近期,武漢新芯成功申報了三項(xiàng)備案計(jì)劃,包括高帶寬存儲器用多晶圓三維集成技術(shù)研究及其產(chǎn)業(yè)化、C2W混合鍵合技術(shù)研發(fā)與生產(chǎn)線建立以及高容值密度深溝槽電容制造流程技術(shù)研發(fā)項(xiàng)目。
首先,高帶寬存儲器用多晶圓三維集成技術(shù)研究及其產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目旨在構(gòu)建多晶圓堆疊技術(shù)生產(chǎn)線,引進(jìn)16臺生產(chǎn)設(shè)備實(shí)現(xiàn)每月至少3000片(12英寸)產(chǎn)量。
其次,C2W混合鍵合技術(shù)研發(fā)與生產(chǎn)線建立項(xiàng)目借助三維集成芯粒與晶圓混合鍵合(C2W)工藝平臺,提高芯片自由度和性能,改善良品率。預(yù)計(jì)該項(xiàng)目將帶來月產(chǎn)3000片(12英寸)的產(chǎn)出能力,同時還需增加約27臺研發(fā)和生產(chǎn)設(shè)備。
最后,高容值密度深溝槽電容制造工藝技術(shù)研發(fā)項(xiàng)目通過使用深溝槽光刻術(shù)、刻蝕術(shù)、高介電常數(shù)介質(zhì)沉積和多層重布線等技術(shù),打造高電容密度、低漏電流、高擊穿電壓且在不同頻率和電壓條件下保持穩(wěn)定電容值的深溝槽電容顆粒。預(yù)計(jì)這個項(xiàng)目將推動我國深溝槽電容芯片自給自足,其中研發(fā)和生產(chǎn)設(shè)備將增加約14臺,最終實(shí)現(xiàn)每月產(chǎn)能1000片12英寸晶圓。
值得注意的是,武漢新芯在2月29日發(fā)生多項(xiàng)工商變更。前股東長江存儲科技控股有限責(zé)任公司撤出,取而代之的是中國互聯(lián)網(wǎng)投資基金(有限合伙)、中銀金融資產(chǎn)投資有限公司、建信金融資產(chǎn)投資有限公司以及農(nóng)業(yè)銀行金融資產(chǎn)投資有限公司等新的投資者。其注冊資本規(guī)模也由約57.82億人民幣上升至約84.79億人民幣,增幅超過46.64%。同時,公司高層管理團(tuán)隊(duì)也換血。
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