點擊藍字關注我們

IGBT是由4個交替層 (P-N-P-N) 組成的功率半導體晶體管，通過施加于金屬氧化物半導體 (MOS) 柵極的電壓進行控制。雖然第三代寬禁帶技術碳化硅正獲得越來越多的關注，但許多應用仍適合繼續(xù)使用IGBT， 在技術的不斷發(fā)展和升級下，IGBT可實現(xiàn)更低的開關損耗和更高的功率密度。

全新第7代1200V IGBT

安森美(onsemi)推出的超高能效明星IGBT，具備業(yè)界領先的性能水平，能最大程度降低導通損耗和開關損耗，助力客戶的系統(tǒng)設計。一起來看看吧~

全新FS7 S系列采用新穎的場截止第7代IGBT和二極管技術，集成一個經優(yōu)化的二極管以實現(xiàn)低VF 、微調的開關軟度，可在高達175°C的結溫 (T_J) 下工作。FGY140T120SWD在市場上現(xiàn)有的1200V IGBT中具有領先的開關性能。

?全新FS7 S系列產品掃碼了解

儲能系統(tǒng)方案

電池可以用來儲存太陽能等可再生能源在高峰時段產生的能量，這樣當環(huán)境條件不太有利于發(fā)電時，就可以利用這些儲存的能量。

了解電池儲能系統(tǒng) (BESS) 的設計挑戰(zhàn)和考慮因素、常用拓撲結構以及選擇最適合您要求的電源轉換半導體器件的技巧。

?設計技巧掃碼解鎖

首次精確仿真

Elite Power Simulator在線仿真工具和PLECS模型自助生成工具，使工程師在開發(fā)周期的早期階段，通過對復雜電力電子應用進行系統(tǒng)級仿真，獲得有價值的參考信息。

Elite Power仿真工具通過引領業(yè)界的PLECS模型推動先進技術的發(fā)展，這些模型適用于DC-DC LLC和CLLC諧振、雙有源橋和相移全橋等硬開關和軟開關應用。

?創(chuàng)新SiC仿真掃碼開始仿真

150V N溝道MOSFET

屏蔽柵PowerTrench

安森美屏蔽柵 PowerTrench MOSFET將導通電阻降至盡可能低，并通過領先的軟體二極管保持卓越的開關性能。與其他MOSFET相比，這些MOSFET的Q_rr更低。

?產品手冊掃碼查看

IGBT模塊A-Type NPC

1000V, 800A IGBT

NXH800A100L4Q2包含一個A-Type NPC級，集成1000V FS4 IGBT、1000V極快二極管和一個NTC熱敏電阻。

?產品信息掃碼了解更多

點個星標，茫茫人海也能一眼看到我

「點贊、在看，記得兩連~」