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新型MEMS仿生聲敏感芯片設(shè)計(jì)與晶圓級測試

半導(dǎo)體封裝工程師之家 ? 來源:半導(dǎo)體封裝工程師之家 ? 作者:半導(dǎo)體封裝工程師 ? 2024-02-25 17:42 ? 次閱讀
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宋金龍 王甫 鳳瑞 李厚旭 周銘 許志勇

(華東光電集成器件研究所 南京理工大學(xué)電子工程與光電技術(shù)學(xué)院)

摘要:

面向生產(chǎn)線設(shè)備智能故障診斷與維護(hù)預(yù)測對低頻、低成本麥克風(fēng)的應(yīng)用需求,針對現(xiàn)有微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)聲傳感器低頻響應(yīng)差、高頻資源浪費(fèi)和精密測量駐極體麥克風(fēng)成本高的問題,通過分析奧米亞寄生蠅的聽覺器官的工作原理,提出了一種具有抗振動(dòng)干擾功能的單支點(diǎn)差分結(jié)構(gòu)MEMS仿生麥克風(fēng)芯片,制定了晶圓級封裝加工流程。建立了有限元仿真模型,仿真分析結(jié)果表明:設(shè)計(jì)的MEMS仿生麥克風(fēng)芯片的一階諧振頻率為3.92kHz,可以滿足低頻聲波探測的應(yīng)用需求。聲波靈敏度為3.04fF/Pa,振動(dòng)靈敏度為2.1×10-4fF/gn,可以實(shí)現(xiàn)抗振動(dòng)干擾的目的。在6inMEMS加工平臺(tái)上完成了6in晶圓的加工與晶圓測試。測試結(jié)果表明,所設(shè)計(jì)加工的MEMS仿生聲敏感芯片電容的一致性比較好。

0引言

生產(chǎn)線設(shè)備在線監(jiān)測可以有效地監(jiān)測機(jī)器設(shè)備的工作狀態(tài),對故障進(jìn)行預(yù)判,是企業(yè)降低生產(chǎn)成本、效益最大化的重要手段,可以提升工廠針對關(guān)鍵設(shè)備的預(yù)防性維修水平,為生產(chǎn)線的安全、長周期、高效運(yùn)行提供有力保障[1~4]。近年來,隨著“工業(yè)2025”、5G網(wǎng)絡(luò)、邊緣計(jì)算、大數(shù)據(jù)和人工智能等技術(shù)的發(fā)展和預(yù)測性維護(hù)的重視[5],生產(chǎn)線設(shè)備在線健康狀態(tài)監(jiān)測技術(shù)在各種工業(yè)場景被廣泛應(yīng)用。

聲音是由物體振動(dòng)產(chǎn)生的,設(shè)備在工作的過程中運(yùn)動(dòng)部件會(huì)產(chǎn)生聲波,在工業(yè)生產(chǎn)中,設(shè)備的噪聲往往能反映出設(shè)備各部分運(yùn)行的狀態(tài)[6]?;谡駝?dòng)信號的設(shè)備故障診斷是常用的手段[7~9],但在高溫、高腐蝕或振動(dòng)傳感器不能停機(jī)安裝或安裝位置受限等場合,聲學(xué)故障診斷具有非接觸測量、無須事先粘貼傳感器的優(yōu)勢。此外,聲源定位技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)360°全向定位,即使聲波傳播路徑上有障礙物依然可以準(zhǔn)確定位聲源位置[10]。因此,聲學(xué)故障診斷是設(shè)備故障診斷的重要組成部分,是國內(nèi)外學(xué)者的一個(gè)研究熱點(diǎn)。

WuJ等人將聲學(xué)故障診斷應(yīng)用于汽車空調(diào)鼓風(fēng)機(jī)狀態(tài)的監(jiān)測[11]。LiW等人利用發(fā)動(dòng)機(jī)的聲音特征,有效地識別出了正常狀態(tài)與故障狀態(tài)[12]。AmarnathM等人用經(jīng)驗(yàn)?zāi)B(tài)分解法提取軸承的聲音特征,實(shí)現(xiàn)了軸承故障診斷[13]。陳利君將設(shè)備周圍聲音信息前后采樣結(jié)果進(jìn)行比較,通過聲音幅值變化判斷設(shè)備是否發(fā)生故障,通過聲音頻率判斷設(shè)備故障位置[14]。GlowaczA通過對換向器電機(jī)的12個(gè)聲學(xué)信號進(jìn)行采集和分析進(jìn)行故障診斷,故障識別率達(dá)到了95%以上[15]。ArredondoPAD等人利用完全集成經(jīng)驗(yàn)?zāi)B(tài)分解法把聲音信號分解成多個(gè)本征模態(tài)函數(shù)的方法,有效地提高了故障可檢測性[16]。劉月等人基于徑向基函數(shù)(radialbasisfunction,RBF)網(wǎng)絡(luò)自適應(yīng)故障觀測器和基于自組織映射(self?organizingmapping,SOM)網(wǎng)絡(luò)的健康狀態(tài)評估模型,分別用于控制系統(tǒng)的故障檢測和健康狀態(tài)評估[17]。

麥克風(fēng)是設(shè)備聲學(xué)故障診斷的核心組成部分之一,現(xiàn)在使用的麥克風(fēng)主要有精密測量駐極體麥克風(fēng)和微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)麥克風(fēng)。然而,精密測量駐極體麥克風(fēng)成本高不利于實(shí)現(xiàn)批量化裝備,在生產(chǎn)線上易受到振動(dòng)干擾,測量精度受到影響;現(xiàn)有的MEMS麥克風(fēng)針對人類語音信號設(shè)計(jì),低頻資源不足、高頻資源浪費(fèi)的問題,不能滿足設(shè)備故障診斷低頻聲波探測的應(yīng)用需求。

本文根據(jù)仿生原理,提出了一種單支點(diǎn)差分結(jié)構(gòu)MEMS麥克風(fēng)結(jié)構(gòu),以前期研制的單支點(diǎn)差分結(jié)構(gòu)加速度傳感器工藝為基礎(chǔ),制定了加工流程,最后通過有限元仿真分析驗(yàn)證了方案的可行性。

1結(jié)構(gòu)仿生原理

研究發(fā)現(xiàn)奧米亞棕蠅雙耳鼓膜的間距僅為450~520μm,雙耳鼓膜通過角質(zhì)層連接成了一種差分耦合結(jié)構(gòu)。如圖1,有搖擺和彎曲兩種振動(dòng)模態(tài),工作在搖擺模態(tài)時(shí),兩耳之間的相位差得到了放大,可以檢測聲波的矢量信息。工作在彎曲模態(tài)時(shí),由于兩耳的間距遠(yuǎn)小于聲波的波長,兩耳之間的相位差可以忽略[18,19]。

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根據(jù)奧米亞棕蠅聽覺器官的搖擺振動(dòng)模態(tài)時(shí)的差分放大原理和前期聲源定位的研究基于標(biāo)量麥克風(fēng),提出了一種單支點(diǎn)差分結(jié)構(gòu)標(biāo)量MEMS仿生麥克風(fēng)芯片,三維模型如圖2(a),主要由蓋板、敏感結(jié)構(gòu)、底板和焊盤組成。蓋板如圖2(b)所示,腔體為敏感結(jié)構(gòu)提供了運(yùn)動(dòng)空間,透聲孔使聲波可以作用到敏感結(jié)構(gòu)上,通過焊盤孔進(jìn)行金絲鍵合將傳感器的電學(xué)量與外部連接,鍵合環(huán)為晶圓級封裝區(qū)域。敏感結(jié)構(gòu)部分如圖2(c)所示,在錨點(diǎn)兩側(cè)對稱分布著2個(gè)敏感結(jié)構(gòu),敏感結(jié)構(gòu)通過2個(gè)連接梁剛性連接,關(guān)于錨點(diǎn)對稱分布的2個(gè)扭轉(zhuǎn)梁將2個(gè)連接梁懸置在錨點(diǎn)上,隔離槽將敏感結(jié)構(gòu)與周圍隔離,硅焊盤為金屬焊盤的載體,鍵合環(huán)與蓋板的鍵合環(huán)為玻璃漿料鍵合。底板如圖2(d)所示,下電極上開設(shè)有一定數(shù)量的阻尼孔,調(diào)節(jié)傳感器的阻尼比,使傳感器獲得最優(yōu)的工作帶寬,硅導(dǎo)線將電極與硅焊盤電學(xué)連接,鍵合環(huán)與敏感結(jié)構(gòu)部分的鍵合環(huán)進(jìn)行硅硅鍵合。

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2有限元仿真分析

2.1模態(tài)分析

2.1.1無阻尼模態(tài)分析

在不考慮空氣壓膜阻尼和靜電力作用時(shí),麥克風(fēng)芯片的一階模態(tài)振型如圖3(a)所示,敏感結(jié)構(gòu)繞y軸轉(zhuǎn)動(dòng),符合差分檢測聲波信號的要求,一階固有頻率為5.56kHz;二階模態(tài)振型如圖3(b)所示,敏感結(jié)構(gòu)繞z軸轉(zhuǎn)動(dòng),不符合檢測聲波信號的要求,二階固有頻率為18.14kHz,為一階固有頻率的3.26倍,說明傳感器具有較強(qiáng)的抗干擾能力。

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2.1.2有阻尼模態(tài)分析

傳感器在實(shí)際工作中會(huì)受到空氣壓膜阻尼和靜電力的作用,進(jìn)行預(yù)應(yīng)力模態(tài)仿真分析時(shí),設(shè)置電容器兩極板間的電勢差為2V,壓膜阻尼的分析采用修正雷諾方程,參考?xì)鈮簽橐粋€(gè)標(biāo)準(zhǔn)大氣壓。預(yù)應(yīng)力模態(tài)分析結(jié)果如圖4所示,特征頻率的實(shí)部為3.92kHz,虛部為3.97kHz,則傳感器的阻尼比ξ為

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式中f為傳感器的固有頻率;I(f)為傳感器頻率的虛部,表示傳感器能量的損耗;|f|為傳感器頻率的模。

麥克風(fēng)芯片諧振頻率的理論值為

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式中fn為傳感器的一階固有頻率。傳感器諧振頻率的仿真值與理論值誤差為0.51%,表明建立的仿真模型具有很高的準(zhǔn)確度。預(yù)應(yīng)力模態(tài)仿真結(jié)果表明,本文設(shè)計(jì)的麥克風(fēng)芯片結(jié)構(gòu)可以使其具有較優(yōu)的頻率響應(yīng)特性,具有最優(yōu)的工作帶寬。

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2.2頻域分析

考慮空氣壓膜阻尼和靜電力的作用,分析壓膜阻尼時(shí)采用修正雷諾方程,電容器極板間的電勢差為2V,激勵(lì)信號的頻率為10~5000Hz,步長為200Hz。

2.2.1聲波信號激勵(lì)

仿真聲波信號作為麥克風(fēng)芯片的激勵(lì)信號時(shí),在其中一個(gè)敏感單元表面施加幅值為1Pa的聲信號。麥克風(fēng)芯片電容變化量的頻率曲線如圖5所示,電容變化量最大值為3.04fF,即聲學(xué)靈敏度為3.04fF/Pa。

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2.2.2振動(dòng)信號激勵(lì)

仿真振動(dòng)干擾作為麥克風(fēng)芯片的激勵(lì)信號時(shí),在傳感器的Z軸方向施加-10gn的振動(dòng)加速度。麥克風(fēng)芯片電容變化量的頻率曲線如圖6所示,電容變化量最大值為21×10-4fF,即傳感器的振動(dòng)靈敏度為2.1×10-4fF/Pa。預(yù)應(yīng)力頻域仿真結(jié)果表明,麥克風(fēng)芯片的聲學(xué)靈敏度遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于振動(dòng)靈敏度,具備檢測聲波信號、抗振動(dòng)干擾的功能。

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3工藝流程

單支點(diǎn)差分MEMS仿生麥克風(fēng)芯片的加工需要用到3片晶圓,其中1片雙拋片,2片絕緣體上硅(silicon?on?insu?lator,SOI)片。雙拋片作為蓋板,SOI?A片作為麥克風(fēng)的底板,器件層的厚度為5m,SOI?B作為麥克風(fēng)的敏感結(jié)構(gòu),器件層的厚度為50m,2片SOI片的器件層和襯底層的電阻率均為0.01~0.02Ω·cm,雙拋硅片的電阻率為1~10Ω·cm。以單個(gè)麥克風(fēng)芯片的剖面為例,制定的工藝流程如下:

1)SOI?A器件層刻蝕,刻蝕深度為上、下電極之間的距離,如圖7(a);2)SOI?A氧化,在下電極生成一層氧化層,防止上、下電極接觸時(shí)發(fā)生短路,如圖7(b);3)去除鍵合區(qū)和阻尼孔中的氧化層,保留下電極表面的氧化層,如圖7(c);4)刻蝕SOI?A器件層到氧化層,隔離下電極,如圖7(d);5)刻蝕阻尼孔,先刻蝕SOI?A片的氧化層,再刻蝕SOI片的襯底層,如圖7(e);6)SOI?A與SOI?B進(jìn)行硅硅鍵合,如圖7(f);7)減薄,去除SOI?B的襯底層和氧化層,如圖7(g);8)刻蝕SOI?B的器件層,釋放敏感結(jié)構(gòu),如圖7(h);9)硅硬掩模加工金屬焊盤;10)雙拋硅片兩面同時(shí)腐蝕,加工透聲孔和腔體,如圖7(i);11)鍵合,用玻璃漿料將雙拋硅片與SOI鍵合片進(jìn)行鍵合,如圖7(j);12)激光劃片,得到單個(gè)敏感單元。

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在工藝線上加工完成的7in(1in=2.54cm)晶圓如圖8所示,晶圓表面清潔無顆粒。

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晶圓上某個(gè)器件(未加透聲蓋板)在顯微鏡下的照片如圖9所示,如為了提高傳感器的靈敏度,在實(shí)際加工時(shí)設(shè)計(jì)了雙差分結(jié)構(gòu),下電極A—1(B—1)與A—2(B—2)對角設(shè)置,通過硅導(dǎo)線A將下電極A—1與A—2互連,通過硅導(dǎo)線B將下電極B—1與B—2互連,2個(gè)敏感結(jié)構(gòu)的電勢通過下電極的硅導(dǎo)線互連,透聲孔設(shè)置在下電極A—1和A—2的正上方。

4晶圓測試

為了初步評判晶圓的加工結(jié)果,根據(jù)設(shè)計(jì)工藝版圖中金屬焊盤的相對位置,設(shè)計(jì)了晶圓測試探卡,對芯片的靜態(tài)電容進(jìn)行測試。測試時(shí)上電極焊盤接地,2個(gè)下電極焊盤分別接+2V,襯底焊盤懸空。晶圓上某個(gè)芯片的測試結(jié)果及部分?jǐn)?shù)據(jù)說明如圖10所示,2個(gè)電容的差值比初始值?。硞€(gè)數(shù)量級,說明芯片的對稱性比較好。

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根據(jù)每個(gè)芯片的測試結(jié)果繪制的晶圓測試如圖11所示,實(shí)線包圍區(qū)域(B)表示測試結(jié)果合格,虛線包圍區(qū)域(A)表示測試結(jié)果不合格,白色圓形邊框表示晶圓的邊界,晶圓上B區(qū)域以外的地方?jīng)]有設(shè)置器件。經(jīng)過在顯微鏡下觀察,A區(qū)域不合格是由于芯片結(jié)構(gòu)損壞導(dǎo)致。

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5結(jié)論

本文基于仿生原理提出了一種單支點(diǎn)差分結(jié)構(gòu)MEMS仿生麥克風(fēng)芯片,根據(jù)6inMEMS加工平臺(tái)的工藝基礎(chǔ),制定了麥克風(fēng)芯片的加工流程。有限元模態(tài)仿真結(jié)果表明,設(shè)計(jì)的麥克風(fēng)芯片的一階固有頻率為5.56kHz,可滿足低頻聲波信號探測的需求;頻域仿真結(jié)果表明,所設(shè)計(jì)麥克風(fēng)芯片的聲學(xué)靈敏度遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于振動(dòng)靈敏度,具有抗振動(dòng)干擾的功能。得益于單支點(diǎn)結(jié)構(gòu)的優(yōu)勢,與其他結(jié)構(gòu)的麥克風(fēng)芯片相比,性能受加工和封裝過程中應(yīng)力的影響比較小。本文已經(jīng)完成6in晶圓的加工以及晶圓測試,下一步將進(jìn)行封裝測試等工作。

審核編輯 黃宇

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    SOT1381-2<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>級</b><b class='flag-5'>芯片</b>尺寸封裝

    一種新型RDL PoP扇出封裝工藝芯片鍵合技術(shù)

    扇出型中介層封裝( FOWLP)以及封裝堆疊(Package-on-Package, PoP)設(shè)計(jì)在移動(dòng)應(yīng)用中具有許多優(yōu)勢,例如低功耗、短信號路徑、小外形尺寸以及多功能的異構(gòu)集成。此外,它還
    的頭像 發(fā)表于 01-22 14:57 ?3279次閱讀
    一種<b class='flag-5'>新型</b>RDL PoP扇出<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>級</b>封裝工藝<b class='flag-5'>芯片</b>到<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>鍵合技術(shù)

    功率器件測試及封裝成品測試介紹

    ???? 本文主要介紹功率器件測試及封裝成品測試。?????? ?
    的頭像 發(fā)表于 01-14 09:29 ?1204次閱讀
    功率器件<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>測試</b>及封裝成品<b class='flag-5'>測試</b>介紹

    背面涂敷工藝對的影響

    一、概述 背面涂敷工藝是在背面涂覆一層特定的材料,以滿足封裝過程中的各種需求。這種工藝不僅可以提高芯片的機(jī)械強(qiáng)度,還可以優(yōu)化散熱性能
    的頭像 發(fā)表于 12-19 09:54 ?620次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>背面涂敷工藝對<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>的影響

    詳解不同封裝的工藝流程

    在本系列第七篇文章中,介紹了封裝的基本流程。本篇文章將側(cè)重介紹不同封裝方法所涉及的各
    的頭像 發(fā)表于 08-21 15:10 ?2983次閱讀
    詳解不同<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>級</b>封裝的工藝流程