SD NAND異常上下電測(cè)試的作用

SD NAND異常上下電測(cè)試是一項(xiàng)關(guān)鍵的測(cè)試步驟，對(duì)確保SD NAND在不同電源條件下的穩(wěn)定性和可靠性至關(guān)重要。

通過模擬正常和異常電源情況，測(cè)試可以驗(yàn)證設(shè)備的電源管理功能、檢測(cè)潛在錯(cuò)誤和異常行為，并評(píng)估設(shè)備在電源波動(dòng)或突然斷電時(shí)的表現(xiàn)。此外，測(cè)試還有助于驗(yàn)證SD NAND在關(guān)鍵時(shí)刻的數(shù)據(jù)保存和恢復(fù)能力，防止數(shù)據(jù)損壞或丟失。

這項(xiàng)測(cè)試不僅有助于提高產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性，還確保SD NAND符合制造商規(guī)定的性能標(biāo)準(zhǔn)，滿足用戶對(duì)數(shù)據(jù)完整性和設(shè)備穩(wěn)定性的需求。總體而言，SD NAND異常上下電測(cè)試是保障存儲(chǔ)設(shè)備正常運(yùn)行的不可或缺的環(huán)節(jié)。

SD NAND異常上下電測(cè)試電路的搭建

在測(cè)試SD NAND的可靠性時(shí)，可以自己搭建一個(gè)簡(jiǎn)單的電路來對(duì)SD NAND進(jìn)行異常上下電測(cè)試，
下面是以MK-米客方德工業(yè)級(jí)SD NAND芯片MKDV1GIL-AS為例搭建的建議測(cè)試電路。

以正點(diǎn)原子的STM32F103ZET6開發(fā)板作為控制信號(hào)輸出，只需要STM32的一個(gè)IO口作為信號(hào)控制引腳，即可讓接在繼電器的負(fù)載端的SD NADN工作電路在工作時(shí)異常掉電。

這個(gè)方案是SD NAND直接接在讀卡器上的，還可以設(shè)計(jì)成SD NAND接在單片機(jī)上的，這種需要兩個(gè)單片機(jī)開發(fā)板，一個(gè)用來控制，一個(gè)用來正常工作，這種方案會(huì)更方便，也能實(shí)現(xiàn)更多的功能。