三星電子日前在韓國(guó)舉行的“AI-PIM 研討會(huì)”上透露，公司正在按計(jì)劃提升 eMRAM 內(nèi)存制造工藝，當(dāng)前已基本完成 8nm eMRAM 的研發(fā)。

作為新一代存儲(chǔ)器，MRAM（磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）利用磁效應(yīng)保存信息，無(wú)需頻繁刷新且更加節(jié)能高效。與傳統(tǒng)的 DRAM 相比，MRAM 的寫(xiě)入速度可達(dá)到 NAND 的 1000 倍，適用于高寫(xiě)入速率的應(yīng)用場(chǎng)景。

針對(duì)嵌入式市場(chǎng)的 eMRAM，三星電子現(xiàn)已具備 28nm eMRAM 的生產(chǎn)能力，并已開(kāi)始為智能手表等設(shè)備供應(yīng)此類產(chǎn)品。

據(jù)2023 年的報(bào)道，三星電子曾宣布計(jì)劃于 2024 年量產(chǎn) 14nm eMRAM，2026 年量產(chǎn) 8nm eMRAM，并預(yù)計(jì)在 2027 年實(shí)現(xiàn) 5nm eMRAM 的量產(chǎn)。

截至目前，三星電子已經(jīng)成功研發(fā)出 14nm eMRAM，8nm eMRAM 的研發(fā)工作也接近尾聲，公司仍計(jì)劃在 2027 年推出 5nm eMRAM。

此外，三星電子預(yù)測(cè)未來(lái)汽車(chē)領(lǐng)域?qū)?eMRAM 的需求將會(huì)持續(xù)增加，因?yàn)槠洚a(chǎn)品能夠承受高達(dá) 150~160℃的溫度，完全符合汽車(chē)行業(yè)對(duì)半導(dǎo)體的嚴(yán)格標(biāo)準(zhǔn)。