT聯(lián)盟。該聯(lián)盟于2009年成功獲得了Intel的HDCP(高清內(nèi)容保護(hù))認(rèn)證,標(biāo)志著其技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的權(quán)威性與安全性。隨后,在2010年6月底,HDBaseT 1.0的官方規(guī)范正式確立,為行業(yè)樹立了新的里程碑。

HDMI和DisplayPort等標(biāo)準(zhǔn)不同,HDBaseT并未引入全新的接口設(shè)計(jì),而是巧妙地采用了RJ45接口,這一接口常被稱為水晶頭以太網(wǎng)接口,極大地提升了用戶的熟悉度與便捷性。同時(shí),HDBaseT采用了普遍易得的網(wǎng)線作為傳輸介質(zhì),進(jìn)一步降低了部署成本,增強(qiáng)了其普及性。

HDBaseT標(biāo)準(zhǔn)不僅限于視頻信號的傳輸,它還集成了網(wǎng)絡(luò)連接功能,實(shí)現(xiàn)了音視頻信號與數(shù)據(jù)通信的同步傳輸。該技術(shù)還支持以太網(wǎng)供電(PoE),即可以通過網(wǎng)線同時(shí)為連接的設(shè)備提供電力,極大地簡化了布線工作,提升了系統(tǒng)的整體效能與靈活性。

2.HDBaseT版本介紹

HDBaseT Versions
Specifications SPEC 1.0 SPEC 2.0 SPEC 3.0
Video & distance 1080p,100m/328ft 4K@30 4:4:4, 100m/328ft 4K@60 4:4:4, 100m/328ft
UHD 4K, 90mv295ft 4K@30 4:4:4, 100m/328ft
USB 2.0 2.0 2.0
Power 100 Watts 100 Watts 100 Watts
Ethernet 100MbpS 100MbpS Gigabit
Recommended cables Category 5e and above Category 6a and above Category 6a and above

表1 HDBaseT版本介紹

3.湖南靜芯HDBaseT產(chǎn)品推薦

靜芯推出超小體積、超高峰值電流,低鉗位電壓的HDBaseT ESD器件SENC26F3V4UC,該產(chǎn)品專為HDBaesT接口的TX(發(fā)送)和RX(接收)線路設(shè)計(jì)。SENC26F3V4UC為單路保護(hù)器件,具備3.3V低觸發(fā)電壓和7V低鉗位電壓特性,滿足115V低壓浪涌(8/20us)的過壓保護(hù)需求(VRWM=3.3V MAX,VCL = 13.0V@IPP = 40.0A (8/20us))。以其更小的容值和更高的峰值電流,為高速數(shù)據(jù)傳輸提供了高速信號線提供優(yōu)異的瞬態(tài)過壓保護(hù)效果,確保了信號的完整性和設(shè)備的安全性。

wKgZomaY15qAMSi6AADgR64xCx8656.png

圖1 基本電性圖

SENC26F3V4UC參數(shù)對比RClamp2504N(包含測試圖形)

wKgaomaY2ECAWMlmAABLyYf-82o748.png

表2 器件測試參數(shù)對比

wKgaomaY2J2ADDgnAADK9c3LWdk459.png

圖2 峰值電流10A 8/20測試曲線

(左邊RClamp2504N,右邊SENC26F3V4UC)

wKgZomaY2KqAcg2gAADSk5xuRBY512.png

圖3極限測試 8/20浪涌測試曲線

(左邊RClamp2504N,右邊SENC26F3V4UC)

SENC26F3V4UC的實(shí)測過流能力是 46.4A, RCLAMP2504N的實(shí)測過流能力28A, SENC26F3V4UC的鉗位電壓14V@46.4A, RCLAMP2504N的鉗位電壓14.2V@28A,超過10A后的鉗位電壓,SENC26F3V4UC的鉗位電壓會明顯好于RCLAMP2504N,考慮系統(tǒng)的穩(wěn)健性是通過測試極端參數(shù)條件下的可靠性,在RCLAMP2504N的極限電流28A的條件下,SENC26F3V4UC的鉗位電壓會低于11V(RCLAMP2504N為14.2V),對系統(tǒng)的防護(hù)效果更好。

在1A附近的鉗位電壓的實(shí)測數(shù)據(jù):SENC26F3V4UC的鉗位電壓6.32V@1.28A, RCLAMP2504N的鉗位電壓4.8V@1.44A,兩者差別不大(規(guī)格書上 SENC26F3V4UC的余量留的比較足,標(biāo)的典型值7V,最大值10V;RCLAMP2504N的最大值4.5V,但是這個(gè)值已經(jīng)和實(shí)測的典型值接近了。)

SENC26F3V4UC第5號管腳可以接3.3V的VCC(RCLAMP2504N的5號管腳規(guī)格書提示不能接VCC,有風(fēng)險(xiǎn)),對3.3V提供比較好的防護(hù),對靠近接口部分的電源提供靜電和浪涌防護(hù),實(shí)際布線電源走線可以先連接到器件5號腳,再給到應(yīng)用電路。

5.HDBaseT電路框圖

wKgZomaY15uAWXU_AAGPVaGMMvw942.png

圖 典型應(yīng)用圖

防護(hù)方案中所使用ESD型號參數(shù)描述(詳盡參數(shù)請與我司代理聯(lián)系):

信號線 型號 描述 電流
A
鉗位電壓
V
電容
pF
封裝
HDBT+
HDBT-
SENC26F3V4UC 3.3V
單向
ESD30kV
40 7 4 DFN2626-10L
D+/D- SEUC10F5V4U 5.0V
單向
ESD12kV
4.5 9 0.3 DFN2510-10L
REMOTE/CLK
DAT/OUT
SEUC236T5F4U 5
單向
ESD12kV
4.5 9 0.3 SOT-23-6L
TP+/TP- SELC3D3V1BA
SELC3D5V1BA
3.3/5V
雙向
ESD15kV
20 20 0.8 SOD323
VCC/GND
D+/D-
SELC143T5V2UB 5V
單向
ESD15kV
5 9 0.6 SOT-143

湖南靜芯是一家專門從事高可靠性器件與芯片設(shè)計(jì)的高新技術(shù)企業(yè),為客戶提供面向汽車、工業(yè)、物聯(lián)網(wǎng)等高可靠性傳感器及相關(guān)芯片、半導(dǎo)體器件和應(yīng)用系統(tǒng)等產(chǎn)品和服務(wù)。

在分立器件方向具有自帶完整ESD/TVS/TSS/MOS等器件工藝技術(shù)和產(chǎn)品;

集成電路芯片方向提供高可靠性的光電集成信號處理/TDS/OVP等芯片技術(shù)和產(chǎn)品;

在設(shè)計(jì)服務(wù)方面提供片上集成抗雷擊高性能ESD/TVS委托開發(fā)設(shè)計(jì)。

wKgaomaY15qAArC3AAAeqp6pc4Y487.png

靜心創(chuàng)新,靜芯創(chuàng)芯

官方網(wǎng)站:www.elecsuper.com

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審核編輯 黃宇

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