SK海力士HBM4芯片前景看好
瑞銀集團最新報告指出，SK海力士的HBM4芯片預計從2026年起，每年將貢獻6至15億美元的營收。作為高帶寬內存（HBM）市場的領軍企業(yè)，SK海力士已在今年2月宣布其HBM產(chǎn)能已全部售罄，顯示其產(chǎn)品的強勁需求。
為維持市場領先地位，SK海力士不僅在技術上持續(xù)升級HBM，同時也在產(chǎn)能上大幅提升。此舉無疑將為其未來在HBM市場的競爭中奠定堅實基礎。
此外，瑞銀集團對臺積電和世界先進給予買入評級，但對日月光持中立態(tài)度。這一評級反映了瑞銀集團對各公司在半導體領域發(fā)展前景的獨到見解。
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
芯片
+關注
關注
459文章
52494瀏覽量
440692 -
SK海力士
+關注
關注
0文章
994瀏覽量
39607 -
HBM
+關注
關注
2文章
411瀏覽量
15233 -
HBM4
+關注
關注
0文章
54瀏覽量
251
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
HBM3E量產(chǎn)后，第六代HBM4要來了！
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）眼下各家存儲芯片廠商的HBM3E陸續(xù)量產(chǎn)，HBM4正在緊鑼密鼓地研發(fā)，從規(guī)格標準到工藝制程、封裝技術等都有所進展，原本SK
SK海力士HBM技術的發(fā)展歷史
SK海力士在鞏固其面向AI的存儲器領域領導地位方面，HBM1無疑發(fā)揮了決定性作用。無論是率先開發(fā)出全球首款最高性能的HBM，還是確立并保持其在面向AI的存儲器市場的領先地位，這些成就的
特斯拉欲將HBM4用于自動駕駛，內存大廠加速HBM4進程
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）近日據(jù)韓媒報道，特斯拉已向SK海力士和三星提交了HBM4的采購意向，并要求這兩家公司提供通用HBM4芯片樣品。
特斯拉也在搶購HBM 4
據(jù)報道，特斯拉已要求三星和SK海力士提供HBM4芯片樣品。這兩家半導體公司都在為特斯拉開發(fā)第六代高帶寬內存芯片原型。據(jù)KEDGlobal報道
特斯拉或向SK海力士、三星采購HBM4芯片
近日，SK海力士和三星電子正在為特斯拉公司開發(fā)第六代高帶寬內存(HBM4)芯片樣品。據(jù)悉，特斯拉計劃在測試這兩家公司提供的樣品后，選擇其中一家作為其
SK海力士展出全球首款16層HBM3E芯片
在近日舉行的SK AI峰會上，韓國存儲巨頭SK海力士向全球展示了其創(chuàng)新成果——全球首款48GB 16層HBM3E產(chǎn)品。這一產(chǎn)品的推出，標志著SK
SK海力士推出48GB 16層HBM3E產(chǎn)品
的領先地位，更為未來的高性能計算市場帶來了全新的可能性。 SK海力士CEO郭魯正(Kwak Noh-Jung)表示，盡管業(yè)界普遍認為16層HBM市場將從HBM4時代開始興起，但
英偉達加速Rubin平臺AI芯片推出,SK海力士提前交付HBM4存儲器
日，英偉達（NVIDIA）的主要高帶寬存儲器（HBM）供應商南韓SK集團會長崔泰源透露，英偉達執(zhí)行長黃仁勛已要求SK海力士提前六個月交付用于英偉達下一代AI
HBM4需求激增,英偉達與SK海力士攜手加速高帶寬內存技術革新
董事長崔泰源透露，英偉達公司首席執(zhí)行官黃仁勛已向SK海力士提出請求，希望其能提前六個月供應最新一代的高帶寬內存芯片——HBM4。
英偉達向SK海力士提出提前供應HBM4芯片要求
近日，韓國SK集團會長透露了一項重要信息，即英偉達公司的首席執(zhí)行官黃仁勛已向SK海力士提出了一項特殊的要求。黃仁勛希望SK海力士能夠提前六個
英偉達加速推進HBM4需求,SK海力士等存儲巨頭競爭加劇
韓國大型財團SK集團的董事長崔泰源在周一的采訪中透露，英偉達的首席執(zhí)行官黃仁勛已向SK集團旗下的存儲芯片制造巨頭SK海力士提出要求，希望其能
SK海力士開始先進人工智能芯片生產(chǎn)
SK海力士宣布，公司已正式踏入人工智能芯片生產(chǎn)的新階段，批量生產(chǎn)業(yè)界領先的12層HBM3E芯片。這款芯片
標普上調SK海力士評級至BBB，看好其HBM領域主導地位
近日，國際知名評級機構標準普爾全球評級（S&P Global Ratings）宣布了一項重要決策，將SK海力士的長期發(fā)行人信用及發(fā)行評級從BBB-提升至BBB，并維持穩(wěn)定的評級展望。此次上調評級，主要基于SK
SK海力士攜手臺積電，N5工藝打造高性能HBM4內存
在半導體技術日新月異的今天，SK海力士再次引領行業(yè)潮流，宣布將采用臺積電先進的N5工藝版基礎裸片來構建其新一代HBM4內存。這一舉措不僅標志著SK海
SK海力士探索無焊劑鍵合技術，引領HBM4創(chuàng)新生產(chǎn)
在半導體存儲技術的快速發(fā)展浪潮中，SK海力士，作為全球領先的內存芯片制造商，正積極探索前沿技術，以推動高帶寬內存（HBM）的進一步演進。據(jù)最新業(yè)界消息，
工商網(wǎng)監(jiān)
評論