近日，越來(lái)越多的企業(yè)如韓國(guó) SK 海力士和三星電子正積極投身于 DRAM 微型化創(chuàng)新以及新材料研發(fā)。

據(jù) TheElec報(bào)道，SK Hynix 已決定在其第 6 帶（即 1c 工藝，約為 10nm）DRAM 生產(chǎn)過(guò)程中采用 Inpria 下一代金屬氧化物光刻膠（MOR），這是 MOR 首次應(yīng)用于 DRAM 大規(guī)模生產(chǎn)。

據(jù)悉，SK Hynix 所生產(chǎn)的 1c DRAM 包含五個(gè)極紫外（EUV）層，其中一層將采用 MOR 技術(shù)進(jìn)行繪制。同時(shí)，消息人士透露，三星電子也有意采用此類無(wú)機(jī) PR 材料。

值得注意的是，Inpria 是日本化學(xué)公司 JSR 的子公司，在無(wú)機(jī)光刻膠領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位；而 MOR 被視為先進(jìn)芯片光刻的化學(xué)放大光刻膠（CAR）的未來(lái)發(fā)展方向。

此外，自 2022 年起，Inpria 便開(kāi)始與 SK Hynix 共同開(kāi)展 MOR 研究。SK Hynix 曾表示，Sn（基）氧化物光刻膠的使用將有助于提升下一代 DRAM 的性能及降低成本。

TheElec 進(jìn)一步指出，三星電子亦在考慮將 MOR 引入 1c DRAM 生產(chǎn)，目前三星電子在 1c DRAM 上共運(yùn)用了 6~7 個(gè) EUV 層，而美光僅使用了 1 層。