三星正著手采用MUF技術來提升其DRAM性能。據TheElec消息報道，近期該公司針對一款3D堆棧內存進行了MR MUF工藝測試，盡管此項技術在吞吐量上有所提高，但其物理特性卻有所下降。

依照測試結果，三星認為MUF并不適應于HBM，但對于3DS RDIMM卻具有極高的適用性。目前，3DS RDIMM使用的是硅通孔（TSV）技術，主要服務于服務器領域。

MUF為一種在半導體上制作微小孔洞，同時將上下層半導體結合的技術。借助這種方式，可以將垂直排列的多個半導體緊密地連接并固定。

此前，三星已在其現有注冊雙列直插式內存模塊（RDIMM）中應用了熱壓非導電膜（TC NCF）技術；相比之下，SK海力士則偏向選用Mass Re-flow Molded Underfill（MR-MUF，即大規(guī)模重新流動模塑填充劑）以制造HBM。

值得注意的是，為防止晶圓彎曲，業(yè)內普遍認為選用MUF材質可能更為理想。據悉，SK海力士使用的就是與Namics共同研發(fā)的首選MUF化合物。然而，據知情人士透露，三星正在與三星SDI聯合嘗試開發(fā)自家的MUF化合物，且已預訂相應的模壓設備。

作為全球最大的存儲器制造商，若三星選擇采用MUF技術，無疑將會推動這一科技成為主流趨勢，從而對全球半導體材料市場產生深遠影響。不過，三星電子當前尚未公開回應此事，僅表示“無法確認內部技術戰(zhàn)略”。