2024年預(yù)計(jì)島內(nèi)外半導(dǎo)體業(yè)景氣將可擺脫2023年衰退的態(tài)勢(shì)，而在年初之際，部分產(chǎn)品尚處于庫(kù)存調(diào)整的尾聲，預(yù)計(jì)此些類(lèi)別的景氣要到2024年下半年才可望明顯反彈，但目前可確定記憶體包括DRAM、NAND Flash、NOR Flash將成為2024年首波復(fù)蘇的半導(dǎo)體產(chǎn)品，特別是2023年第四季DRAM價(jià)格相對(duì)持穩(wěn)，2024年漲價(jià)的焦點(diǎn)也將從NAND Flash擴(kuò)散DRAM，例如DDR4、DDR5等；也就是當(dāng)前記憶體市場(chǎng)已逐部擺脫周期底部的階段，且隨著供需關(guān)系獲得改善，產(chǎn)品報(bào)價(jià)也開(kāi)始筑底向上。

特別是記憶體占全球半導(dǎo)體業(yè)達(dá)20％，可視為半導(dǎo)體業(yè)風(fēng)向標(biāo)，在其景氣回溫釋放一定復(fù)蘇信號(hào)，加上AI商機(jī)及其他科技商機(jī)催化消費(fèi)電子新需求，顯見(jiàn)2024年記憶體市況的基本面將逐步改善；甚至中期來(lái)看，生成式AI市場(chǎng)迅速擴(kuò)張，更可望帶動(dòng)對(duì)于內(nèi)含記憶體含量與價(jià)值的成長(zhǎng)空間，長(zhǎng)期來(lái)說(shuō)，我國(guó)記憶體廠隨著商業(yè)務(wù)多元化布局、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)持續(xù)升級(jí)，仍可望扮演全球市場(chǎng)中少數(shù)的關(guān)鍵。

廠商減產(chǎn)、需求擴(kuò)大，漲價(jià)有底氣

以DRAM來(lái)說(shuō)，雖然2023年年末時(shí)序正值歐美假期，DRAM交易動(dòng)能趨于平淡，但因庫(kù)存水位已明顯降低，且客戶端的備料及買(mǎi)賣(mài)意愿增加，以及市場(chǎng)對(duì)于記憶體業(yè)2024年的共識(shí)為價(jià)格將持續(xù)上漲，故現(xiàn)貨端仍有零星購(gòu)貨，部分料號(hào)價(jià)格小幅上漲，況且國(guó)際DRAM制造大廠對(duì)于供給端的釋出相對(duì)謹(jǐn)慎，仍處于減產(chǎn)的階段，故根據(jù)TrendForce集邦科技的預(yù)測(cè)資料可知，2024年第一季MobileDRAM季漲幅有望達(dá)18～23％，甚至不排除在寡頭市場(chǎng)格局或是品牌客戶恐慌追價(jià)的情況下，進(jìn)一步墊高漲幅。

整體而言，有鑒于2023年以來(lái)迄今島內(nèi)外DRAM大廠相繼減產(chǎn)終于讓芯片價(jià)格止跌，甚至又有來(lái)自于AI商機(jī)及先進(jìn)電腦運(yùn)算需求持續(xù)擴(kuò)大，更增加業(yè)者醞釀漲價(jià)的底氣，故三星（Samsung）及美光（Micron）已規(guī)劃在2024年第一季將DRAM芯片價(jià)格調(diào)漲15～20％，顯然DRAM廠商持續(xù)藉由調(diào)整產(chǎn)線配置并擴(kuò)大先進(jìn)制程比重來(lái)維護(hù)獲利，因此市場(chǎng)普遍認(rèn)為2024年第一季各大廠仍將繼續(xù)嚴(yán)格控制DRAM產(chǎn)能，進(jìn)而激勵(lì)價(jià)格回升。

以NAND Flash而言，2024年第一季NAND Flash（eMMC/UFS）季漲幅有機(jī)會(huì)介于18％～23％，主要是隨著供需結(jié)構(gòu)已經(jīng)過(guò)一番調(diào)整，加上行業(yè)庫(kù)存落底，以及原廠減產(chǎn)效應(yīng)作用，也由于智慧手機(jī)對(duì)于NAND Flash需求有所支撐，故全球該項(xiàng)記憶體的價(jià)格將延續(xù)先前2023年下半年的漲勢(shì)。值得留意的是，為了維持該項(xiàng)產(chǎn)業(yè)的正向發(fā)展，國(guó)際大廠透過(guò)價(jià)格上漲來(lái)達(dá)成獲利改善，將是各家NAND制造業(yè)者不得不采取的策略，寧愿短期先放下市占率的搶奪，顯然逐步推高價(jià)格將勢(shì)在必行。

AI熱潮帶動(dòng)HBM商機(jī)大爆發(fā)

事實(shí)上，觀察此波記憶體市場(chǎng)的商機(jī)，可尤其關(guān)注AI所帶來(lái)高頻寬記憶體（HBM）產(chǎn)品的成長(zhǎng)潛力，畢竟儲(chǔ)存能力已成AI芯片性能升級(jí)的核心瓶頸，特別是HBM作為基于3D堆疊技術(shù)的高性能DRAM，等同打破記憶體頻寬及功耗瓶頸，顯然GPU性能的提升將不斷推動(dòng)HBM技術(shù)升級(jí)，在此情況下，全球HBM市場(chǎng)規(guī)模將有機(jī)會(huì)從2023年的15億美元增至2030年的576億美元，等同此段時(shí)間的年復(fù)合成長(zhǎng)率將達(dá)到68.3％。而有鑒于HBM量?jī)r(jià)齊升的商機(jī)浮現(xiàn)，全球三大DRAM廠商積極擴(kuò)產(chǎn)，其中SK Hynix將于2024年擴(kuò)產(chǎn)2倍，并導(dǎo)入10奈米技術(shù)，而三星、美光緊隨其后，同樣宣布大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)，況且三大廠商也將積極讓HBM2進(jìn)化到HBM3e、HBM4等，借此讓HBM產(chǎn)品可持續(xù)升級(jí)來(lái)成為AI芯片算力提升的關(guān)鍵。

至于島內(nèi)記憶體廠商，受惠于此波全球記憶體價(jià)格回升的大環(huán)境，加上臺(tái)廠也在技術(shù)持續(xù)推進(jìn)，例如南亞科自主開(kāi)發(fā)DRAM10奈米制程將進(jìn)入第二世代，預(yù)計(jì)2024年第二季開(kāi)始驗(yàn)證DDR4、DDR5產(chǎn)品，同時(shí)公司也持續(xù)設(shè)計(jì)LP DDR4跟LP DDR5產(chǎn)品，此將使得2024年島內(nèi)記憶體業(yè)者營(yíng)運(yùn)績(jī)效將優(yōu)于2023年。

審核編輯：劉清