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當(dāng)轉(zhuǎn)換效率提升到99%以上,數(shù)據(jù)中心會(huì)發(fā)生什么?

Qorvo半導(dǎo)體 ? 來源:未知 ? 2023-12-16 15:50 ? 次閱讀
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近日,中國首座百米超高層數(shù)據(jù)中心——深圳前海信息樞紐大廈完成竣工驗(yàn)收,將集成大數(shù)據(jù)、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、區(qū)塊鏈等新概念,構(gòu)建智慧城市的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)整合、數(shù)據(jù)分析、數(shù)據(jù)傳輸、數(shù)據(jù)安全等技術(shù)基礎(chǔ)。該數(shù)據(jù)中心在能耗控制、低碳發(fā)展等方面進(jìn)行了大膽創(chuàng)新和實(shí)踐,例如項(xiàng)目貫徹全封閉式“保溫箱”設(shè)計(jì)理念,將機(jī)房功能布置在建筑平面的中心部位,實(shí)現(xiàn)建筑節(jié)能;地下空間附建集中供冷站,提高能源利用率等。 其實(shí),數(shù)據(jù)中心的能源利用一直是“老大難”問題。研究表明,空調(diào)系統(tǒng)是數(shù)據(jù)中心提高能源效率的重點(diǎn)環(huán)節(jié),因?yàn)樗a(chǎn)生的功耗約占數(shù)據(jù)中心總功耗的40%以上。除了優(yōu)化散熱設(shè)計(jì)(如采用液冷散熱設(shè)計(jì)),若能進(jìn)一步提高數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器的電源系統(tǒng)能效,就能減少設(shè)備機(jī)組的發(fā)熱量,減少空調(diào)系統(tǒng)的功率,降低數(shù)據(jù)中心的PUE值(Power Usage Effectiveness)。 為了節(jié)省能源,減少能耗,服務(wù)器電源行業(yè)對(duì)整機(jī)效率的要求在逐步提高,如早期的80PLUS白金電源要求50%負(fù)載效率達(dá)到94%,近年又提出了80PLUS鈦金電源,其要求提升到了50%負(fù)載效率達(dá)到96%。傳統(tǒng)的Si基SJ MOSFET器件需要在電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和功率器件選型上付出很大代價(jià)才有可能實(shí)現(xiàn),這樣的方案設(shè)計(jì)難度和調(diào)試難度也會(huì)非常大。為了突破能效轉(zhuǎn)換的“天花板”,以SiC、GaN為代表的第三代功率半導(dǎo)體正是當(dāng)下破題的關(guān)鍵!

注:PUE是評(píng)價(jià)數(shù)據(jù)中心能源效率的指標(biāo),是數(shù)據(jù)中心消耗的所有能源與IT負(fù)載使用的能源之比;它的基準(zhǔn)是2,越接近1表明能效水平越好。

向99%轉(zhuǎn)換效率邁進(jìn) 知名媒體“行家說三代半”主辦的『2023碳化硅&氮化鎵產(chǎn)業(yè)高峰論壇』上,Qorvo高級(jí)應(yīng)用工程師周虎分享道:“以大型數(shù)據(jù)中心為例,若把電源系統(tǒng)的硅功率器件全部替換為碳化硅(SiC),就能帶來0.8個(gè)百分點(diǎn)的整體能效提升。同時(shí),使用SiC功率器件可以在每瓦時(shí)用電量上節(jié)約0.05美元的成本,按照100兆瓦規(guī)模的數(shù)據(jù)中心、運(yùn)行十年時(shí)間來估算,可以節(jié)省多達(dá)700萬美元的運(yùn)營支出?!?/span>

wKgZomV9V9WADwJMAADz5wiH3Mo646.jpg ? ?對(duì)比硅器件,在數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器電源中使用SiC功率器件不僅可以提高電源轉(zhuǎn)換效率,還有諸多好處,包括:

  1. 高功率密度 - SiC和Si在相同輸出功率下,SiC電源方案可以采用更高開關(guān)頻率,因此體積更??;或者說相同體積下,SiC電源方案可以提供更高的輸出功率。以數(shù)據(jù)中心運(yùn)營者的角度,購買更少的電源模塊、即可滿足功率需求,而且部署所占用的空間也更小。

  2. 減少被動(dòng)元器件的體積- 在相同的電路中,SiC方案的拓?fù)淇梢员萐i方案更加簡約,且可以采用更高的開關(guān)頻率。這樣可以減少元器件的數(shù)量、降低拓?fù)涞膹?fù)雜度,或者減少感量/容量,降低BOM成本,也減小了體積。
  3. 自動(dòng)化裝配 - SiC方案的體積更小、更緊湊。以電源生產(chǎn)商的角度,采用SMT生產(chǎn)線的自動(dòng)化裝配方式,有助于提高電源產(chǎn)品的生產(chǎn)效率和穩(wěn)定性,降低人工成本。

  4. 更好的可靠性- SiC耐壓強(qiáng)度高、熱傳導(dǎo)率高、且開關(guān)速度快、可用于開關(guān)頻率高的應(yīng)用。在相同封裝、相同工況下,SiC器件的芯片溫度比Si器件更容易控制,這也相應(yīng)提高了產(chǎn)品的可靠性等。

2022年11月1日,國家標(biāo)準(zhǔn)《數(shù)據(jù)中心能效限定值和能效等級(jí)》(GB 40879—2021)在全國范圍強(qiáng)制實(shí)施。標(biāo)準(zhǔn)將數(shù)據(jù)中心能效等級(jí)分為3級(jí),1級(jí)表示能效最高,PUE不應(yīng)大于1.20,2級(jí)能效的PUE不應(yīng)大于1.30,3級(jí)能效的PUE不應(yīng)大于1.50?!?/span>在政策的推動(dòng)下,為了實(shí)現(xiàn)更低的PUE,數(shù)據(jù)中心趨于采用高能效SiC電源方案已經(jīng)是大勢(shì)所趨。”周虎表示,“Qorvo已經(jīng)攜手合作伙伴臺(tái)達(dá)電子,將Qorvo獨(dú)有的SiC FET技術(shù)應(yīng)用于服務(wù)器電源、數(shù)據(jù)中心等場合,客戶反饋使用效果非常好?!?/span>

在下圖的參考設(shè)計(jì)中,基于Qorvo 750V SiC FET的3.6kW圖騰柱無橋PFC方案可實(shí)現(xiàn)最高99.37%的轉(zhuǎn)換效率,整體尺寸僅為260 x 102 x 60 mm3,具備重量輕、體積小、高功率密度等優(yōu)點(diǎn),可以輕松打造符合80PLUS鈦金電源規(guī)范的高性能產(chǎn)品方案

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Qorvo SiC電源方案布局 Yole Development預(yù)測,SiC功率器件的全球市場規(guī)模有望從2021年的10.9億美元,增長至2027年的62.97億美元,年復(fù)合增長率預(yù)計(jì)達(dá)到34%。 隨著碳化硅材料的興起,Qorvo SiC產(chǎn)品擁有超過20年技術(shù)沉淀的優(yōu)勢(shì)正在加速市場轉(zhuǎn)化,幫助客戶獲得商業(yè)成功。周虎表示:“Qorvo攜手產(chǎn)業(yè)鏈合作伙伴,長期聚焦汽車、電池充電、IT基礎(chǔ)設(shè)施、可再生能源、電路保護(hù)等領(lǐng)域的SiC創(chuàng)新應(yīng)用,把握功率半導(dǎo)體技術(shù)的大趨勢(shì),在雙碳的發(fā)展背景下,助力實(shí)現(xiàn)節(jié)能減排的最終目標(biāo)?!?/span>

Qorvo SiC產(chǎn)品系列包括650V/1200V/1700V的SiC二極管、650V/750V/1200V/1700V的SiC JFETs和FETs(采用獨(dú)特的Cascode架構(gòu)),擁有業(yè)界同類產(chǎn)品中最低的導(dǎo)通電阻和最佳的開關(guān)品質(zhì)因數(shù),兼容符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的柵極驅(qū)動(dòng)器,且大多數(shù)已通過AEC-Q101車規(guī)級(jí)認(rèn)證。了解更多Cascode架構(gòu)的技術(shù)特性,歡迎點(diǎn)擊往期推文《能效轉(zhuǎn)換節(jié)節(jié)高,不一般的Qorvo SiC FET是怎樣煉成的?》~

行家極光獎(jiǎng)

在『2023碳化硅&氮化鎵產(chǎn)業(yè)高峰論壇』同期的“行家極光獎(jiǎng)”頒獎(jiǎng)典禮上,Qorvo750V第四代SiC FET榮獲【年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)】,以表彰Qorvo在SiC技術(shù)創(chuàng)新方面的實(shí)踐與突破!

wKgZomV9V9WAb6V3AAFURqc2qvU330.jpgwKgZomV9V9aAAUvxAAERG9u9nTw740.jpg ? ?

Qorvo高級(jí)銷售經(jīng)理Jacbo Li代表公司領(lǐng)獎(jiǎng)

歡呼撒花,再接再厲!??ヽ(°▽°)ノ?


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