據(jù)存儲(chǔ)網(wǎng)絡(luò)行業(yè)協(xié)會(huì)（SNIA）專家預(yù)測(cè)，21世紀(jì)20年代末將迎來(lái)持久內(nèi)存（PMEM）革命，暗示新技術(shù)或?qū)⒊?a href="http://www.socialnewsupdate.com/tags/dram/" target="_blank">DRAM等傳統(tǒng)存儲(chǔ)技術(shù)。

IT之家指出，作為內(nèi)存與外部存儲(chǔ)器結(jié)合體的持久內(nèi)存，其高速持久化特性在解決磁盤IO性能問(wèn)題中顯露出更強(qiáng)的潛力。

SNIA的Arthur Sainio、Tom Coughlin和Jim Handy表示，如SK海力士和美光研發(fā)的鉿鐵電隨機(jī)存取內(nèi)存，盡管已達(dá)到現(xiàn)代DRAM速度，但目前尚不知曉何種新興內(nèi)存技術(shù)會(huì)脫穎而出，從而取代DRAM在PC和服務(wù)器中的地位。

鐵電隨機(jī)存取內(nèi)存憑借其快速寫入周期的優(yōu)勢(shì)，吸引了眾多關(guān)注。此外，競(jìng)爭(zhēng)者還包括MRAM、FERAM以及ReRAM等新興存儲(chǔ)技術(shù)。

專家認(rèn)為，MRAM與其他競(jìng)爭(zhēng)者相比有顯著優(yōu)勢(shì)，在不久將來(lái)讀取速度有望趕超DRAM。冷離子自旋閥（STT-RAM）、自旋軌道力矩（spintronics）和電壓調(diào)控磁各向異性磁隨機(jī)存儲(chǔ)器（VCMRRAM）等新技術(shù)亦在不斷縮短MRAM的寫入延遲，使其成為潛在替代DRAM的領(lǐng)先方案之一。

其中，MRAM為磁阻式隨機(jī)存取內(nèi)存，其讀取速度接近SRAM，非揮發(fā)性堪比快閃存儲(chǔ)器，而容量密度和使用壽命不遜于DRAM，單位能耗遠(yuǎn)低于DRAM，被譽(yù)為真正的通用型內(nèi)存。

FeRAM鐵電隨機(jī)存取內(nèi)存則相較SDRAM更進(jìn)一步，展示出具有非揮發(fā)性內(nèi)存的潛能。

至于ReRAM可變電阻式存儲(chǔ)器，作為新型非易失性存儲(chǔ)器的代表，正同磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器一道引領(lǐng)新世代存儲(chǔ)革命的到來(lái)。