三星HBM芯片雖通過英偉達測試，仍存挑戰(zhàn)
據(jù)媒體報道，三星最新的高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片至今仍未通過英偉達檢驗。有三位相關(guān)知情者稱，此芯片面臨著熱能及能耗過高等難題。同時，這也直接影響到了HBM3和HBM3E兩款芯片的表現(xiàn)。
對此，三星在聲明中回應道，HBM為定制化內(nèi)存產(chǎn)品，需依據(jù)客戶需求進行優(yōu)化流程。此外，他們正積極與客戶緊密合作以提升產(chǎn)品性能。對于具體客戶，三星并未作出評價。而英偉達則選擇保持沉默。
據(jù)悉，自去年起，三星便致力于通過英偉達的測試以證明HBM3和HBM3E的性能。兩位知情者透露，三星8層和12層HBM3E芯片的測試結(jié)果于今年4月公布，均未達到預期效果。
至于這些問題能否迅速得到解決，三位知情者表示，未能滿足英偉達的要求無疑加劇了業(yè)內(nèi)和投資者的憂慮，擔心三星將在與SK海力士和美光等競爭對手的較量中落入下風。
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