前面講解過如何防止熱插拔燒壞單片機 和芯片燒壞時發(fā)生了什么？為什么總是VDD短路？甚至封裝開裂冒煙？ 很多網(wǎng)友熱烈討論，其中大家最常用和慣性的經(jīng)驗就是GPIO防護使用TVS。

那么也看到有評論說用了TVS后IO口還是燒壞了，那么今天我們聊聊對于ESD/EOS怎么防護效果最好？TVS如何使用效果最佳呢？

前面視頻講過物理損壞最終一般是熱應力損壞，而損壞原因無非是兩個：能量過大和介質太薄弱。

1、首先對于能量過大，我們最簡單的做法是消耗這個能量，那么最低成本就是電阻，使用電阻限制住能量在通道上的傳輸，限制最終進入IC內部的能量。

2、對于介質太薄弱，我們可以理解一般CPU、MCU、存儲器、邏輯器件這類芯片都是數(shù)字芯片，一般采用比較先進的制程工藝，芯片內部的管子尺寸、線寬和厚度都是非常小的，所以這類芯片相對電源、功率器件都是較為薄弱的介質。所以我們需要對干擾和能量在進入芯片前進行泄放。

所以防護手段簡單來說兩個：堵和疏。那電阻的作用就是堵，TVS的作用就是疏。

那為什么會有加了TVS還是疏不通芯片被燒的情況呢？

其實不是疏不通，而是疏得不夠快，疏得不夠快的原因可能是TVS放置位置不佳，同時還有一個很多人會忽略的點，就是芯片IO內部一般也有疏通路徑（鉗位二極管）。

IO口結構上一般都有鉗位二極管，通過MOS的寄生二極管實現(xiàn)的，其主要用途是ESD保護用，不過這個ESD主要指HBM等人體放電、空氣放電ESD類型，這種ESD特點是電壓高但時間快，所以能量是有限的，芯片內部二極管快速動作就可以把能量從VDD、VSS泄放掉。

所以這個圖的瞬間過壓產(chǎn)生時電流路徑，這個內部鉗位二極管會和外部TVS分攤疏通路徑，讓大部分能量還是進入了芯片內部，如果是浪涌能量則內部的ESD電路是無法承受，芯片就容易在有TVS的情況下還是被燒壞。

所以我們可以在TVS路徑后添加一個電阻，這樣過壓產(chǎn)生時，電阻限制了從這個路徑上到芯片內部的電流，同時讓IO口測的電壓在電流經(jīng)過時低于外部TVS處，TVS也能先于內部開啟，發(fā)揮出TVS的最大作用。

改善后的外部電路如下，來自紅楓派開發(fā)板原理圖的復位電路接口設計，一定要注意的是路徑先經(jīng)過TVS再經(jīng)過電阻后連接到GPIO口，歡迎大家購買紅楓派開發(fā)板一起交流學習。