近日，半導體行業(yè)迎來了一項重大技術(shù)突破。據(jù)BUSINESSKOREA報道，在6月16日至6月20日于美國夏威夷舉行的半導體盛會“VLSI 2024”上，韓國半導體巨頭SK hynix（SK海力士）提交了一份關(guān)于3D DRAM（三維動態(tài)隨機存取存儲器）的詳細研究論文。該論文不僅揭示了SK海力士在3D DRAM領(lǐng)域取得的顯著進展，更向世界展示了其在這一未來存儲技術(shù)上的堅定決心與卓越實力。

在論文中，SK海力士自豪地宣布，其五層堆疊的3D DRAM生產(chǎn)良率已達到驚人的56.1%。這意味著，在單個測試晶圓上制造的約1，000個3D DRAM中，有約561個成功通過了嚴格的質(zhì)量檢測，成為可投入市場的合格產(chǎn)品。這一數(shù)字不僅體現(xiàn)了SK海力士在3D DRAM制造技術(shù)上的精湛工藝，更預示著下一代存儲技術(shù)即將迎來商業(yè)化應(yīng)用的曙光。

值得一提的是，SK海力士此次展示的3D DRAM在性能上已展現(xiàn)出與目前廣泛使用的2D DRAM相媲美的特性。這一成就無疑為業(yè)界帶來了極大的信心，預示著3D DRAM將在未來逐步取代2D DRAM，成為主流存儲技術(shù)。

業(yè)內(nèi)專家普遍認為，SK海力士在VLSI 2024上提交的這篇論文標志著該公司在3D DRAM研發(fā)領(lǐng)域取得了重要里程碑。這不僅展現(xiàn)了SK海力士在技術(shù)創(chuàng)新上的領(lǐng)先地位，也預示著該公司即將獲得下一代DRAM的核心技術(shù)，從而在全球半導體市場中占據(jù)更加重要的地位。

作為人工智能（AI）半導體市場的領(lǐng)導者，SK海力士一直致力于推動存儲技術(shù)的創(chuàng)新與發(fā)展。憑借高帶寬內(nèi)存（HBM）技術(shù)，SK海力士已經(jīng)在市場上取得了顯著的優(yōu)勢。如今，該公司正尋求在下一代DRAM領(lǐng)域繼續(xù)創(chuàng)新，以鞏固其市場領(lǐng)導地位。

去年4月，SK海力士與全球領(lǐng)先的半導體制造商臺積電簽署了一份諒解備忘錄（MOU），共同合作開發(fā)HBM4技術(shù)。今年，SK海力士又與英偉達在HBM領(lǐng)域展開深度合作，進一步鞏固了其在市場上的領(lǐng)先地位。隨著這些合作的深入推進，SK海力士的股價也持續(xù)走高，市值已突破175萬億韓元。

在HBM領(lǐng)域取得顯著成果的同時，SK海力士也在加快其HBM路線圖的發(fā)展步伐。原本計劃于2026年和2027年量產(chǎn)的HBM4和HBM4E技術(shù)，現(xiàn)已提前一年進入量產(chǎn)階段。據(jù)悉，與前代產(chǎn)品HBM3E相比，新的HBM4技術(shù)有望將帶寬提高40%，功耗降低70%，而密度也將提高1.3倍。這一技術(shù)的推出將極大地推動人工智能、高性能計算等領(lǐng)域的發(fā)展。

除了HBM技術(shù)的創(chuàng)新外，SK海力士還在積極探索混合鍵合技術(shù)在3D DRAM領(lǐng)域的應(yīng)用。通過采用先進的鍵合技術(shù)，SK海力士期望能夠進一步提升3D DRAM的性能和集成度，以滿足未來市場對更高容量、更低功耗存儲技術(shù)的需求。

盡管SK海力士在3D DRAM研發(fā)上取得了顯著進展，但該公司也清醒地認識到實現(xiàn)商業(yè)化應(yīng)用仍面臨諸多挑戰(zhàn)。與二維DRAM相比，三維DRAM在性能上表現(xiàn)出不穩(wěn)定的特征，需要堆疊更多的存儲單元才能實現(xiàn)普遍應(yīng)用。因此，SK海力士將繼續(xù)加大研發(fā)投入，不斷優(yōu)化技術(shù)工藝，以推動3D DRAM技術(shù)的商業(yè)化進程。

展望未來，我們有理由相信SK海力士將繼續(xù)在半導體存儲技術(shù)領(lǐng)域保持領(lǐng)先地位。隨著3D DRAM技術(shù)的不斷成熟和商業(yè)化應(yīng)用的推進，SK海力士將為我們帶來更多驚喜和可能。