三星電子宣告將深化其與ARM公司多年來的深入合作關系，以利用其全球最先進的Gate-All-Around（GAA）制程技術優(yōu)化下一代Arm ? Cortex ? -X CPU。雙方有雄心壯志，期望革新2nm GAA制程工藝，而這項技術將專供于極具前景的數據中心及基礎設施定制芯片。此外，他們還將共同研發(fā)創(chuàng)新型AI芯片解決方案，極大地改變emerging AI移動計算市場。

三星繼續(xù)推進工藝技術的進步，近年來首次量產了基于2022年GAA技術的3nm MBCFET ? 。GAA技術不僅能夠大幅減小設備尺寸，降低供電電壓，增強功率效率，同時也能增強驅動電流，進而實現更高的性能表現。

借助三星最新的GAA工藝節(jié)點，AMD也對其最新的Cortex-X CPU進行了深度優(yōu)化，由此實現更高的性能和效率，大大提升了用戶體驗的水平。

面對不斷提升的產品交付需求，確保在首次制造中即能夠生產出綜合功耗最小化、性能最高和面積最佳的硅片變得尤為重要。為此，設計與制造過程必須彼此融合。雙方團隊一直以來采取設計技術協同優(yōu)化，以此最大化發(fā)揮下一代Cortex-X CPU設計架構和GAA工藝技術的PPA優(yōu)勢。

目前，生成式AI已經成為提升用戶體驗的關鍵驅動因素。三星與ARM的此次聯手將加大在下一代GAA工藝技術基礎上優(yōu)化Cortex-X CPU的執(zhí)行力度，從而加速推動下一代產品性能的提升。