Littelfuse宣布推出IX4352NE低側SiC MOSFET和IGBT柵極驅動器。這款創(chuàng)新的驅動器專門設計用于驅動工業(yè)應用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。

IX4352NE低側柵極驅動器

IX4352NE的主要優(yōu)勢在于其獨立的9A拉/灌電流輸出，支持量身定制的導通和關斷時序，同時將開關損耗降至最低。內(nèi)部負電荷調(diào)節(jié)器還能提供用戶可選的負柵極驅動偏置，以實現(xiàn)更高的dV/dt抗擾度和更快的關斷速度。該驅動器的工作電壓范圍（VDD - VSS）高達35V，具有出色的靈活性和性能。

IX4352NE的突出功能之一是配備內(nèi)部負電荷泵調(diào)節(jié)器，無需外部輔助電源設備或DC/DC轉換器。該功能對于關斷SiC MOSFET尤其實用，可以節(jié)省外部邏輯電平轉換器電路通常所需的寶貴空間。邏輯輸入與標準TTL或CMOS邏輯電平兼容，進一步增強了節(jié)省空間的能力。

IX4352NE非常適合在各類工業(yè)應用中驅動SiC MOSFET，例如：

車載和非車載充電器

功率因數(shù)校正（PFC）

DC/DC轉換器

電機控制器，和工業(yè)電源逆變器

卓越的性能使其成為電動汽車、工業(yè)、替代能源、智能家居和樓宇自動化市場中要求苛刻的電力電子應用的理想選擇。

憑借其全面的功能，IX4352NE簡化了電路設計并提供了更高的集成度。內(nèi)置保護功能，如帶軟關斷灌電流驅動器的去飽和檢測（DESAT）、欠壓鎖定（UVLO）和熱關斷（TSD）等，可確保功率器件和柵極驅動器得到保護。集成的開漏FAULT輸出向微控制器發(fā)出故障信號，增強了安全性和可靠性。此外，IX4352NE還能節(jié)省寶貴的PCB空間并提高電路密度，有助于提高整體系統(tǒng)效率。

對現(xiàn)有IX4351NE的顯著改進包括：

由DESAT啟動的安全軟關斷

高閾值精度熱關斷

電荷泵在熱關斷期間的工作能力

新款IX4352NE與引腳兼容，可無縫替換指定使用現(xiàn)有Littelfuse IX4351NE的設計，該設計于2020年發(fā)布。

“IX4352NE通過一種新型9A拉/灌電流驅動器擴展了我們廣泛的低側柵極驅動器系列，簡化了SiC MOSFET所需的柵極驅動電路?！盠ittelfuse集成電路部（SBU）產(chǎn)品經(jīng)理June Zhang表示，“其各種內(nèi)置保護功能和集成電荷泵提供了可調(diào)的負柵極驅動電壓，能提高dV/dt抗擾度和關斷速度。因此，該產(chǎn)品可以用來驅動任何SiC MOSFET或功率IGBT，無論是Littelfuse器件還是市場上任何其他類似器件?！?/p>

審核編輯：劉清