較為激進(jìn)的技術(shù)路線(xiàn),以挽回局面。
4 月 18 日消息,據(jù)韓媒《ChosunBiz》當(dāng)?shù)貢r(shí)間 16 日?qǐng)?bào)道,三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內(nèi)存邏輯芯片的初步測(cè)試生產(chǎn)中取得了40% 的良
發(fā)表于 04-18 10:52
近期,三星電子設(shè)備解決方案(DS)部門(mén)負(fù)責(zé)人兼副董事長(zhǎng)全永鉉(Jun Young-hyun)與英偉達(dá)公司CEO黃仁勛,在加利福尼亞州桑尼維爾的英偉達(dá)
發(fā)表于 02-18 11:00
?525次閱讀
據(jù)韓媒報(bào)道,三星電子已將其1c nm DRAM內(nèi)存開(kāi)發(fā)的良率里程碑時(shí)間推遲了半年。原本,三星計(jì)劃在2024年底將1c nm制程DRAM的
發(fā)表于 01-22 15:54
?546次閱讀
(High Bandwidth Memory 4)內(nèi)存規(guī)劃方面產(chǎn)生影響。 原本,三星電子計(jì)劃在2024年12月前將1c nm制程DRAM的良率提升
發(fā)表于 01-22 14:27
?594次閱讀
nm DRAM。 這一新版DRAM工藝項(xiàng)目被命名為D1B-P,其重點(diǎn)將放在提升能效和散熱性能上。這一命名邏輯與三星此前推出的第六代V-NAND改進(jìn)版制程V6P相似,顯示出三星在半導(dǎo)體工藝研發(fā)上的持續(xù)創(chuàng)新與投入。 據(jù)了解,在決定
發(fā)表于 01-22 14:04
?781次閱讀
據(jù)外媒最新報(bào)道,三星電子預(yù)計(jì)其第四季度的利潤(rùn)增長(zhǎng)將呈現(xiàn)放緩趨勢(shì),主要原因在于難以滿(mǎn)足英偉達(dá)對(duì)人工智能(AI)芯片的強(qiáng)勁市場(chǎng)需求。
發(fā)表于 01-08 14:33
?417次閱讀
三星電子近期在韓國(guó)市場(chǎng)推出了一項(xiàng)創(chuàng)新的AI訂閱俱樂(lè)部計(jì)劃,該計(jì)劃旨在為消費(fèi)者提供一個(gè)全新的方式來(lái)體驗(yàn)和享受三星的高端家電及
發(fā)表于 12-13 15:42
?789次閱讀
近日,英偉達(dá)首席執(zhí)行官黃仁勛近日在接受采訪(fǎng)時(shí)透露,英偉達(dá)正在全力加速對(duì)三星最新推出的AI存儲(chǔ)
發(fā)表于 11-26 10:22
?564次閱讀
近日,英偉達(dá)公司正在積極推進(jìn)對(duì)三星AI內(nèi)存芯片的認(rèn)證工作。據(jù)英偉
發(fā)表于 11-25 14:34
?566次閱讀
據(jù)外媒最新報(bào)道,三星電子有望重新獲得英偉達(dá)的未來(lái)新款游戲芯片(GPU)制造訂單,這一消息為三星的市場(chǎng)前景注入了新的活力。
發(fā)表于 10-21 18:11
?813次閱讀
近日,知名市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce在最新發(fā)布的報(bào)告中宣布了一項(xiàng)重要進(jìn)展:三星電子的HBM3E內(nèi)存產(chǎn)品已成功通過(guò)英偉達(dá)驗(yàn)證,并正式開(kāi)啟出貨流程。具體而言,三星的HBM3E 8Hi
發(fā)表于 09-05 17:15
?1001次閱讀
)差異導(dǎo)致的芯片翹曲及系統(tǒng)潛在故障問(wèn)題。為解決這一問(wèn)題,英偉達(dá)已著手重新設(shè)計(jì)GPU芯片的頂部金屬層和凸點(diǎn)結(jié)構(gòu),旨在提升產(chǎn)品
發(fā)表于 09-04 16:40
?1062次閱讀
進(jìn)入八月,市場(chǎng)傳言四起,韓國(guó)存儲(chǔ)芯片巨頭三星電子(簡(jiǎn)稱(chēng)“三星”)的8層HBM3E內(nèi)存(新一代高帶寬內(nèi)存產(chǎn)品)已順利通過(guò)英偉達(dá)嚴(yán)格測(cè)試。然而,
發(fā)表于 08-23 15:02
?1035次閱讀
近日,有關(guān)三星的8層HBM3E芯片已通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試的報(bào)道引起了廣泛關(guān)注。然而,三星電子迅速對(duì)此傳聞進(jìn)行了回應(yīng),明確表示該報(bào)道并不屬實(shí)。
發(fā)表于 08-08 10:06
?845次閱讀
韓國(guó)新聞源NewDaily近日發(fā)布了一則報(bào)道,聲稱(chēng)三星電子的HBM3e芯片已成功通過(guò)英偉達(dá)的產(chǎn)品測(cè)試,預(yù)示著即將開(kāi)啟大規(guī)模生產(chǎn)并向英偉
發(fā)表于 07-05 16:09
?883次閱讀
評(píng)論