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MOSFET作為開關(guān)的工作原理和優(yōu)勢 MOSFET開關(guān)電路圖

CHANBAEK ? 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 作者:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2024-01-03 17:13 ? 次閱讀
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一、MOSFET作為開關(guān)的基本概念

MOSFET,全稱為金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,是一種電壓控制的開關(guān)器件。它的工作原理是,通過在柵極施加電壓,控制漏極和源極之間的電流。當(dāng)柵極施加的電壓為正時,會形成一個電場,使得漏極和源極之間形成導(dǎo)電通路,從而形成電流。當(dāng)柵極施加的電壓為負時,電場會被抑制,導(dǎo)致漏極和源極之間的電流無法流通。因此,MOSFET在電路中起到開關(guān)的作用,可以控制電路的通斷。

MOSFET作為開關(guān)具有許多優(yōu)點,例如高開關(guān)速度、低驅(qū)動電壓、低開關(guān)損耗等。這些優(yōu)點使得MOSFET在電源變換器中有廣泛的應(yīng)用,如直流-直流變換器、交流-直流變換器和交流-交流變換器等。在這些電源變換器中,MOSFET作為開關(guān)主要用于調(diào)整輸出電壓和電流。通過控制MOSFET的開關(guān)狀態(tài),可以實現(xiàn)對輸出電壓和電流的精確調(diào)節(jié)。

二、MOSFET作為開關(guān)的工作原理

MOSFET開關(guān)的操作基于某些主要模式,主要是截止區(qū)和飽和區(qū)。

MOSFET作為開路:當(dāng)柵源電壓VGS小于閾值電壓VT時,也就是VGS < VT,MOSFET處于截止區(qū)。由于VGS < VT,不會在通道中形成導(dǎo)電通路,導(dǎo)致無法通過MOSFET進行電流。此時,MOSFET像一個開路一樣工作,邏輯上處于“OFF”狀態(tài)。

圖片

MOSFET作為短路: 當(dāng)我們增加?xùn)旁措妷篤GS,使其大于閾值電壓VT,此時VGS > VT,那么MOSFET開始導(dǎo)通,并隨著湍流電壓VDS的增加,漏電流ID線性增加,直到達到飽和點,形成了歐姆區(qū)。在該區(qū)間之后,即便繼續(xù)提升漏源電壓VDS,漏電流ID也保持恒定,不再發(fā)生變化。這個操作區(qū)間被稱為飽和區(qū),此時MOSFET表現(xiàn)得就像一個短路(關(guān)閉的開關(guān))一樣,邏輯上處于“ON”狀態(tài)。

圖片

對于開關(guān)應(yīng)用來說,MOSFET的設(shè)計很大程度上依賴于驅(qū)動電路的部署。驅(qū)動電路,例如微控制單元(MCU),為MOSFET提供了必要的柵極驅(qū)動電壓,一般情況下,這個電壓會更改MOSFET的工作狀態(tài),使其在開路和短路狀態(tài)間進行快速切換,從而實現(xiàn)開關(guān)功能。

三、MOSFET作為開關(guān)的優(yōu)勢

MOSFET作為開關(guān)的優(yōu)勢主要包括以下幾個方面:

  1. 高開關(guān)速度:MOSFET的開關(guān)速度非???,可以在納秒級別內(nèi)完成開關(guān)動作。這使得MOSFET在需要高速切換的電路中具有很高的應(yīng)用價值。
  2. 低驅(qū)動電壓:相對于其他類型的開關(guān)器件,MOSFET的驅(qū)動電壓較低。這可以降低驅(qū)動電路的復(fù)雜性,并減小驅(qū)動電路的功耗。
  3. 低導(dǎo)通電阻:當(dāng)MOSFET處于導(dǎo)通狀態(tài)時,其內(nèi)部的電阻非常低,使得MOSFET的導(dǎo)通損耗非常小。這有助于提高電路的效率。
  4. 易于集成:由于MOSFET的結(jié)構(gòu)簡單,因此易于與其他電子元件集成在一起,形成功能強大的集成電路。
  5. 可靠性高:MOSFET的可靠性較高,能夠在高溫、低溫、高壓、高濕度等惡劣環(huán)境下穩(wěn)定工作。

綜上所述,MOSFET作為開關(guān)的優(yōu)勢包括高開關(guān)速度、低驅(qū)動電壓、低導(dǎo)通電阻、易于集成和可靠性高等。這些優(yōu)點使得MOSFET在電子設(shè)備和電路中得到了廣泛應(yīng)用。

四、MOSFET開關(guān)電路

N溝道MOSFET

圖片

如上,N溝道MOSFET開關(guān)電路圖。

當(dāng)按下按鈕時,LED亮起。1kΩ 電阻充當(dāng)下拉電阻,將柵極電壓保持在與電池負極端子相同的電位,直到按下按鈕。這會在柵極施加正電壓,打開漏極和源極引腳之間的通道,并允許電流流過 LED。

P溝道MOSFET

image.png

如上,P溝道MOSFET開關(guān)電路圖。

五、MOSFET的開關(guān)模型

image.png

這個MOSFET相當(dāng)于是一個電控的開關(guān),開關(guān)特性完全類似于力控開關(guān),力控開關(guān)可以實現(xiàn)邏輯門的運算還有功能,我們用電控開關(guān)一樣可以實現(xiàn)功能

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