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qCMOS相機(jī)與EM-CCD相機(jī) – 光子計(jì)數(shù)相機(jī)的性能比較

jf_64961214 ? 來源:jf_64961214 ? 作者:jf_64961214 ? 2024-03-26 10:26 ? 次閱讀
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在提供適合客戶需求的科學(xué)相機(jī)時(shí),傳統(tǒng)趨勢是使用超靈敏 EM-CCD(電子倍增 CCD)相機(jī)在極低光照區(qū)域進(jìn)行測量,以及大像素?cái)?shù)的 sCMOS(科學(xué) CMOS)相機(jī),在相對明亮的區(qū)域具有高速度和高動態(tài)范圍。與此同時(shí),CMOS技術(shù)不斷發(fā)展,特別是在噪聲特性方面,我們發(fā)布了配備qCMOS(定量CMOS)傳感器的相機(jī),這是一種標(biāo)志著圖像傳感器新時(shí)代的曙光的新傳感器。

qCMOS 相機(jī)被定位為超靈敏相機(jī),由于其極低的噪聲性能,可提供終極定量成像。因此,在比較 qCMOS 和 EM-CCD 相機(jī)時(shí),有必要判斷哪種相機(jī)最適合您的應(yīng)用。本文的目的是比較 qCMOS 和 EM-CCD 相機(jī),以幫助您選擇最適合您的應(yīng)用的相機(jī)。

傳感器技術(shù)和光子探測性能

本節(jié)介紹從信號采集到后續(xù)數(shù)字輸出的過程,以比較傳感器技術(shù)和qCMOS和EM-CCD相機(jī)的光子檢測性能。

圖1顯示了相機(jī)從信號采集到數(shù)字輸出的過程。入射到傳感器上的光子根據(jù)傳感器的量子效率以概率轉(zhuǎn)換為光電子。然后,光電子被轉(zhuǎn)換為電壓并由浮動擴(kuò)散放大器(FDA)放大,隨后由模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)轉(zhuǎn)換為數(shù)字值,最后輸出數(shù)字值。

在科學(xué)相機(jī)中,這一過程中的噪聲特性極大地影響了極低光區(qū)域的測量。特別是,對于超靈敏相機(jī)來說,在光電子信號的數(shù)字轉(zhuǎn)換中盡可能降低讀出噪聲非常重要。

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圖 1.從信號采集到數(shù)字輸出的過程

qCMOS和EM-CCD相機(jī)使用不同的方法來降低讀出噪聲,從而能夠在單個(gè)光電子水平上檢測信號。

qCMOS相機(jī)采用超精細(xì)CMOS電路技術(shù),可實(shí)現(xiàn)極低的讀出噪聲。如圖2所示,當(dāng)分別讀出1、2、3、...的光電子信號時(shí),qCMOS讀出噪聲足夠低于信號,無法從輸出結(jié)果中精確地確定光電子的數(shù)量。通過這種方式,qCMOS相機(jī)提供了最終的定量成像,以便可以區(qū)分輸入的光電子數(shù)。

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圖2.qCMOS相機(jī)中的讀出過程和光子數(shù)解析

或者,使用EM-CCD相機(jī),雖然讀出噪聲本身非常大,但光電子信號通過電子倍增機(jī)制增加(如圖1所示),與圖3所示的增益信號相比,讀出噪聲相對降低。

然而,由于探測器中的倍增過程總是在信號中產(chǎn)生較大的波動,稱為過量噪聲,因此即使與信號相比,讀出噪聲相對最小,EM-CCD也無法區(qū)分原始光電子數(shù)。因此,盡管EM-CCD相機(jī)可以通過電子倍增來檢測讀出噪聲低的單光子級信號,但由于噪聲過大,定量特性會丟失。

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圖3.EM-CCD相機(jī)中的讀出過程和光子數(shù)解析

表1總結(jié)了本節(jié)中描述的qCMOS和EM-CCD相機(jī)的功能比較。

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表 1.qCMOS和EM-CCD相機(jī)的功能比較

此外,下面還顯示了qCMOS相機(jī)和EM-CCD相機(jī)之間的實(shí)際成像示例。

可以看出,與EM-CCD相機(jī)相比,不使用電子倍增的qCMOS相機(jī)具有更小的圖像幀間波動,從而實(shí)現(xiàn)了高度定量成像。

SNR(信噪比)與像素尺寸考慮因素的比較

本節(jié)通過SNR(信噪比)比較qCMOS和EM-CCD相機(jī),SNR通常用于相機(jī)性能的定量討論。

圖4顯示了SNR的公式。(此處省略了EM-CCD中的暗電流時(shí)鐘感應(yīng)電荷(CIC)噪聲。

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圖4.信噪比公式

信噪比取決于傳感器的入射光量,因此在按入射光水平比較多個(gè)相機(jī)時(shí),通常有兩個(gè)條件需要比較,即:

1.當(dāng)每個(gè)像素的光子強(qiáng)度相等時(shí)

2.當(dāng)每個(gè)傳感器區(qū)域的光子強(qiáng)度相等時(shí)

圖5顯示了qCMOS(ORCA-Quest)、EM-CCD(ImagEM X2)和第三代sCMOS(ORCA-Fusion BT,前幾代ORCA-Quest)在每像素光強(qiáng)相等時(shí)的SNR比較,圖6顯示了每個(gè)傳感器區(qū)域的光強(qiáng)度相等時(shí)的SNR比較。這些圖表顯示了相對信噪比 (rSNR),其中所有數(shù)據(jù)都?xì)w一化為像素尺寸為 6.5 μm、零噪聲和 100% QE 的假想“完美相機(jī)”。

讓我們看一下每個(gè)像素的光強(qiáng)度相等的情況(圖 5)。這種情況假設(shè)最佳光學(xué)系統(tǒng)是針對每個(gè)相機(jī)的像素大小構(gòu)建的。在CMOS相機(jī)中,SNR也會隨著光強(qiáng)度的降低而降低,因?yàn)闊o論光強(qiáng)度如何,讀出噪聲都是恒定的。另一方面,EM-CCD相機(jī)使用乘法來最小化讀出噪聲,因此信噪比隨光照水平變化不大,但由于倍增波動的持續(xù)存在,信噪比在明亮區(qū)域區(qū)域的SNR小于CMOS相機(jī)。因此,傳統(tǒng)趨勢是sCMOS相機(jī)在明亮區(qū)域更勝一籌,而EM-CCD相機(jī)在低光區(qū)域更勝一籌。然而,隨著CMOS技術(shù)的最新發(fā)展,即使在0.1光子/像素/幀下,qCMOS相機(jī)在極低光度區(qū)域的SNR也與EM-CCD相機(jī)相當(dāng)。

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圖5.每像素光強(qiáng)度相等時(shí)的信噪比比較

接下來,讓我們看一下每個(gè)傳感器區(qū)域的光強(qiáng)度相等的情況(圖 6)。這種情況假設(shè)相機(jī)更換為光學(xué)元件不變。由于CMOS相機(jī)的像素尺寸比EM-CCD相機(jī)小,因此每個(gè)像素的光量更小,因此本比較包括CMOS相機(jī)的SNR數(shù)據(jù),與EM-CCD相比,CMOS相機(jī)具有合并功能,可將等效的光量輸入到像素單元中。

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圖6.每個(gè)傳感器區(qū)域的光強(qiáng)度相等時(shí)的信噪比比較

表2顯示了比較條件和適合這些條件的實(shí)際情況。

由于CMOS傳感器的架構(gòu),當(dāng)執(zhí)行NXN像素合并時(shí),每個(gè)像素合并像素的讀出噪聲比單個(gè)像素的讀出噪聲增加N倍。因此,在用qCMOS相機(jī)替換像素尺寸較大的相機(jī)時(shí),建議構(gòu)建一個(gè)針對qCMOS相機(jī)像素尺寸進(jìn)行優(yōu)化的光學(xué)系統(tǒng),而無需合并,以最大限度地提高其性能,以便進(jìn)行公平的比較。

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表 2.信噪比比較條件及相應(yīng)情況

qCMOS相機(jī)的多功能性

將qCMOS相機(jī)與EM-CCD相機(jī)進(jìn)行比較時(shí),qCMOS相機(jī)的優(yōu)勢之一是多功能性。qCMOS相機(jī)是一種混合相機(jī),它結(jié)合了傳統(tǒng)sCMOS相機(jī)的優(yōu)點(diǎn)和與EM-CCD相當(dāng)?shù)臉O低噪聲。以下是可以使用qCMOS相機(jī)的應(yīng)用列表。

● 具有極致定量性的超靈敏成像,能夠以較慢的幀速率解析光子數(shù)。

● 高幀率高靈敏度成像(EM-CCD中的幀速率較慢)

● 高動態(tài)范圍的高靈敏度成像(EM-CCD因電子倍增而犧牲動態(tài)范圍)

● 寬視場和高分辨率成像,像素?cái)?shù)大

● CMOS相機(jī)中的旗艦暗電流性能,適用于需要長時(shí)間曝光的應(yīng)用

EM-CCD相機(jī)的主要區(qū)域

圖5和圖6中的相對SNR比較表明,EM-CCD相機(jī)在低于0.1光子/像素/幀的極低光區(qū)域性能優(yōu)于qCMOS相機(jī)。然而,0.1光子/像素/幀的“絕對信噪比值”非常小,以至于樣本幾乎看不見,埋在噪聲中。圖 7 顯示了使用 Hamamatsu Photonics 的相機(jī)仿真引擎對測試圖表樣本(入射光水平:0.1、0.5、1.0、10 個(gè)光子/像素/幀,波長:475 nm,成像區(qū)域:512X512 像素,背景光:0,每個(gè)圖像相對于自身自動縮放)的圖像模擬。如這些圖像所示,兩臺相機(jī)都無法在0.1光子/像素/幀下檢測到大部分樣本,因此這意味著EM-CCD在這種光水平下的SNR優(yōu)勢毫無意義。

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圖7.弱光區(qū)域測試圖表樣品仿真結(jié)果

EM-CCD相機(jī)使用電子倍增來盡可能減少讀出噪聲,因此在沒有背景光的情況下,黑暗區(qū)域幾乎沒有噪聲,如圖7所示。然而,在存在背景光的實(shí)際情況下,背景光也會成倍增加,從而在黑暗區(qū)域產(chǎn)生明顯的噪點(diǎn)。

對于這種極低光區(qū)域的應(yīng)用,成像通常在非常長的曝光時(shí)間下進(jìn)行,以實(shí)現(xiàn)可觀察到的信噪比,例如超過 1 個(gè)光子/像素/幀。在這種情況下,EM-CCD相機(jī)在極低光下區(qū)域進(jìn)行長時(shí)間曝光時(shí)仍然比qCMOS相機(jī)具有優(yōu)勢,因?yàn)閭鞲衅鞯睦鋮s性能實(shí)現(xiàn)了極低的暗電流。

EM-CCD是一種成熟的傳感器技術(shù),由于CMOS技術(shù)的不斷發(fā)展,其優(yōu)勢正在逐漸喪失。然而,在實(shí)驗(yàn)中,仍然需要根據(jù)光照水平和曝光時(shí)間來判斷qCMOS相機(jī)或EM-CCD相機(jī)是否具有更好的SNR。

結(jié)論

qCMOS相機(jī)是一種混合相機(jī),它結(jié)合了傳統(tǒng)sCMOS相機(jī)的優(yōu)點(diǎn)和相當(dāng)于EM-CCD相機(jī)的極低噪聲,因此qCMOS相機(jī)將為傳統(tǒng)的科學(xué)測量帶來新的突破。

隨著CMOS技術(shù)的不斷發(fā)展,qCMOS傳感器將變得更好。我們希望本文能成為客戶了解qCMOS相機(jī)新技術(shù)的起點(diǎn),并通過比較其與其他光子計(jì)數(shù)探測器(如EM-CCD)的性能來選擇理想探測器。

審核編輯 黃宇

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