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臺積電CEO魏哲家尋求高數(shù)值孔徑EUV設(shè)備 赴ASML和TRUMPF訪問

微云疏影 ? 來源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2024-05-28 15:52 ? 次閱讀
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據(jù)韓媒Business Korea報道,臺積電CEO魏哲家未出席本應(yīng)由其主持的5月23日“臺積電2024技術(shù)研討會”,而是選擇赴荷蘭與ASML及TRUMPF進(jìn)行商務(wù)洽談。

ASML CEO Christophe Fouquet和TRUMPF CEO Nicola Leibinger-Kammüller通過社交媒體公開了魏總此次秘密行程。

Fuke表示,他們向魏總展示了最新的技術(shù)和產(chǎn)品,特別是關(guān)于高數(shù)值孔徑(High NA)EUV設(shè)備對未來半導(dǎo)體微處理技術(shù)的影響。

早前,臺積電張曉強博士在5月14日阿姆斯特丹的技術(shù)研討會上坦誠表示,雖然ASML的High-NA EUV設(shè)備性能出色,但其售價過高。

臺積電計劃在2026年下半年量產(chǎn)的A16產(chǎn)品后引入High NA EUV設(shè)備,并在此之前繼續(xù)使用現(xiàn)有的Low NA EUV設(shè)備。

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