盡管此前臺(tái)積電堅(jiān)稱無需最新型ASML高數(shù)值孔徑EUV光刻機(jī)仍能過得不錯(cuò)，但如今該公司似乎對(duì)此產(chǎn)生了動(dòng)搖。臺(tái)積電首席執(zhí)行官此次悄悄造訪ASML總部，暗示其態(tài)度出現(xiàn)轉(zhuǎn)變。

宿敵英特爾則積極投身于新興高數(shù)值孔徑超紫外光刻領(lǐng)域，已有數(shù)臺(tái)設(shè)備投入其芯片制造部門使用。據(jù)透露，英特爾正計(jì)劃在即將推出的18A（1.8納米）工藝節(jié)點(diǎn)中試行高數(shù)值孔徑EUV光刻技術(shù)，并將其正式引入14A（1.4納米）制造工藝。

相較而言，臺(tái)積電公開宣稱現(xiàn)有低噪聲EUV光刻機(jī)可支撐至2026年。對(duì)于即將面世的A16工藝節(jié)點(diǎn)，該公司滿足于通過工藝改良，如多重掩模提高生產(chǎn)效率及納米片晶體管設(shè)計(jì)等方式提升產(chǎn)品性能。此外，臺(tái)積電還依賴背面供電以增強(qiáng)其產(chǎn)品在人工智能任務(wù)中的表現(xiàn)。

值得關(guān)注的是，5月26日，臺(tái)積電首席執(zhí)行官魏哲家未出席2024年技術(shù)研討會(huì)，反而秘密拜訪了ASML位于荷蘭的總部。

據(jù)Business Korea報(bào)道，從ASML首席執(zhí)行官Christopher Fuke與通快集團(tuán)首席執(zhí)行官Nicola Leibinger-Kammüller的社交媒體動(dòng)態(tài)中，我們得以窺見魏哲家此行的部分細(xì)節(jié)。

按照臺(tái)積電原定計(jì)劃，該公司預(yù)計(jì)在推出基于1.6納米的產(chǎn)品之后，方才采納高數(shù)值孔徑EUV光刻技術(shù)。然而，魏哲家此次秘密訪問ASML總部的舉動(dòng)令人驚訝，暗示臺(tái)積電當(dāng)前發(fā)展路徑可能存在變數(shù)，或正在對(duì)未來運(yùn)營策略進(jìn)行全面審視。