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柔性塑料電子電路再獲重大突破性技術(shù)進(jìn)展

454398 ? 來源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:David ? 2012-11-28 23:39 ? 次閱讀
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電子發(fā)燒友網(wǎng)訊【編譯/David】:根據(jù)賓夕法尼亞大學(xué)的研究者研究表明,半導(dǎo)體材料硒化鎘能夠覆蓋在柔性塑料納米粒子的表面上,這將預(yù)示著一項重大的突破性電子技術(shù)進(jìn)展——在柔性襯底上能注入高性能電子。

該研發(fā)團(tuán)隊是由賓夕法尼亞材料科學(xué)工程系一名博士生David Kim領(lǐng)銜研發(fā),他們在一個墨汁一樣的液體中,旋轉(zhuǎn)地將納米級的硒化鎘涂布分散在一個柔性塑料薄膜上。該項突破性進(jìn)展目前已經(jīng)被刊登在《自然通訊》雜志中。

除了具有高速這一特點外,硒化鎘還具有優(yōu)于非晶硅的溫度特性。非晶硅通常要在幾百度高溫下進(jìn)行工作,硒化鎘納米粒子只需在室溫或常溫下便可正常工作,這將為未來大規(guī)模使用柔性塑料電子電路打下堅實基礎(chǔ)。

柔性電子樣品的最終制造是在賓夕法尼亞大學(xué)的切麗·卡根教授實驗室完成

圖片材料提供: David Kim/Yuming Lai, Penn

使用該工藝,研究者建立了三種應(yīng)用電路模型用來測試該納米晶體的性能,該模型分別是:逆變器放大器、環(huán)形振蕩器。

“該項研究還打破了應(yīng)用各種納米晶體的限制顧慮,正如我們展示的,今后在材料方面不會有任何限制,”David Kim表示。

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