據(jù)報(bào)道，臺積電于近期發(fā)布的北美技術(shù)論壇上披露了A16節(jié)點(diǎn)的關(guān)鍵信息，該節(jié)點(diǎn)將搭載更多晶體管，以提升計(jì)算效率并降低能耗。

據(jù)悉，臺積電A16工藝節(jié)點(diǎn)采用了全新Super PowerRail背面供電技術(shù)，相較于英特爾的正面供電技術(shù)更為復(fù)雜，能夠更好地滿足AI芯片及數(shù)據(jù)中心的發(fā)展需求。

隨著晶體管尺寸減小、密度增加以及堆疊層數(shù)增多，為晶體管提供電源和傳輸數(shù)據(jù)信號變得愈發(fā)困難，需穿越10至20層堆棧，使得線路設(shè)計(jì)難度大幅提升。

臺積電通過采用背面供電技術(shù)，將供電線路置于晶體管下方，有效解決了IR壓降問題。

IT之家引用臺積電官方新聞稿指出，晶體管主要由源極、汲極、通道和閘極四大組件構(gòu)成。其中，源極為電流進(jìn)入晶體管的入口，汲極為出口；通道與柵極則分別負(fù)責(zé)協(xié)調(diào)電子運(yùn)動。

相比之下，臺積電A16節(jié)點(diǎn)制程技術(shù)中的電力傳輸線直接連通源極與汲極，使其比英特爾的背面供電技術(shù)更為復(fù)雜。臺積電表示，此舉旨在提升客戶芯片的效能。

臺積電表示，在同等工作電壓（Vdd）下，采用Super PowerRail的A16節(jié)點(diǎn)運(yùn)算速度可比N2P快8~10%；在同樣運(yùn)算速度下，功耗降低15%~20%，芯片密度提升達(dá)1.10倍。