近日，國內(nèi)又有多個(gè)碳化硅項(xiàng)目簽約，詳情請往下看：

誠譜檢測：

簽訂首個(gè)SiC生產(chǎn)項(xiàng)目

12月7日，據(jù)“玉林統(tǒng)戰(zhàn)”官微消息，廣西玉林博白縣舉行了玉商回歸活動(dòng)周，當(dāng)天集中簽約18個(gè)項(xiàng)目，總投資額約10億元，其中包括一個(gè)碳化硅單晶項(xiàng)目。

據(jù)誠譜檢測公司透露，他們與玉林市博白縣政府正式簽訂了碳化硅及單晶硅生產(chǎn)工藝研發(fā)項(xiàng)目。

公開信息顯示，誠譜檢測成立于2020年6月，注冊資本為1000萬元，主要從事地質(zhì)類、礦床與礦產(chǎn)類、石油地質(zhì)類礦物組分、成分與結(jié)構(gòu)分析與檢測服務(wù)。

截至目前，這是該公司首次涉足及投入SiC生產(chǎn)研發(fā)項(xiàng)目。

捷芯半導(dǎo)體：

新建2萬片6英寸SiC外延片項(xiàng)目

12月5日，據(jù)慈溪市人民政府網(wǎng)消息，捷芯半導(dǎo)體“年產(chǎn)2萬片6英寸碳化硅外延片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目開始啟動(dòng)，并入選寧波資本引才工程。

企查查顯示，寧波捷芯半導(dǎo)體材料有限公司成立于2021年03月，注冊資本為2000萬，主要從事碳化硅晶體生長工藝的研發(fā)生產(chǎn)。

卓遠(yuǎn)半導(dǎo)體：

新建碳化硅長晶項(xiàng)目，獲得2400萬元投資

12月5日，據(jù)“中化投（江蘇）產(chǎn)投”官微信息，卓遠(yuǎn)半導(dǎo)體與中化投（江蘇）產(chǎn)投、亭湖區(qū)投促中心進(jìn)行會見交流，未來三方將加強(qiáng)合作共建，確保碳化硅長晶產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目在亭湖區(qū)產(chǎn)業(yè)園落地。

據(jù)官網(wǎng)資料，卓遠(yuǎn)半導(dǎo)體此前新建研發(fā)及產(chǎn)業(yè)基地落地如皋高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)，占地約46畝，總投入2.5億元。

公開信息顯示，卓遠(yuǎn)半導(dǎo)體成立于2018年，注冊資本為2700萬元，從事于寬禁帶半導(dǎo)體晶體裝備及其材料的研發(fā)生產(chǎn)與制造，不斷推出SiC晶體工藝及解決方案，目前SiC產(chǎn)品覆蓋整條產(chǎn)業(yè)鏈：長晶設(shè)備、晶錠、襯底片、外延、功率器件/模塊。

值得注意的是，12月4日，卓遠(yuǎn)半導(dǎo)體宣布獲得2400萬元的戰(zhàn)略投資，投資方為凱得粵豪。

據(jù)官微消息，未來3至5年，卓遠(yuǎn)半導(dǎo)體將持續(xù)切入碳化硅分立器件、碳化硅IGBT模塊等后道工序業(yè)務(wù)，打造全產(chǎn)業(yè)鏈模式，此外，該公司現(xiàn)已明確上市進(jìn)度安排，正在積極籌備中。

科友半導(dǎo)體：

籌建30萬片SiC項(xiàng)目

12月1日，據(jù)哈爾濱新區(qū)報(bào)消息，科友半導(dǎo)體技術(shù)總監(jiān)張勝濤獲得2023年“龍江工匠”榮譽(yù)稱號。

此外，黑龍江日報(bào)報(bào)道稱，2023年4月，科友半導(dǎo)體8英寸碳化硅中試線正式貫通，每7天即可生長出一塊8英寸15～20毫米厚的碳化硅晶體。此外，該公司第三代半導(dǎo)體產(chǎn)學(xué)研聚集區(qū)二期工程正在籌劃中，建成后將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)碳化硅襯底30萬片。

力冠微電子：

SiC設(shè)備新廠區(qū)、新投資落地

11月29日，據(jù)力冠微電子官網(wǎng)透露，力冠微電子新產(chǎn)區(qū)已經(jīng)開業(yè)，此外，該公司與山東新動(dòng)能基金、江蘇毅達(dá)資本進(jìn)行了資本簽約，具體金額未透露。

力冠微電子相關(guān)負(fù)責(zé)人表示，新產(chǎn)區(qū)及新投資的加入，一方面能幫助公司繼續(xù)以高水準(zhǔn)研發(fā)半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)品，并加快項(xiàng)目建設(shè)進(jìn)度，推進(jìn)成果轉(zhuǎn)化，另一方面能提供資金保障，吸引科研人才聚集，促進(jìn)當(dāng)?shù)匕雽?dǎo)體產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)更高質(zhì)量發(fā)展。

官網(wǎng)資料顯示，力冠微電子成立于2013年，專注于半導(dǎo)體工藝設(shè)備的研、產(chǎn)、銷一體化及技術(shù)服務(wù)，第三代半導(dǎo)體設(shè)備包括SiC籽晶粘接/高溫氧化設(shè)/高溫退火設(shè)備、MPCVD設(shè)備、HVPE單晶生長設(shè)備、PVT單晶生長設(shè)備等，被廣泛用于集成電路、功率半導(dǎo)體、5G芯片等新型電子器件制造領(lǐng)域。

易成新材、中宜創(chuàng)芯：

SiC材料中試基地通過驗(yàn)收

12月13日，據(jù)“易成新材”官微消息，易成新材與中宜創(chuàng)芯公司聯(lián)合申報(bào)的平頂山市碳化硅材料中試基地已順利通過現(xiàn)場驗(yàn)收。

官方透露，該基地實(shí)驗(yàn)室總面積為8000平方米，擁有碳化硅粉體相關(guān)中試設(shè)備、分析檢測設(shè)備70臺/套，設(shè)備原值9000余萬元?，F(xiàn)已開展陶瓷精粉碳化硅、磨料級粉體碳化硅、電子級碳化硅粉體、電子級碳化硅晶體材料等產(chǎn)品中試服務(wù)工作。

未來，該基地將加大開展對外中試服務(wù)力度，打造產(chǎn)學(xué)研一體化平臺，建立高端人才引進(jìn)、培養(yǎng)、使用機(jī)制，致力于培育孵化碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)上下游科技型中小企業(yè)，推動(dòng)科技成果向現(xiàn)實(shí)生產(chǎn)力轉(zhuǎn)化，助推當(dāng)?shù)靥蓟璋雽?dǎo)體產(chǎn)業(yè)向全球產(chǎn)業(yè)鏈中高端邁進(jìn)。

審核編輯：黃飛