坂本幸雄逝世，享年77歲，曾為日本半導(dǎo)體之父
知名企業(yè)家坂本幸雄，綽號(hào)日本“半導(dǎo)體教皇”和存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)軍人物，于2024年2月14日不幸去世，享年77歲。這位在亞洲半導(dǎo)體行業(yè)擁有超過30年深厚資歷的人物，其離世引發(fā)了業(yè)界廣泛悲痛與惋惜。
在日本芯片產(chǎn)業(yè)之中，坂本幸雄具有舉足輕重的地位及杰出貢獻(xiàn)。1970年踏入日本德州儀器之后，他曾任日本德儀副社長、聯(lián)日半導(dǎo)體社長等要職；2002至2013年間，更是以行家風(fēng)范領(lǐng)導(dǎo)日本DRAM制造商爾必達(dá)。
到了古稀之齡，坂本幸雄還為中國芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展獻(xiàn)出力量，2019年底他加入紫光集團(tuán)，擔(dān)任高級(jí)副總裁兼日本分公司CEO一職，憑借豐厚業(yè)界人脈組建DRAM研發(fā)尖兵，甚至有人傳言將在重慶搭建DRAM晶圓工廠。此后他又于2022年榮升高維旭技術(shù)的首席戰(zhàn)略官。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
335文章
28908瀏覽量
237732 -
DRAM
+關(guān)注
關(guān)注
40文章
2348瀏覽量
185616 -
芯片產(chǎn)業(yè)
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
30瀏覽量
8725
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
功率半導(dǎo)體器件——理論及應(yīng)用
本書較全面地講述了現(xiàn)有各類重要功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)、基本原理、設(shè)計(jì)原則和應(yīng)用特性，有機(jī)地將功率器件的設(shè)計(jì)、器件中的物理過程和器件的應(yīng)用特性聯(lián)系起來。
書中內(nèi)容由淺入深，從半導(dǎo)體的性質(zhì)、基本的半導(dǎo)體
發(fā)表于 07-11 14:49
日本半導(dǎo)體制造設(shè)備銷售額預(yù)期上調(diào)，創(chuàng)歷史新高！
近日，日本半導(dǎo)體制造裝置協(xié)會(huì)(SEAJ)發(fā)布了對(duì)2024年度日本制造半導(dǎo)體制造設(shè)備銷售額的最新預(yù)期，預(yù)計(jì)這一數(shù)值將達(dá)到44,371億日元，創(chuàng)下歷史新高。這一樂觀的預(yù)測(cè)引起了業(yè)界的廣泛關(guān)
日本半導(dǎo)體設(shè)備，賺翻了
近日，日本半導(dǎo)體制造裝置協(xié)會(huì)（SEAJ）公布的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，2024年11月日本芯片設(shè)備銷售額（3 個(gè)月移動(dòng)平均值，含出口）達(dá) 4057.88 億日元，較去年同月大幅增長 35.2%。 若要更清晰
Tenstorrent擬在日本開展業(yè)務(wù)，專注尖端半導(dǎo)體設(shè)計(jì)
近日，據(jù)相關(guān)報(bào)道，AI芯片領(lǐng)域的初創(chuàng)企業(yè)Tenstorrent正計(jì)劃在日本拓展其業(yè)務(wù)版圖，專注于設(shè)計(jì)尖端半導(dǎo)體產(chǎn)品。這一戰(zhàn)略舉措不僅展示了Tenstorrent在全球市場(chǎng)上的雄心壯志，也凸顯了日本在
10萬億，日本投向半導(dǎo)體
近年來，在地緣政治和各種因素的影響下，以中美為首的國家正在大力發(fā)展半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。與此同時(shí)，日韓和越南等國家，也正在大力投入這個(gè)產(chǎn)業(yè)。 日本：向芯片投資10萬億元 日本首相石破茂此前公布了一項(xiàng) 650
中國半導(dǎo)體的鏡鑒之路
今天非常高興能在這里圍繞我跟蓋添怡女士的一本半導(dǎo)體專業(yè)著作《芯鏡》來展開介紹日本半導(dǎo)體的得失，以及對(duì)咱們中國半導(dǎo)體發(fā)展的啟發(fā)。
中國半導(dǎo)體的鏡鑒之路
今天非常高興能在這里圍繞我跟蓋添怡女士的一本半導(dǎo)體專業(yè)著作《芯鏡》來展開介紹日本半導(dǎo)體的得失，以及對(duì)咱們中國半導(dǎo)體發(fā)展的啟發(fā)。
一芯片強(qiáng)國的
發(fā)表于 11-04 12:00
德州儀器日本會(huì)津工廠投產(chǎn)GaN功率半導(dǎo)體
近日，德州儀器（TI）宣布了一個(gè)重要的里程碑事件：其基于氮化鎵（GaN）的功率半導(dǎo)體已在日本會(huì)津工廠正式投產(chǎn)。這一舉措標(biāo)志著德州儀器在GaN功率半導(dǎo)體領(lǐng)域自有制造產(chǎn)能的大幅提升，產(chǎn)能增至原來的四倍。
日本羅姆半導(dǎo)體加強(qiáng)與臺(tái)積電氮化鎵合作,代工趨勢(shì)顯現(xiàn)
近日，日本功率器件大廠羅姆半導(dǎo)體（ROHM）宣布，將在氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)域深化與臺(tái)積電的合作，其氮化鎵產(chǎn)品將全面交由臺(tái)積電代工生產(chǎn)。這一舉措標(biāo)志著氮化鎵市場(chǎng)的代工趨勢(shì)正在加速發(fā)展。
德州儀器日本會(huì)津工廠啟動(dòng)氮化鎵功率半導(dǎo)體生產(chǎn)
德州儀器（TI）宣布，其位于日本會(huì)津的工廠已正式啟動(dòng)氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)。這一舉措，加上TI在德克薩斯州達(dá)拉斯已有的GaN制造業(yè)務(wù)，將使TI的GaN功率半導(dǎo)體自有產(chǎn)能增加至原先的四倍。
英特爾攜手日本AIST共建半導(dǎo)體研發(fā)中心
近日，英特爾宣布將與日本國立產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所（AIST）展開合作，共同投資約1000億日元（折合7億美元），在日本興建一座最先進(jìn)的半導(dǎo)體研發(fā)中心。該中心預(yù)計(jì)將于2027年正式投入運(yùn)營。
日本企業(yè)加速氮化鎵半導(dǎo)體生產(chǎn),力推電動(dòng)汽車?yán)m(xù)航升級(jí)
日本公司正積極投入大規(guī)模生產(chǎn)氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體器件，旨在提升電動(dòng)汽車的行駛里程。盡管氮化鎵與碳化硅（SiC）在電動(dòng)汽車功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用上競(jìng)爭(zhēng)激烈，但氮化鎵因其極低的功率損耗而備受矚目。
日本政府?dāng)M向Rapidus半導(dǎo)體公司出資
日本政府近日正積極探討向Rapidus半導(dǎo)體公司出資的可能性，旨在支持該公司在2027年實(shí)現(xiàn)下一代
日本與英特爾合建半導(dǎo)體研發(fā)中心，將配備EUV光刻機(jī)
英特爾將在日本設(shè)立先進(jìn)半導(dǎo)體研發(fā)中心，配備EUV光刻設(shè)備，支持日本半導(dǎo)體設(shè)備和材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展，增強(qiáng)本土研發(fā)能力。 據(jù)日經(jīng)亞洲（Nikkei Asia）9月3日?qǐng)?bào)導(dǎo)，美國處理器大廠英特爾已
日本加速SiC供應(yīng)鏈布局，強(qiáng)化功率半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)力
在電動(dòng)車等領(lǐng)域至關(guān)重要的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)中，日本廠商雖占據(jù)全球前十大席位中的四席，但在基于第三代半導(dǎo)體材料碳化硅（SiC）的關(guān)鍵領(lǐng)域卻面臨挑戰(zhàn)。據(jù)日媒報(bào)道，日本在SiC器件及基板量產(chǎn)上已
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論