隨著技術(shù)的不斷進步，IGBT的設(shè)計和制造也在持續(xù)優(yōu)化?，F(xiàn)代IGBT模塊不僅提高了效率和可靠性，還減小了尺寸和重量，這對于空間受限的應(yīng)用尤為重要。

此外，通過集成智能控制和保護功能，IGBT模塊能夠更有效地管理電力系統(tǒng)，確保其安全穩(wěn)定運行。隨著全球?qū)Ω咝茉蠢煤蜏p少碳排放的需求日益增長，IGBT技術(shù)的發(fā)展將繼續(xù)扮演關(guān)鍵角色，推動電力電子技術(shù)向更高效、更環(huán)保的方向發(fā)展。

特瑞諾TIRNNO憑借多種 1350V 功率器件進入IGBT市場，旗下的 1350V 系列IGBT 采用堅固、經(jīng)濟高效的逆導(dǎo)型場阻溝槽IGBT技術(shù)，在高達 175°C 的工作溫度下提供極低的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗性能以及高水平的堅固性。

TGA系列IGBT可配備全額定或半額定二極管，或保護二極管以防止意外反向偏置，從而為優(yōu)化特定應(yīng)用需求的行為提供了額外的自由。

其中一款產(chǎn)品是20A的 TGAN20S135FD IGBT，采用TO-3PN封裝技術(shù)，TIRNNO通過在其綜合產(chǎn)品組合中增加 IGBT，滿足了對具有一系列性能和成本標(biāo)準(zhǔn)的高效高壓開關(guān)器件日益增長的需求，這使公司能夠滿足各種客戶需求，這提高了電源逆變器、感應(yīng)加熱器、變頻微波爐和軟件開關(guān)應(yīng)用的效率和可靠性。

TGAN20S135FD IGBT 特征：

·1350V 逆導(dǎo)型場阻溝槽IGBT技術(shù)

·優(yōu)異的電磁干擾(EMI)性能

·高速開關(guān)

·低導(dǎo)通損耗

·正溫度系數(shù)

·易于并聯(lián)運行

·175℃工作溫度

·符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

·JEDEC認(rèn)證

應(yīng)用：

·感應(yīng)加熱

·變頻微波爐

·軟開關(guān)應(yīng)用