德州儀器，作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商，近日宣布正在積極推進(jìn)其氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝從當(dāng)前的6英寸向8英寸過(guò)渡。這一重大舉措旨在進(jìn)一步提高生產(chǎn)效率、降低成本，并鞏固公司在GaN半導(dǎo)體市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。

據(jù)德州儀器韓國(guó)總監(jiān)Ju-Yong Shin透露，公司傳統(tǒng)上采用6英寸工藝生產(chǎn)氮化鎵半導(dǎo)體，但隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和市場(chǎng)需求的日益增長(zhǎng)，6英寸工藝已逐漸難以滿足高效、大規(guī)模的生產(chǎn)需求。因此，德州儀器決定對(duì)生產(chǎn)工藝進(jìn)行升級(jí)，以適應(yīng)市場(chǎng)發(fā)展的新趨勢(shì)。

德州儀器計(jì)劃在其位于達(dá)拉斯的工廠率先實(shí)現(xiàn)這一過(guò)渡，預(yù)計(jì)將在2025年之前完成8英寸工藝的量產(chǎn)。同時(shí)，位于日本會(huì)津的工廠也正在緊鑼密鼓地將現(xiàn)有的硅基8英寸產(chǎn)線轉(zhuǎn)換為GaN半導(dǎo)體產(chǎn)線，以進(jìn)一步提升公司的整體產(chǎn)能和效率。